SPICE器件模型Si3586DV
Vishay Siliconix公司
N和P通道20 - V（D -S）的MOSFET
特征
N和P沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n型和p沟道垂直DMOS的特性。该
子电路模型中提取并优化过
55
到脉冲0 -V的下至5V栅极125℃的温度范围内
驾驶。饱和输出阻抗是在栅极偏压最佳拟合
附近的阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 72435
S- 50836Rev 。 B， 16日， 05
www.vishay.com
1
Si3586DV
Vishay Siliconix公司
N和P通道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
0.060在V
GS
= 4.5 V
N沟道
20
0.070在V
GS
= 2.5 V
0.100在V
GS
= 1.8 V
0.110在V
GS
= - 4.5 V
P沟道
- 20
0.145在V
GS
= - 2.5 V
0.220在V
GS
= - 1.8V
I
D
(A)
3.4
3.2
2.5
- 2.5
- 2.0
- 1.0
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
快速开关在小尺寸
非常低R
DS （ ON）
以提高效率
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
负载开关，用于便携式设备
TSOP-6
顶视图
G1
1
6
D1
D
1
S
2
3 mm
S2
2
5
S1
G
1
G
2
G2
3
4
D2
2.85 mm
S
1
订货信息：
Si3586DV -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si3586DV -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.05
1.15
0.73
0.75
0.83
0.53
3.4
2.7
2.9
2.3
±8
- 1.05
1.15
0.73
- 55 150
- 0.75
0.83
0.53
W
°C
5s
稳定状态
20
±8
- 2.5
- 2.0
- 2.1
- 1.7
A
5s
P沟道
稳定状态
- 20
单位
V
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
t
≤
5s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
93
130
90
最大
110
150
90
° C / W
单位
文档编号： 72310
S09-2110 -REV 。 D， 12 - OCT- 09
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1
Si3586DV
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
≤
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.4 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2.5 A
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.2 A
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 2.0 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 2.5 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 1.0 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
N沟道
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
Ω
P沟道
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
Ω
I
F
= 1.05 ，的di / dt = 100 A / μs的
I
F
= - 1.05 ，的di / dt = 100 A / μs的
N沟道
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.4 A
P沟道
N沟道
P沟道
4.1
5
0.65
0.68
0.8
1.3
2.6
9.8
30
28
52
55
25
55
20
32
25
25
45
45
85
85
40
85
30
50
40
40
ns
Ω
6.0
7.5
nC
g
fs
V
SD
V
DS
= 5 V，I
D
= 3.4 A
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 2.5 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
I
S
= - 1.05 ，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
5
-5
0.047
0.086
0.054
0.116
0.075
0.170
13
6
0.8
- 0.8
1.1
- 1.1
0.060
0.110
0.070
0.145
0.100
0.220
S
V
Ω
0.40
- 0.40
1.1
- 1.1
± 100
± 100
1
-1
10
- 10
A
A
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
P沟道
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2.5 A N -CH
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 72310
S09-2110 -REV 。 D， 12 - OCT- 09
Si3586DV
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
8
V
GS
= 5 V直通2 V
7
6
I
D
- 漏电流（ A）
5
1.5 V
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
I
D
- 漏电流（ A）
7
6
5
4
3
T
C
= 125 °C
2
25 °C
1
- 55 °C
0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
25 ℃，除非另有说明
8
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.10
600
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.08
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5 V
500
C
国际空间站
400
0.06
300
0.04
V
GS
= 2.5 V
200
C
OSS
0.02
100
C
RSS
0.00
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
6
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.4 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.6
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
5
1.4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.4 A
4
（归一化）
1.2
3
1.0
2
1
0.8
0
0
1
2
3
4
5
6
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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3
Si3586DV
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
0.25
I
D
= 3.4 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
1.2
0.20
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0.15
0.10
0.05
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.00
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.2
8
导通电阻与栅极至源极电压
0.1
I
D
= 250
A
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
功率（W）的
6
- 0.1
4
- 0.2
2
- 0.3
- 0.4
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
时间（s）
1
10
30
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
10
受
R
DS （ ON）
*
单脉冲功率（结到环境）
I
D
- 漏电流（ A）
1
1毫秒
10毫秒
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
100毫秒
1 s, 10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结至外壳
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文档编号： 72310
S09-2110 -REV 。 D， 12 - OCT- 09
Si3586DV
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
-
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到脚
