添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第354页 > SI3456BDV-T1-E3
Si3456BDV
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
6.0
4.9
r
DS （ ON）
(W)
0.035 @ V
GS
= 10 V
0.052 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
100% R
g
经过测试
TSOP-6
顶视图
1
3 mm
6
5
(1, 2, 5, 6) D
2
(3) G
3
4
2.85 mm
订购信息： Si3456BDV -T1 -E3
标识代码：
6Bxxx
(4) S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
30
"20
6.0
4.8
"30
1.7
2.0
1.3
稳定状态
单位
V
4.5
3.6
A
0.9
1.1
0.7
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72544
S- 404024 -REV 。 C， 15 -MAR -04
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
55
92
28
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
C / W
1
Si3456BDV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.9 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 6 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
30
0.028
0.041
12
0.8
1.2
0.035
0.052
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
1.4
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
8.6
1.8
1.5
2.8
10
15
25
10
20
4.8
15
25
40
15
40
ns
W
13
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
35
30
I
D
漏电流（ A）
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
3V
4V
I
D
漏电流（ A）
V
GS
= 10通6 V
5V
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
传输特性
T
C
=
55_C
25_C
125_C
2
3
4
5
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72544
S- 404024 -REV 。 C， 15 -MAR -04
2
Si3456BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
800
700
C
电容（pF）
0.08
600
500
400
300
200
100
0.00
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0
5
10
15
20
25
30
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
电容
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.04
V
GS
= 10 V
0.02
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 6 A
8
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
0.06
I
D
= 6 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72544
S- 404024 -REV 。 C， 15 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si3456BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
时间（秒）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.0001
1
I
D（上）
有限
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
P（吨） = 0.001
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
0.1
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 92℃ / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72544
S- 404024 -REV 。 C， 15 -MAR -04
Si3456BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72544
S- 404024 -REV 。 C， 15 -MAR -04
www.vishay.com
5
Si3456BDV
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
6.0
4.9
r
DS （ ON）
(W)
0.035 @ V
GS
= 10 V
0.052 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
100% R
g
经过测试
TSOP-6
顶视图
1
3 mm
6
5
(1, 2, 5, 6) D
2
(3) G
3
4
2.85 mm
订购信息： Si3456BDV -T1 -E3
标识代码：
6Bxxx
(4) S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
30
"20
6.0
4.8
"30
1.7
2.0
1.3
稳定状态
单位
V
4.5
3.6
A
0.9
1.1
0.7
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72544
S- 404024 -REV 。 C， 15 -MAR -04
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
55
92
28
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
C / W
1
Si3456BDV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.9 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 6 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
30
0.028
0.041
12
0.8
1.2
0.035
0.052
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
1.4
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
8.6
1.8
1.5
2.8
10
15
25
10
20
4.8
15
25
40
15
40
ns
W
13
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
35
30
I
D
漏电流（ A）
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
3V
4V
I
D
漏电流（ A）
V
GS
= 10通6 V
5V
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
传输特性
T
C
=
55_C
25_C
125_C
2
3
4
5
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72544
S- 404024 -REV 。 C， 15 -MAR -04
2
Si3456BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
800
700
C
电容（pF）
0.08
600
500
400
300
200
100
0.00
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0
5
10
15
20
25
30
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
电容
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.04
V
GS
= 10 V
0.02
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 6 A
8
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
0.06
I
D
= 6 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72544
S- 404024 -REV 。 C， 15 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si3456BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
时间（秒）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.0001
1
I
D（上）
有限
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
P（吨） = 0.001
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
0.1
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 92℃ / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72544
S- 404024 -REV 。 C， 15 -MAR -04
Si3456BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72544
S- 404024 -REV 。 C， 15 -MAR -04
www.vishay.com
5
Si3456BDV
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
6.0
4.9
r
DS （ ON）
(W)
0.035 @ V
GS
= 10 V
0.052 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
100% R
g
经过测试
TSOP-6
顶视图
1
3 mm
6
5
(1, 2, 5, 6) D
2
(3) G
3
4
2.85 mm
订购信息： Si3456BDV -T1 -E3
标识代码：
6Bxxx
(4) S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
30
"20
6.0
4.8
"30
1.7
2.0
1.3
稳定状态
单位
V
4.5
3.6
A
0.9
1.1
0.7
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72544
S- 404024 -REV 。 C， 15 -MAR -04
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
55
92
28
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
C / W
1
Si3456BDV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.9 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 6 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
30
0.028
0.041
12
0.8
1.2
0.035
0.052
1.0
3.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
1.4
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
8.6
1.8
1.5
2.8
10
15
25
10
20
4.8
15
25
40
15
40
ns
W
13
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
35
30
I
D
漏电流（ A）
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
3V
4V
I
D
漏电流（ A）
V
GS
= 10通6 V
5V
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
传输特性
T
C
=
55_C
25_C
125_C
2
3
4
5
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72544
S- 404024 -REV 。 C， 15 -MAR -04
2
Si3456BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
800
700
C
电容（pF）
0.08
600
500
400
300
200
100
0.00
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0
5
10
15
20
25
30
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
电容
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.04
V
GS
= 10 V
0.02
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 6 A
8
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
0.06
I
D
= 6 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72544
S- 404024 -REV 。 C， 15 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si3456BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
50
10
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
时间（秒）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.0001
1
I
D（上）
有限
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
P（吨） = 0.001
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
0.1
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 92℃ / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72544
S- 404024 -REV 。 C， 15 -MAR -04
Si3456BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72544
S- 404024 -REV 。 C， 15 -MAR -04
www.vishay.com
5
查看更多SI3456BDV-T1-E3PDF信息
推荐型号
SFW12R-1STE1LF
S72NS256NE0AJW1J0
SE1230Q
ST52F510GMM6
STGF7NB60SL_0409
SFF75N06M
SMI-50-220
SW003A0A961
ST62T55
SLP273M025H4P3
SY89809LTC
SST29EE010-120-4I-EH
SM320C40GFM50
SIS892DN
SC220C6BTAV
SCL4013B
S1B-T1
S29GL032N90BFI030
SHD115434
SD12-221
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SI3456BDV-T1-E3
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
SI3456BDV-T1-E3
VISHAY
2019
79600
SOT-163
原装正品 钻石品质 假一赔十
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SI3456BDV-T1-E3
VISHAY
21+
15000.00
SOT23-6
全新原装正品/质量有保证
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
SI3456BDV-T1-E3
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9907
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
上海鑫丰电子技术有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ：1484215649 复制

