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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第612页 > SI3447BDV-T1-E3
Si3447BDV
Vishay Siliconix公司
P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.040 @ V
GS
=
4.5
V
12
0.053 @ V
GS
=
2.5
V
0.072 @ V
GS
=
1.8
V
特点
I
D
(A)
6.0
5.2
4.5
D
TrenchFETr功率MOSFET ： 1.8 V额定
D
超低导通电阻
应用
D
负荷开关
D
PA的开关
TSOP-6
顶视图
1
3 mm
6
5
(3) G
(4) S
2
3
4
2.85 mm
(1, 2, 5, 6) D
订购信息： Si3447BDV -T1
Si3447BDV -T1 -E3 （无铅）
标识代码：
B7xxx
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续二极管电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
12
"8
单位
V
6.0
4.3
20
1.7
2.0
1.0
55
150
4.5
3.3
A
0.9
1.1
0.6
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72020
S- 40424 -REV 。 B， 15 -MAR -04
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
62.5
110
36
单位
° C / W
C / W
1
Si3447BDV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
=
12
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
12
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
6.0
A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
5.2
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
2.0
A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
=
5
V，I
D
=
6.0
A
I
S
=
1.7
A，V
GS
= 0 V
20
0.033
0.044
0.060
15
0.7
1.2
0.040
0.053
0.072
S
V
W
0.45
1
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.7
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
6
V ，R
L
= 6
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
V
DS
=
6
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
6.0
A
9.3
1.5
2.6
20
46
62
62
40
30
70
95
95
80
ns
14
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
16
2V
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
12
12
16
20
传输特性
T
C
=
55_C
25_C
125_C
8
1.5 V
8
4
1V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72020
S- 40424 -REV 。 B， 15 -MAR -04
2
Si3447BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.20
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1600
1400
C
电容（pF）
0.16
1200
1000
800
600
400
V
GS
= 4.5 V
0.00
0
4
8
12
16
20
200
0
0
2
4
6
8
10
12
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
电容
0.12
0.08
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
0.04
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 6 A
4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6 A
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
总栅极电荷（ NC）
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.16
I
S
源电流（ A）
0.20
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 6 A
0.12
I
D
= 2 A
0.08
10
T
J
= 25_C
0.04
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72020
S- 40424 -REV 。 B， 15 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si3447BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
50
10
I
D
= 100
mA
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
时间（秒）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
0.1
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72020
S- 40424 -REV 。 B， 15 -MAR -04
Si3447BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72020
S- 40424 -REV 。 B， 15 -MAR -04
www.vishay.com
5
Si3447BDV
Vishay Siliconix公司
P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.040 @ V
GS
=
4.5
V
12
0.053 @ V
GS
=
2.5
V
0.072 @ V
GS
=
1.8
V
特点
I
D
(A)
6.0
5.2
4.5
D
TrenchFETr功率MOSFET ： 1.8 V额定
D
超低导通电阻
应用
D
负荷开关
D
PA的开关
TSOP-6
顶视图
1
3 mm
6
5
(3) G
(4) S
2
3
4
2.85 mm
(1, 2, 5, 6) D
订购信息： Si3447BDV -T1
Si3447BDV -T1 -E3 （无铅）
标识代码：
B7xxx
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续二极管电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
12
"8
单位
V
6.0
4.3
20
1.7
2.0
1.0
55
150
4.5
3.3
A
0.9
1.1
0.6
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72020
S- 40424 -REV 。 B， 15 -MAR -04
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
62.5
110
36
单位
° C / W
C / W
1
Si3447BDV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
=
12
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
12
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
6.0
A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
5.2
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
2.0
A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
=
5
V，I
D
=
6.0
A
I
S
=
1.7
A，V
GS
= 0 V
20
0.033
0.044
0.060
15
0.7
1.2
0.040
0.053
0.072
S
V
W
0.45
1
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.7
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
6
V ，R
L
= 6
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
V
DS
=
6
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
6.0
A
9.3
1.5
2.6
20
46
62
62
40
30
70
95
95
80
ns
14
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
16
2V
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
12
12
16
20
传输特性
T
C
=
55_C
25_C
125_C
8
1.5 V
8
4
1V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72020
S- 40424 -REV 。 B， 15 -MAR -04
2
Si3447BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.20
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1600
1400
C
电容（pF）
0.16
1200
1000
800
600
400
V
GS
= 4.5 V