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S09-2110 -REV 。 D， 12 - OCT- 09
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5
Si3586DV
新产品
Vishay Siliconix公司
N和P通道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
20
特点
r
DS （ ON）
(W)
0.060 @ V
GS
= 4.5 V
0.070 @ V
GS
= 2.5 V
0.100 @ V
GS
= 1.8 V
0.110 @ V
GS
=
4.5
V
0.145 @ V
GS
=
2.5
V
0.220 @ V
GS
=
1.8
V
I
D
(A)
3.4
3.2
2.5
2.5
2.0
1.0
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
快速开关在小尺寸
D
非常低R
DS （ ON）
以提高效率
应用
D
负载开关，用于便携式设备
P沟道
20
TSOP-6
顶视图
G1
3 mm
1
6
5
D1
D
1
S
2
S2
2
S1
G
1
G
2
G2
3
4
D2
2.85 mm
订购信息： Si3586DV -T1 -E3
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P沟道
5秒
稳定状态
20
"8
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
20
单位
V
3.4
2.7
2.9
2.3
"8
2.5
2.0
2.1
1.7
A
1.05
1.15
0.73
0.75
0.83
0.53
55
150
1.05
1.15
0.73
0.75
0.83
0.53
W
_C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72310
S- 32412 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
93
130
90
最大
110
150
90
单位
° C / W
C / W
1
Si3586DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
=
16
V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
=
16
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
导通状态
在国家漏极电流
a
I
D( )
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
p
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.4 A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
2.5
A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.2 A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
2.0
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
2.5
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
1.0
A
正向跨导
a
g
f
fs
V
SD
V
DS
= 5 V，I
D
= 3.4 A
V
DS
=
5
V，I
D
=
2.5
A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
I
S
=
1.05
A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
5
5
0.047
0.086
0.054
0.116
0.075
0.170
13
6
0.8
0.8
1.1
1.1
0.060
0.110
0.070
0.145
0.100
0.220
S
W
0.40
0.40
1.1
1.1
"100
"100
1
1
10
10
A
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
门体
门体漏
I
GSS
nA
二极管的正向电压
a
V
动态
b
总栅极电荷
Q
g
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.4 A
P沟道
V
DS
=
10
V V
GS
=
4.5
V I
D
=
2.5
A
10 V,
4 5 V,
25
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N-二hannel
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
10 V
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
G
= 6
W
1
4.5
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
F
= 1.05 ，的di / dt = 100 A / MS
I
F
=
1.05
A， di / dt的= 100 A / MS
N沟道
P沟道
4.1
5
0.65
0.68
0.8
1.3
2.6
9.8
30
28
52
55
25
55
20
32
25
25
45
45
85
85
40
85
30
50
40
40
ns
W
6.0
7.5
nC
栅极 - 源
门源电荷
Q
gs
Q
gd
d
R
g
t
d( )
D（上）
t
r
t
D（ FF）
D（关闭）
t
f
t
rr
栅极 - 漏极
闸漏极电荷
栅极电阻
开启
打开延迟时间
上升时间
打开-O FF
关闭延迟时间
下降时间
源极 - 漏极
反向恢复时间
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 72310
S- 32412 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
Si3586DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
8
7
6
I D
漏电流（ A）
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
1.5 V
I D
漏电流（ A）
Vishay Siliconix公司
N沟道
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.00
25_C
55_C
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
输出特性
V
GS
= 5通2 V
传输特性
T
C
= 125_C
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.10
600
500
C
电容（pF）
电容
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
V
GS
= 4.5 V
C
国际空间站
400
300
200
100
0
C
RSS
0
4
8
12
16
20
C
OSS
0.06
0.04
V
GS
= 2.5 V
0.02
0.00
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V GS
栅极 - 源极电压（ V）
R DS （ ON）
导通电阻（
W
)
（归一化）
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.4 A
1.4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.4 A
1.2
1.0
0.8
3
4
5
6
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
文档编号： 72310
S- 32412 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
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3
Si3586DV
Vishay Siliconix公司
新产品
N沟道
0.25
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.20
I
D
= 3.4 A
I
S
源电流（ A）
1
T
J
= 150_C
0.15
T
J
= 25_C
0.10
0.05
0.1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
源极到漏极电压（V ）
0.00
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.2
0.1
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
功率（W）的
0.1
0.2
2
0.3
0.4
50
4
I
D
= 250
mA
6
8
单脉冲功率（结到环境）
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
温度（℃）
10
安全工作区，结至外壳
限于由R
DS （ ON）
I
D
漏电流（ A）
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
T
C
= 25_C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
1s
10 s
dc
0.1
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4
文档编号： 72310
S- 32412 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
