Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.057 @ V
GS
= 4.5 V
0.090 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
4.2
3.4
TSOP-6
顶视图
1
3 mm
6
5
(3) G
4
(1, 2, 5, 6) D
2
3
2.85 mm
(4) S
N沟道MOSFET
订购信息： Si3442BDV -T1 -E3
标识代码：
2Bxxx
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
20
"12
4.2
3.4
20
1.4
1.67
1.07
稳定状态
单位
V
3.0
2.4
A
0.72
0.86
0.55
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
5秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 72504
S- 40424 -REV 。 C， 15 -MAR -04
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
75
120
70
最大
100
145
85
单位
° C / W
C / W
1
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D( )
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 5 V, V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.4 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 4.0 A
I
S
= 1.6 A，V
GS
= 0 V
10
4
0.045
0.070
11.3
0.75
1.2
0.057
0.090
W
S
V
0.6
1.8
"100
1
5
V
nA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
A
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.6 A ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.0 A
3
0.65
0.95
2.7
35
50
20
15
30
55
75
30
25
60
ns
W
5
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通3.5 V
16
I
D
漏电流（ A）
3V
I
D
漏电流（ A）
16
25_C
12
125_C
20
T
C
=
55_C
传输特性
12
2.5 V
8
8
4
2V
1.5 V
0
1
2
3
4
5
4
0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72504
S- 40424 -REV 。 C， 15 -MAR -04
2
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.14
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 2.5 V
C
电容（pF）
480
400
320
240
160
80
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
C
OSS
C
国际空间站
电容
V
GS
= 4.5 V
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 4 A
4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.2
1.4
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 4 A
3
1.0
2
1
0.8
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
T
J
= 150_C
I
S
源电流（ A）
1
0.20
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.16
I
D
= 4 A
0.12
0.1
T
J
= 25_C
0.08
0.01
0.04
0.001
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72504
S- 40424 -REV 。 C， 15 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.3
0.2
0.1
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
50
0
0.01
2
功率（W）的
4
I
D
= 250
mA
6
T
A
= 25_C
单脉冲
8
单脉冲功率
25
0
25
50
75
100
125
150
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
10
ms
100
ms
10
I
D
漏电流（ A）
1
1毫秒
10毫秒
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
100毫秒
DC ， 100秒，10秒， 1秒
0.01
0.1
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 120 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72504
S- 40424 -REV 。 C， 15 -MAR -04
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.057 @ V
GS
= 4.5 V
0.090 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
4.2
3.4
TSOP-6
顶视图
1
3 mm
6
5
(3) G
4
(1, 2, 5, 6) D
2
3
2.85 mm
(4) S
N沟道MOSFET
订购信息： Si3442BDV -T1 -E3
标识代码：
2Bxxx
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
20
"12
4.2
3.4
20
1.4
1.67
1.07
稳定状态
单位
V
3.0
2.4
A
0.72
0.86
0.55
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
5秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 72504
S- 40424 -REV 。 C， 15 -MAR -04
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
75
120
70
最大
100
145
85
单位
° C / W
C / W
1
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D( )
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 5 V, V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.4 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 4.0 A
I
S
= 1.6 A，V
GS
= 0 V
10
4
0.045
0.070
11.3
0.75
1.2
0.057
0.090
W
S
V
0.6
1.8
"100
1
5
V
nA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
A
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.6 A ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.0 A
3
0.65
0.95
2.7
35
50
20
15
30
55
75
30
25
60
ns
W
5
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通3.5 V
16
I
D
漏电流（ A）
3V
I
D
漏电流（ A）
16
25_C
12
125_C
20
T
C
=
55_C
传输特性
12
2.5 V
8
8
4
2V
1.5 V
0
1
2
3
4
5
4
0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72504
S- 40424 -REV 。 C， 15 -MAR -04
2
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.14
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 2.5 V
C
电容（pF）
480
400
320
240
160
80
