Si3469DV
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
20
D
TrenchFETr功率MOSFET
I
D
(A)
6.7
5.1
r
DS （ ON）
(W)
0.030 @ V
GS
=
10
V
0.051 @ V
GS
=
4.5
V
应用
D
负荷开关
笔记本电脑
游戏机
的DeskTop
TSOP-6
顶视图
1
3 mm
6
5
(4) S
(3) G
2
3
4
(1, 2, 5, 6) D
2.85 mm
订购信息： Si3469DV -T1 -E3 （无铅）
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
20
"20
单位
V
6.7
5.3
25
1.7
2.0
1.3
55
150
5.0
4.0
A
0.95
1.14
0.73
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72676
S- 40271 -REV 。 A， 23 -FEB -04
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
45
90
25
最大
62.5
110
30
单位
° C / W
C / W
1
Si3469DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
v
5
V, V
GS
=
10
V
V
GS
=
10
V，I
D
=
6.7
A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
2
A
V
DS
=
15
V，I
D
=
6.7
A
I
S
=
1.7
A，V
GS
= 0 V
25
0.024
0.041
15
0.8
1.2
0.030
0.051
1.0
3
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.7
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
10
V ，R
G
= 6
W
F = 1 MHz的
V
DS
=
10
V, V
GS
=
10
V，I
D
=
6.7
A
20
3.8
4.8
9
10
12
50
35
25
15
20
75
55
50
ns
W
30
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
25
V
GS
= 10直通5 V
20
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
20
25
传输特性
15
4V
15
10
10
5
3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
5
T
C
= 125_C
25_C
55_C
3.0
4.0
5.0
0
0.0
1.0
2.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72676
S- 40271 -REV 。 A， 23 -FEB -04
www.vishay.com
2
Si3469DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.16
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
5
10
15
20
25
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
C
电容（pF）
1200
C
国际空间站
1500
Vishay Siliconix公司
电容
900
600
C
OSS
300
C
RSS
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 6.7 A
8
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.7 A
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
I
D
= 2 A
0.06
I
D
= 6.7 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72676
S- 40271 -REV 。 A， 23 -FEB -04
www.vishay.com
3
Si3469DV
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
50
单脉冲功率
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
功率（W）的
0.2
40
30
0.0
20
0.2
10
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
时间（秒）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
P（吨） = 0.0001
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72676
S- 40271 -REV 。 A， 23 -FEB -04
Si3469DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72676
S- 40271 -REV 。 A， 23 -FEB -04
www.vishay.com
5
Si3469DV
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
20
D
TrenchFETr功率MOSFET
I
D
(A)
6.7
5.1
r
DS （ ON）
(W)
0.030 @ V
GS
=
10
V
0.051 @ V
GS
=
4.5
V
应用
D
负荷开关
笔记本电脑
游戏机
的DeskTop
TSOP-6
顶视图
1
3 mm
6
5
(4) S
(3) G
2
3
4
(1, 2, 5, 6) D
2.85 mm
订购信息： Si3469DV -T1 -E3 （无铅）
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
20
"20
单位
V
6.7
5.3
25
1.7
2.0
1.3
55
150
5.0
4.0
A
0.95
1.14
0.73
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72676
S- 40271 -REV 。 A， 23 -FEB -04
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
45
90
25
最大
62.5
110
30
单位
° C / W
C / W
1
Si3469DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
v
5
V, V
GS
=
10
V
V
GS
=
10
V，I
D
=
6.7
A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
2
A
V
DS
=
15
V，I
D
=
6.7
A
I
S
=
1.7
A，V
GS
= 0 V
25
0.024
0.041
15
0.8
1.2
0.030
0.051
1.0
3
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.7
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
10
V ，R
G
= 6
W
F = 1 MHz的
V
DS
=
10
V, V
GS
=
10
V，I
D
=
6.7
A
20
3.8
4.8
9
10
12
50
35
25
15
20
75
55
50
ns
W
30
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
25
V
GS
= 10直通5 V
20
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
20
25
传输特性
15
4V
15
10
10
5
3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
5
T
C
= 125_C
25_C
55_C
3.0
4.0
5.0
0
0.0
1.0
2.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72676
S- 40271 -REV 。 A， 23 -FEB -04
www.vishay.com
2
Si3469DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.16
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
5
10
15
20
25
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
C
电容（pF）
1200
C
国际空间站
1500
Vishay Siliconix公司
电容
900
600
C
OSS
300
C
RSS
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 6.7 A
8
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.7 A
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
I
D
= 2 A
0.06
I
D
= 6.7 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72676
S- 40271 -REV 。 A， 23 -FEB -04
www.vishay.com
3
Si3469DV
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
50
单脉冲功率
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
功率（W）的
0.2
40
30
0.0
20
0.2
10
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
时间（秒）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
P（吨） = 0.0001
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72676
S- 40271 -REV 。 A， 23 -FEB -04
Si3469DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72676
S- 40271 -REV 。 A， 23 -FEB -04
www.vishay.com
5
Si3469DV
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
20
D
TrenchFETr功率MOSFET
I
D
(A)
6.7
5.1
r
DS （ ON）
(W)
0.030 @ V
GS
=
10
V
0.051 @ V
GS
=
4.5
V
应用
D
负荷开关
笔记本电脑
游戏机
的DeskTop
TSOP-6
顶视图
1
3 mm
6
5
(4) S
(3) G
2
3
4
(1, 2, 5, 6) D
2.85 mm
订购信息： Si3469DV -T1 -E3 （无铅）
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
20
"20
单位
V
6.7
5.3
25
1.7
2.0
1.3
55
150
5.0
4.0
A
0.95
1.14
0.73
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72676
S- 40271 -REV 。 A， 23 -FEB -04
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
45
90
25
最大
62.5
110
30
单位
° C / W
C / W
1
Si3469DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
v
5
V, V
GS
=
10
V
V
GS
=
10
V，I
D
=
6.7
A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
2
A
V
DS
=
15
V，I
D
=
6.7
A
I
S
=
1.7
A，V
GS
= 0 V
25
0.024
0.041
15
0.8
1.2
0.030
0.051
1.0
3
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.7
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
10
V ，R
G
= 6
W
F = 1 MHz的
V
DS
=
10
V, V
GS
=
10
V，I
D
=
6.7
A
20
3.8
4.8
9
10
12
50
35
25
15
20
75
55
50
ns
W
30
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
25
V
GS
= 10直通5 V
20
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
20
25
传输特性
15
4V
15
10
10
5
3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
5
T
C
= 125_C
25_C
55_C
3.0
4.0
5.0
0
0.0
1.0
2.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72676
S- 40271 -REV 。 A， 23 -FEB -04
www.vishay.com
2
Si3469DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.16
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
5
10
15
20
25
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
C
电容（pF）
1200
C
国际空间站
1500
Vishay Siliconix公司
电容
900
600
C
OSS
300
C
RSS
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 6.7 A
8
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.7 A
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
I
D
= 2 A
0.06
I
D
= 6.7 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72676
S- 40271 -REV 。 A， 23 -FEB -04
www.vishay.com
3
Si3469DV
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
50
单脉冲功率
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
功率（W）的
0.2
40
30
0.0
20
0.2
10
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
时间（秒）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
P（吨） = 0.0001
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72676
S- 40271 -REV 。 A， 23 -FEB -04
Si3469DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72676
S- 40271 -REV 。 A， 23 -FEB -04
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
