新产品
Si3495DV
Vishay Siliconix公司
P通道20 - V（D -S）， 1.5 - V（G -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(Ω)
0.024在V
GS
= - 4.5 V
- 20
0.030在V
GS
= - 2.5 V
0.038在V
GS
= - 1.8 V
0.048在V
GS
= - 1.5 V
I
D
(A)
-7
- 6.2
- 5.2
- 5.0
特点
TrenchFET
功率MOSFET ： 1.5 V额定
超低导通电阻
100 % R
g
经过测试
RoHS指令
柔顺
应用
负荷开关及开关PA便携式
器件
TSOP-6
TOP V IEW
1
6
(4) S
3 mm
2
5
(3) G
4
3
2.85 mm
(1, 2, 5, 6) D
P沟道MOSFET
订货信息：
Si3495DV -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
标识代码：
95xxx
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
- 1.7
2.0
1.0
- 55 150
-7
- 3.6
- 20
- 0.9
1.1
0.6
W
°C
5秒
- 20
±5
- 5.3
- 3.9
A
稳定状态
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
t
≤
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
45
90
25
最大
62.5
110
30
° C / W
单位
文档编号： 73135
S- 71321 -REV 。 B， 02 -JUL- 07
www.vishay.com
1
新产品
Si3495DV
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 5 V
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 7 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 6.2 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 5.2 A
V
GS
= - 1.5 V，I
D
= - 3 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 1.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 6
Ω
4
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 7 A
25
2.5
7
8.5
19
36
200
106
35
13
30
55
300
160
60
ns
Ω
38
nC
g
fs
V
SD
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 7 A
I
S
= - 1.7 A，V
GS
= 0 V
- 20
0.020
0.024
0.030
0.036
25
- 0.62
- 1.1
0.024
0.030
0.038
0.048
S
V
Ω
- 0.35
- 0.75
± 100
-1
- 10
V
nA
A
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
20
V
GS
= 5通2 V
16
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
1.5 V
12
I
D
- 漏电流（ A）
12
8
8
T
C
= 125 °C
25 °C
- 55 °C
0
0.0
4
1V
0
0
1
2
3
4
5
4
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
www.vishay.com
2
传输特性
文档编号： 73135
S- 71321 -REV 。 B， 02 -JUL- 07
新产品
Si3495DV
Vishay Siliconix公司
典型特征
0.10
25 ℃，除非另有说明
3500
3000
- 电容（pF ）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.08
2500
2000
1500
1000
C
OSS
500
0
C
RSS
0
4
C
国际空间站
0.06
V
GS
= 1.5 V
0.04
V
GS
= 2.5 V
0.02
V
GS
= 4.5 V
0.00
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 1.8 V
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 7 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.8
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 7 A
1.4
电容
5
4
1.2
3
1.0
2
0.8
1
0.6
- 50
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
0.10
导通电阻与结温
20
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.08
I
S
- 源电流（ A）
0.06
I
D
= 7 A
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0.04
0.02
0.1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 73135
S- 71321 -REV 。 B， 02 -JUL- 07
www.vishay.com
3
新产品
Si3495DV
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.4
40
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250 A
0.2
功率（W）的
32
24
T
A
= 25 °C
16
0.1
0.0
8
- 0.1
- 0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10-
2
10-
1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
*r
DS （ ON）
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
0.01
0.1
I
DM
有限
单脉冲功率
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
*V
GS
＆ GT ;
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 360 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10-
4
10-
3
10-
3
10-
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
-
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
www.vishay.com
4
文档编号： 73135
S- 71321 -REV 。 B， 02 -JUL- 07
新产品
Si3495DV
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
归瞬态热阻抗，结到脚
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?73135 。
文档编号： 73135
S- 71321 -REV 。 B， 02 -JUL- 07
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5
SPICE器件模型Si3495DV
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
特征
P沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的p沟道垂直DMOS的特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 V至5 V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 73150
S- 50836Rev 。 B， 16日， 05
www.vishay.com
1
SPICE器件模型Si3495DV
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
特征
P沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的p沟道垂直DMOS的特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 V至5 V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 73150
S- 50836Rev 。 B， 16日， 05
www.vishay.com
1
QQ：2881677436 复制