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
C
OSS
C
国际空间站
电容
V
GS
= 4.5 V
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 4 A
4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.2
1.4
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 4 A
3
1.0
2
1
0.8
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
T
J
= 150_C
I
S
源电流（ A）
1
0.20
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.16
I
D
= 4 A
0.12
0.1
T
J
= 25_C
0.08
0.01
0.04
0.001
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72504
S- 40424 -REV 。 C， 15 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.3
0.2
0.1
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
50
0
0.01
2
功率（W）的
4
I
D
= 250
mA
6
T
A
= 25_C
单脉冲
8
单脉冲功率
25
0
25
50
75
100
125
150
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
10
ms
100
ms
10
I
D
漏电流（ A）
1
1毫秒
10毫秒
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
100毫秒
DC ， 100秒，10秒， 1秒
0.01
0.1
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 120 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72504
S- 40424 -REV 。 C， 15 -MAR -04
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.057 @ V
GS
= 4.5 V
0.090 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
4.2
3.4
TSOP-6
顶视图
1
3 mm
6
5
(3) G
4
(1, 2, 5, 6) D
2
3
2.85 mm
(4) S
N沟道MOSFET
订购信息： Si3442BDV -T1 -E3
标识代码：
2Bxxx
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
20
"12
4.2
3.4
20
1.4
1.67
1.07
稳定状态
单位
V
3.0
2.4
A
0.72
0.86
0.55
55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
5秒。
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 72504
S- 40424 -REV 。 C， 15 -MAR -04
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
75
120
70
最大
100
145
85
单位
° C / W
C / W
1
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D( )
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 5 V, V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.4 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 4.0 A
I
S
= 1.6 A，V
GS
= 0 V
10
4
0.045
0.070
11.3
0.75
1.2
0.057
0.090
W
S
V
0.6
1.8
"100
1
5
V
nA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
A
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.6 A ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.0 A
3
0.65
0.95
2.7
35
50
20
15
30
55
75
30
25
60
ns
W
5
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通3.5 V
16
I
D
漏电流（ A）
3V
I
D
漏电流（ A）
16
25_C
12
125_C
20
T
C
=
55_C
传输特性
12
2.5 V
8
8
4
2V
1.5 V
0
1
2
3
4
5
4
0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72504
S- 40424 -REV 。 C， 15 -MAR -04
2
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.14
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 2.5 V
C
电容（pF）
480
400
320
240
160
80
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
C
OSS
C
国际空间站
电容
V
GS
= 4.5 V
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 4 A
4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.2
1.4
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 4 A
3
1.0
2
1
0.8
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
T
J
= 150_C
I
S
源电流（ A）
1
0.20
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.16
I
D
= 4 A
0.12
0.1
T
J
= 25_C
0.08
0.01
0.04
0.001
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72504
S- 40424 -REV 。 C， 15 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.3
0.2
0.1
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
50
0
0.01
2
功率（W）的
4
I
D
= 250
mA
6
T
A
= 25_C
单脉冲
8
单脉冲功率
25
0
25
50
75
100
125
150
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
100
安全工作区
r
DS （ ON）
有限
I
DM
有限
10
ms
100
ms
10
I
D
漏电流（ A）
1
1毫秒
10毫秒
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
1
10
100毫秒
DC ， 100秒，10秒， 1秒
0.01
0.1
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 120 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72504
S- 40424 -REV 。 C， 15 -MAR -04
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(Ω)
0.057在V
GS
= 4.5 V
0.090在V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
4.2
3.4
RoHS指令
柔顺
TSOP-6
TOP V IEW
1
6
(1, 2, 5, 6) D
3 mm
2
5
(3) G
3
4
2.85 mm
订货信息：
Si3442BDV -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
标识代码：
2Bxxx
(4) S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.4
1.67
1.07
- 55 150
4.2
3.4
20
0.72
0.86
0.55
W
°C
5s
20
± 12
3.0
2.4
A
稳定状态
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在FR4板，T
≤
5 s.
