Si3445ADV
新产品
Vishay Siliconix公司
P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
8
r
DS （ ON）
(W)
0.042 @ V
GS
=
4.5
V
0.060 @ V
GS
=
2.5
V
0.080 @ V
GS
=
1.8
V
I
D
(A)
5.8
4.9
4.2
TSOP-6
顶视图
1
3 mm
6
5
(3) G
(4) S
2
3
4
2.85 mm
订购信息： Si3445ADV -T1 -E3
标识代码： C5XXX
(1, 2, 5, 6) D
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
8
"8
单位
V
5.8
4.7
20
1.7
2.0
1.3
55
150
4.4
3.5
A
0.9
1.1
0.7
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
5秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 72859
S- 40582 -REV 。 A， 29 -MAR -04
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
22
最大
62.5
110
30
单位
° C / W
C / W
1
Si3445ADV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
=
8
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
8
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
5.8
A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
4.9
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
0.2
A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
=
4
V，I
D
=
5.8
A
I
S
=
1.7
A，V
GS
= 0 V
20
0.034
0.050
0.065
16
0.8
1.2
0.042
0.060
0.080
S
V
W
0.45
1.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.7
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
4
V ，R
L
= 4
W
I
D
^
1.0
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
V
DS
=
4
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
5.8
A
12.5
2.4
2.6
8
20
40
80
60
55
30
60
120
90
85
ns
W
19
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
16
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
16
20
T
C
=
55_C
25_C
125_C
12
传输特性
12
2V
8
1.5 V
1V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
8
4
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72859
S- 40582 -REV 。 A， 29 -MAR -04
www.vishay.com
2
Si3445ADV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.20
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
2000
Vishay Siliconix公司
电容
V
GS
= 1.8 V
0.12
C
电容（pF）
0.16
1600
C
国际空间站
1200
C
OSS
0.08
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
800
C
RSS
400
0.04
0.00
0
4
8
12
16
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 4 V
I
D
= 5.8 A
4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.8 A
3
2
1
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
总栅极电荷（ NC）
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.20
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.16
I
D
= 5.8 A
0.12
I
D
= 0.2 A
0.08
I
S
源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.04
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72859
S- 40582 -REV 。 A， 29 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si3445ADV
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.3
阈值电压
25
单脉冲功率
0.2
V GS （ TH）方差（V ）
I
D
= 250
mA
20
0.0
功率（W）的
0.1
15
10
0.1
5
0.2
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
2
10
1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
P（吨）= 0.01
1
I
D（上）
有限
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
100
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
0.1
P（吨） = 10
dc
0.01
0.1
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72859
S- 40582 -REV 。 A， 29 -MAR -04
Si3445ADV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72859
S- 40582 -REV 。 A， 29 -MAR -04
www.vishay.com
5
Si3445ADV
新产品
Vishay Siliconix公司
P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
8
r
DS （ ON）
(W)
0.042 @ V
GS
=
4.5
V
0.060 @ V
GS
=
2.5
V
0.080 @ V
GS
=
1.8
V
I
D
(A)
5.8
4.9
4.2
TSOP-6
顶视图
1
3 mm
6
5
(3) G
(4) S
2
3
4
2.85 mm
订购信息： Si3445ADV -T1 -E3
标识代码： C5XXX
(1, 2, 5, 6) D
P沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
8
"8
单位
V
5.8
4.7
20
1.7
2.0
1.3
55
150
4.4
3.5
A
0.9
1.1
0.7
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
5秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 72859
S- 40582 -REV 。 A， 29 -MAR -04
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
22
最大
62.5
110
30
单位
° C / W
C / W
1
Si3445ADV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
=
8
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
8
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
5.8
A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
4.9
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
0.2
A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
=
4
V，I
D
=
5.8
A
I
S
=
1.7
A，V
GS
= 0 V
20
0.034
0.050
0.065
16
0.8
1.2
0.042
0.060
0.080
S
V
W
0.45
1.0
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1.7
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
4
V ，R
L
= 4
W
I
D
^
1.0
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
V
DS
=
4
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
5.8
A
12.5
2.4
2.6
8
20
40
80
60
55
30
60
120
90
85
ns
W
19
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
16
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
16
20
T
C
=
55_C
25_C
125_C
12
传输特性
12
2V
8
1.5 V
1V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
8
4
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72859
S- 40582 -REV 。 A， 29 -MAR -04
www.vishay.com
2
Si3445ADV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.20
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
2000
Vishay Siliconix公司
电容
V
GS
= 1.8 V
0.12
C
电容（pF）
0.16
1600
C
国际空间站
1200
C
OSS
0.08
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
800
C
RSS
400
0.04
0.00
0
4
8
12
16
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 4 V
I
D
= 5.8 A
4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.8 A
3
2
1
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
总栅极电荷（ NC）
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.20
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.16
I
D
= 5.8 A
0.12
I
D
= 0.2 A
0.08
I
S
源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.04
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72859
S- 40582 -REV 。 A， 29 -MAR -04
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3
Si3445ADV
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.3
阈值电压
25
单脉冲功率
0.2
V GS （ TH）方差（V ）
I
D
= 250
mA
20
0.0
功率（W）的
0.1
15
10
0.1
5
0.2
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
2
10
1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
P（吨）= 0.01
1
I
D（上）
有限
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
100
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
0.1
P（吨） = 10
dc
0.01
0.1
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72859
S- 40582 -REV 。 A， 29 -MAR -04
Si3445ADV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 72859
S- 40582 -REV 。 A， 29 -MAR -04
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