Si3586DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Vishay Siliconix公司
N沟道
归瞬态热阻抗，结到环境
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
2
1
归瞬态热阻抗，结到脚
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72310
S- 32412 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
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5
Si3586DV
新产品
Vishay Siliconix公司
N和P通道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(Ω)
0.060在V
GS
= 4.5 V
N沟道
20
0.070在V
GS
= 2.5 V
0.100在V
GS
= 1.8 V
0.110在V
GS
= - 4.5 V
P沟道
- 20
0.145在V
GS
= - 2.5 V
0.220在V
GS
= - 1.8V
I
D
(A)
3.4
3.2
2.5
- 2.5
- 2.0
- 1.0
特点
TrenchFET
功率MOSFET
快速开关在小尺寸
非常低R
DS （ ON）
以提高效率
RoHS指令
柔顺
应用
负载开关，用于便携式设备
TSOP-6
顶视图
G1
1
6
D1
D
1
S
2
G
2
3 mm
S2
2
5
S1
G
1
G2
3
4
D2
2.85 mm
订货信息：
Si3586DV -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.05
1.15
0.73
0.75
0.83
0.53
3.4
2.7
2.9
2.3
±8
- 1.05
1.15
0.73
- 55 150
- 0.75
0.83
0.53
W
°C
N沟道
5秒
稳定状态
20
±8
- 2.5
- 2.0
- 2.1
- 1.7
A
P沟道
5秒
稳定状态
- 20
单位
V
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
93
130
90
最大
110
150
90
° C / W
单位
文档编号： 72310
S- 60422 -REV 。 C， 20 -MAR -06
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1
Si3586DV
Vishay Siliconix公司
新产品
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
≤
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.4 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2.5 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.2 A
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 2.0 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 2.5 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 1.0 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
N沟道
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
Ω
P沟道
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
Ω
I
F
= 1.05 ，的di / dt = 100 A / μs的
I
F
= - 1.05 ，的di / dt = 100 A / μs的
N沟道
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.4 A
P沟道
N沟道
P沟道
4.1
5
0.65
0.68
0.8
1.3
2.6
9.8
30
28
52
55
25
55
20
32
25
25
45
45
85
85
40
85
30
50
40
40
ns
Ω
6.0
7.5
nC
g
fs
V
SD
V
DS
= 5 V，I
D
= 3.4 A
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 2.5 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
I
S
= - 1.05 ，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
5
-5
0.047
0.086
0.054
0.116
0.075
0.170
13
6
0.8
- 0.8
1.1
- 1.1
0.060
0.110
0.070
0.145
0.100
0.220
S
V
Ω
0.40
- 0.40
1.1
- 1.1
± 100
± 100
1
-1
10
- 10
A
A
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
P沟道
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2.5 A N -CH
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 72310
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Si3586DV
新产品
N沟道典型特征
8
7
6
I D - 漏电流（ A）
5
1.5 V
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
I D - 漏电流（ A）
V
GS
= 5通2 V
Vishay Siliconix公司
25 ℃，除非另有说明
8
7
6
5
4
3
T
C
= 125 °C
2
25 °C
1
- 55 °C
0
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.10
600
传输特性
0.08
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5 V
500
C
国际空间站
400
0.06
300
0.04
V
GS
= 2.5 V
200
C
OSS
C
RSS
0
4
8
12
16
20
0.02
100
0.00
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
6
1.6
电容
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.4 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.4 A
4
1.2
3
1.0
2
1
0.8
0
0
1
2
3
4
5
6
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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3
Si3586DV
Vishay Siliconix公司
10
新产品
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.25
0.20
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
I
S
- 源电流（ A）
I
D
= 3.4 A
0.15
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0.10
0.05
0.1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.2
I
D
= 250 A
6
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
功率（W）的
8
导通电阻与栅极至源极电压
0.1
- 0.1
4
- 0.2
2
- 0.3
- 0.4
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
10
受
r
DS （ ON）
单脉冲功率（结到环境）
I
D
- 漏电流（ A）
1毫秒
1
10毫秒
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
100毫秒
1s
10 s
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS -
漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结至外壳
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新产品
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
Vishay Siliconix公司
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
归瞬态热阻抗，结到脚
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SPICE器件模型Si3586DV
Vishay Siliconix公司
N和P通道20 - V（D -S）的MOSFET
特征
N和P沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n型和p沟道垂直DMOS的特性。该
子电路模型中提取并优化过
55
到脉冲0 -V的下至5V栅极125℃的温度范围内
驾驶。饱和输出阻抗是在栅极偏压最佳拟合
附近的阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 72435
S- 50836Rev 。 B， 16日， 05
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