Si3443DV
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-20
–––
–––
–––
–––
-0.60
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
-0.005 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
0.034 0.065
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -4.4A
0.053 0.090
V
GS
= -2.7V ，我
D
= -3.7A
0.060 0.100
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -3.5A
––– -1.2
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
12 –––
S
V
DS
= -10V ，我
D
= -4.4 A
––– -1.0
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
A
––– -5.0
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 70°C
––– -100
V
GS
= -12V
nA
––– 100
V
GS
= 12V
11
15
I
D
= -4.4A
2.2 –––
nC
V
DS
= -10V
2.9 –––
V
GS
= -4.5V
12
50
V
DD
= -10V, V
GS
= -4.5V
33
60
I
D
= -1.0A
ns
70 100
R
G
= 6.0
72 100
R
D
= 10
,
1079 –––
V
GS
= 0V
220 –––
pF
V
DS
= -10V
152 –––
= 1.0MHz的
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
51
30
-2.0
A
-20
-1.2
77
44
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.7A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.7A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
5sec.
起始物为
J
= 25℃时，L = 6.8mH
R
G
= 25, I
AS
= -3.0A.
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
2
www.irf.com
Si3443DV
2001年4月
Si3443DV
P沟道2.5V指定PowerTrench MOSFET
概述
这种P沟道2.5V指定MOSFET产生
采用飞兆半导体先进的PowerTrench过程
特别是针对已最大限度地减少通态
性，但保持低栅极电荷
出色的开关性能。
这些设备旨在提供卓越的
在一个非常小的足迹功耗
应用中，较大的包是不实际的。
特点
-4 A ， -20 V.
DS （ ON）
= 0.065
@ V
GS
= -4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.100
@ V
GS
= -2.5 V
快速开关速度。
低栅极电荷（ 7.2nC典型值） 。
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
.
SuperSOT
TM
-6包：占地面积小（ 72 ％小
比标准的SO- 8 ） ;低调（ 1mm厚） 。
应用
负荷开关
电池保护
电源管理
D
D
S
1
6
2
5
SuperSOT
TM
-6
D
D
G
3
4
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
评级
-20
（注1 ）
（注1A ）
（注1A ）
（注1B ）
单位
V
V
A
W
°C
±8
-4
-20
1.6
0.8
-55到+150
功率消耗单操作
工作和存储结温范围
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
° C / W
° C / W
包装纲要和订货信息
器件标识
.443
设备
Si3443DV
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
Si3443DV ， REV A
Si3443DV
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= -250
A
I
D
= -250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
民
-20
典型值
最大单位
V
开关特性
-16
-1
100
-100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
A
I
D
= -250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -4 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -4 A ，T
J
=125°C
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -3.2 A
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -5 V，I
D
= -4 A
-0.4
-0.7
2.5
0.054
0.076
0.077
-1.5
V
毫伏/°C的
0.065
0.105
0.100
I
D（上）
g
FS
-10
9
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
640
180
90
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= -10 V，I
D
= -1 A
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
11
19
26
35
20
30
42
55
10
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -10 V，I
D
= -4 A
V
GS
= -4.5 V,
7.2
1.7
1.6
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -1.3 A
（注2 ）
-1.3
-0.75
-1.2
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为焊料安装面
的漏针。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
安装在一个1.0时）， 78℃ / W的
2
垫的2盎司铜。
二）上安装的2 oz.copper最小垫时为156℃ / W 。
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
Si3443DV ， REV A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
星* POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
牧师H1
Si3443DV
Vishay Siliconix公司
P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.065 @ V
GS
= –4.5 V
–20
20
0.090 @ V
GS
= –2.7 V
0.100 @ V
GS
= –2.5 V
I
D
(A)
"4.4
"3.7
"3.5
(4) S
TSOP-6
顶视图
1
6
(3) G
3 mm
2
5
3
4
(1, 2, 5, 6) D
P沟道MOSFET
2.85 mm
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 70_C
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
"3.5
"20
–1.7
2.0
W
1.3
-55到150
_C
A
符号
V
DS
V
GS
极限
–20
"12
"4.4
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
5秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 70713
S- 54948 -REV 。 B， 29月， 97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
极限
62.5
单位
° C / W
2-1
Si3443DV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= –20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= –5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –4.4 A
漏源导通电阻
a
I S
O 4 S
R I
r
DS （ ON）
V
GS
= -2.7 V，I
D
= –3.7 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –3.5 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= -10 V，I
D
= –4.4 A
I
S
= -1.7 A，V
GS
= 0 V
–15
0.058
0.080
0.087
10
–1.2
0.065
0.090
0.100
S
V
W
–0.6
"100
–1
–5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -10 V ，R
L
= 10
W
10 V,
I
D
^
-1.0 A，V
根
= -4.5 V R
G
= 6
W
10A
4 5 V,
V
DS
= –10 V, V
GS
= -4.5 V I
D
= –4.4 A
10 V
4 5 V,
44
8.5
2.8
1.7
15
32
57
40
40
50
60
100
80
80
ns
15
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70713
S- 54948 -REV 。 B， 29月， 97
Si3443DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
3V
16
V
GS
= 5, 4.5, 4, 3.5 V
I D - 漏电流（ A）
2.5 V
12
I D - 漏电流（ A）
125_C
12
25_C
8
16
20
T
C
= –55_C
传输特性
8
2V
4
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
4
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.20
1500
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.16
- 电容（pF ）
1200
C
国际空间站
0.12
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 2.7 V
900
0.08
V
GS
= 4.5 V
600
C
OSS
0.04
300
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 4.4 A
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
3
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
4
1.4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 4.4 A
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70713
S- 54948 -REV 。 B， 29月， 97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-3
Si3443DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.20
导通电阻与栅极至源极电压
10
I S - 源电流（ A）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.16
0.12
I
D
= 4.4 A
0.08
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.04
1
0
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.6
25
单脉冲功率
0.4
V GS （ TH）方差（V ）
20
0.0
功率（W）的
0.2
I
D
= 250
mA
15
10
–0.2
5
–0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.10
时间（秒）
1.00
10.00
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-4
文档编号： 70713
S- 54948 -REV 。 B， 29月， 97
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
QQ：2881677436 复制
