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Si3499DV
新产品
Vishay Siliconix公司
P沟道1.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.023 @ V
GS
=
4.5
V
8
0.029 @ V
GS
=
2.5
V
0.036 @ V
GS
=
1.8
V
0.048 @ V
GS
=
1.5
V
特点
I
D
(A)
7
6.2
5.2
5.0
28
Q
g
（典型值）
D
TrenchFETr功率MOSFET ： 1.5 V额定
D
超低导通电阻
D
100% R
g
经过测试
应用
D
负载开关，用于便携式设备
TSOP-6
顶视图
1
3 mm
6
5
(3) G
(4) S
2
3
4
(1, 2, 5, 6) D
P沟道MOSFET
2.85 mm
订购信息： Si3499DV -T1 -E3
标识代码：
B3xxx
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续二极管电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
8
"5
单位
V
7
3.6
20
1.7
2.0
1.0
55
150
5.3
3.9
A
0.9
1.1
0.6
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 73138
待定-REV 。 A， 10月18日04
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
45
90
25
最大
62.5
110
30
单位
° C / W
C / W
1
Si3499DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"5
V
V
DS
=
8
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
8
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
7
A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
6.2
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
5.2
A
V
GS
=
1.5
V，I
D
=
3
A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
=
5
V，I
D
=
7
A
I
S
=
1.7
A，V
GS
= 0 V
20
0.019
0.024
0.028
0.035
28
0.63
1.1
0.023
0.029
0.036
0.048
S
V
W
0.35
0.75
"100
1
10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.7
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
4
V ，R
L
= 4
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
4
V
DS
=
4
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
7
A
,
,
28
2.9
5.8
8.5
27
65
210
110
40
13
40
100
315
165
70
ns
W
42
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
25
I
D
漏电流（ A）
20
1.5 V
15
10
5
1V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.4
V
GS
= 5通2 V
30
25
I
D
漏电流（ A）
20
15
10
T
C
= 125_C
5
25_C
55_C
0.8
1.2
1.6
2.0
传输特性
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73138
待定-REV 。 A， 10月18日04
2
Si3499DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
3500
3000
C
电容（pF）
0.08
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
C
RSS
C
国际空间站
Vishay Siliconix公司
电容
0.06
V
GS
= 1.5 V
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
0.02
V
GS
= 4.5 V
0.00
0.04
C
OSS
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
5
4
3
2
1
0
0
6
12
18
24
30
36
Q
g
总栅极电荷（ NC）
V
DS
= 4 V
I
D
= 7 A
1.4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 7 A
1.2
1.0
0.8
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
10
I
S
源电流（ A）
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
0.06
I
D
= 7 A
T
J
= 150_C
1
T
J
= 25_C
0.04
0.02
0.1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73138
待定-REV 。 A， 10月18日04
www.vishay.com
3
Si3499DV
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
50
8
功率（W）的
24
T
A
= 25_C
16
40
单脉冲功率
32
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
2
10
1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
安全工作区
*r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
10
I
D
漏电流（ A）
1毫秒
10毫秒
1
I
D（上）
有限
100毫秒
1S
10 S
dc
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
2
1
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 360_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 73138
待定-REV 。 A， 10月18日04
Si3499DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?73138 。
文档编号： 73138
待定-REV 。 A， 10月18日04
www.vishay.com
5
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SN54HCT245FK
SDM10U45-76K
SPD16A1002JQ13
SSM2167
SKKE1200_07
SP4425QCUEB
S407-20.5-93
SSCD104
SMD185
SN65LVDM176
SNJ54175W
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SI3499DV-T1-E3
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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电话：0755-83987779
联系人：洪小姐
地址：福田区中航路都会电子城2C020A室（本公司可以开13%增票，3%增票和普票）
SI3499DV-T1-E3
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2023+PB
6900
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电话：13510131896
联系人：欧阳
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TSOP-6
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电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
SI3499DV-T1-E3
Vishay Siliconix
24+
10000
6-TSOP
原厂一级代理，原装现货
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QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
SI3499DV-T1-E3
Vishay Siliconix
24+
19000
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全新原装现货，原厂代理。
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电话：0755- 82556029/82532511
联系人：高小姐/李先生
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房102栋西620
SI3499DV-T1-E3
Vishay
2025+
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2022
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