0.00
0
4
8
12
16
20
200
0
0
2
4
6
8
10
12
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
电容
0.12
0.08
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
0.04
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 6 A
4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6 A
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
总栅极电荷（ NC）
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.16
I
S
源电流（ A）
0.20
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 6 A
0.12
I
D
= 2 A
0.08
10
T
J
= 25_C
0.04
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72020
S- 40424 -REV 。 B， 15 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si3447BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
50
10
I
D
= 100
mA
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
时间（秒）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
0.1
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72020
S- 40424 -REV 。 B， 15 -MAR -04
Si3447BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72020
S- 40424 -REV 。 B， 15 -MAR -04
www.vishay.com
5
Si3447BDV
Vishay Siliconix公司
P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.040 @ V
GS
=
4.5
V
12
0.053 @ V
GS
=
2.5
V
0.072 @ V
GS
=
1.8
V
特点
I
D
(A)
6.0
5.2
4.5
D
TrenchFETr功率MOSFET ： 1.8 V额定
D
超低导通电阻
应用
D
负荷开关
D
PA的开关
TSOP-6
顶视图
1
3 mm
6
5
(3) G
(4) S
2
3
4
2.85 mm
(1, 2, 5, 6) D
订购信息： Si3447BDV -T1
Si3447BDV -T1 -E3 （无铅）
标识代码：
B7xxx
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续二极管电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
12
"8
单位
V
6.0
4.3
20
1.7
2.0
1.0
55
150
4.5
3.3
A
0.9
1.1
0.6
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
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t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
62.5
110
36
单位
° C / W
C / W
1
Si3447BDV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
=
12
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
12
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
6.0
A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
5.2
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
2.0
A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
=
5
V，I
D
=
6.0
A
I
S
=
1.7
A，V
GS
= 0 V
20
0.033
0.044
0.060
15
0.7
1.2
0.040
0.053
0.072
S
V
W
0.45
1
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.7
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
6
V ，R
L
= 6
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
V
DS
=
6
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
6.0
A
9.3
1.5
2.6
20
46
62
62
40
30
70
95
95
80
ns
14
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
16
2V
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
12
12
16
20
传输特性
T
C
=
55_C
25_C
125_C
8
1.5 V
8
4
1V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72020
S- 40424 -REV 。 B， 15 -MAR -04
2
Si3447BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.20
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
1600
1400
C
电容（pF）
0.16
1200
1000
800
600
400
V
GS
= 4.5 V
0.00
0
4
8
12
16
20
200
0
0
2
4
6
8
10
12
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
电容
0.12
0.08
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
0.04
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 6 A
4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6 A
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
总栅极电荷（ NC）
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
40
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.16
I
S
源电流（ A）
0.20
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 6 A
0.12
I
D
= 2 A
0.08
10
T
J
= 25_C
0.04
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
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3
Si3447BDV
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
50
10
I
D
= 100
mA
功率（W）的
30
50
单脉冲功率
40
20
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
3
10
2
10
1
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
时间（秒）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
0.1
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
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SMDD-130H-20
SP2907QDB
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S558-5999-J5
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SI3447BDV-T1-E3
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    -
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SI3447BDV-T1-E3
VISHAY
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联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
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电话：0755-23914006/18318877587
联系人：陈佳隆
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联系人：胡先生 林小姐 朱先生
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电话：18926544209/18025435189
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VISHAY/威世
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电话：0755-23945755 83248872
联系人：朱先生
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电话：13691818754
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