电话：021-51875986/51872153
联系人：陈小姐 张先生
地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
SI3456BDV-T1-E3
VISHAY/威世
21+
29000
NA
全新原装，欢迎订购！
上海金庆电子科技京城市场部
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1484215649 复制 点击这里给我发消息 QQ：729272152 复制

电话：021-51872165/51872561
联系人：陈小姐 付先生
地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
SI3456BDV-T1-E3
Siliconix / Vishay
21+
26000
全新原装 货期两周
深圳市科雨电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：97671959 复制

电话：171-4729-9698（微信同号）
联系人：周小姐，171-4729-9698，无线联通更快捷！
地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
SI3456BDV-T1-E3
VISHAY
24+
3000
TSOP-6
★体验愉快问购元件！！就找我吧!《停产物料》
聚宽科技(深圳)有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：102428443 复制 点击这里给我发消息 QQ：22838748 复制

电话：13715365718
联系人：党小姐
地址：深圳市宝安区沙井中心路大钟岗工业区丰平路3栋1楼
SI3456BDV-T1-E3
VISHAY/威世
24+
16000
SOT-163
原装现货，真实库存，欢迎查询！
深圳青禾创新科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1346082250 复制 点击这里给我发消息 QQ：758462395 复制 点击这里给我发消息 QQ：3422402642 复制
电话：0755-82778126
联系人：曾先生
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋317室 ★★诚信经营★★
SI3456BDV-T1-E3
Vishay
21+
98000
SOT-23-6
★★一级分销商，正品
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
SI3456BDV-T1-E3
VISHAY
19+
6000
SOT163
十年专营，供应原装正品！热卖现货！
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
SI3456BDV-T1-E3
VISHAY
2019+
15000
SOT-163
十年专营，供应原装正品！热卖现货！
查询更多SI3456BDV-T1-E3供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！