通过万维网SPICE模型的信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm 。
t
≤
5s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
75
120
70
最大
100
145
85
° C / W
单位
文档编号： 72504
S- 71947 -REV 。 D， 10 09月07
www.vishay.com
1
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.6 A ， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 6
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.0 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
295
75
45
3
0.65
0.95
2.7
35
50
20
15
30
55
75
30
25
60
ns
Ω
5
nC
pF
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70 °C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 5 V, V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.4 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 4.0 A
I
S
= 1.6 A，V
GS
= 0 V
10
4
0.045
0.070
11.3
0.75
1.2
0.057
0.090
0.6
1.8
± 100
1
5
V
nA
A
A
Ω
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
20
V
GS
= 5通3.5 V
T
C
= - 55 °C
20
16
3V
I
D
- 漏电流（ A）
16
25 °C
12
125 °C
8
I
D
- 漏电流（ A）
12
2.5 V
8
4
2V
1.5 V
4
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
www.vishay.com
2
传输特性
文档编号： 72504
S- 71947 -REV 。 D， 10 09月07
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
4
I
D
-
8
12
16
20
80
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
C
OSS
V
GS
= 2.5 V
- 电容（pF ）
480
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
400
C
国际空间站
320
240
V
GS
= 4.5 V
160
漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 4 A
4
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.2
1.4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 4 A
电容
3
1.0
2
0.8
1
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
0.20
导通电阻与结温
10
1
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
T
J
= 150 °C
I
S
- 源电流（ A）
0.16
I
D
= 4 A
0.12
0.1
T
J
= 25 °C
0.08
0.01
0.04
0.001
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 72504
S- 71947 -REV 。 D， 10 09月07
www.vishay.com
3
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.3
0.2
0.1
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
- 0.1
- 0.2
- 0.3
- 0.4
- 0.5
- 0.6
- 50
0
0.01
2
功率（W）的
I
D
= 250 A
6
T
A
= 25 °C
单脉冲
4
8
- 25
0
25
50
75
100
T
J
- 温度（℃ ）
125
150
0.1
1
时间（s）
10
100
600
阈值电压
100
r
DS （ ON）
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
I
DM
有限
10 s
单脉冲功率
100 s
1
1毫秒
10毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
100毫秒
DC ， 100秒，10秒， 1秒
0.01
0.1
BV
DSS
有限
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
100
安全工作区
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 120 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10-
4
10-
3
10-
2
10-
1
1
方波脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
-
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?72504 。
www.vishay.com
4
文档编号： 72504
S- 71947 -REV 。 D， 10 09月07
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
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应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
R
DS （ ON）
(Ω)
0.057在V
GS
= 4.5 V
0.090在V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
4.2
3.4
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
符合RoHS指令2002/95 / EC
TSOP-6
顶视图
1
6
(1, 2, 5, 6) D
3 mm
2
5
(3) G
3
4
2.85 mm
订货信息：
Si3442BDV -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si3442BDV -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
标识代码：
2Bxxx
(4) S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.4
1.67
1.07
- 55 150
4.2
3.4
20
0.72
0.86
0.55
W
°C
5s
20
± 12
3.0
2.4
A
稳定状态
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意：
一。表面安装在FR4板，T
≤
5 s.
t
≤
5s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
75
120
70
最大
100
145
85
° C / W
单位
文档编号： 72504
S09-2110 -REV 。 E， 12 - OCT- 09
www.vishay.com
1
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.6 A ， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 6
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.0 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
295
75
45
3
0.65
0.95
2.7
35
50
20
15
30
55
75
30
25
60
ns
Ω
5
nC
pF
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70 °C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 5 V, V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.4 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 4.0 A
I
S
= 1.6 A，V
GS
= 0 V
10
4
0.045
0.070
11.3
0.75
1.2
0.057
0.090
0.6
1.8
± 100
1
5
V
nA
A
A
Ω
S
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
20
V
GS
= 5 V通3.5 V
T
C
= - 55 °C
16
I
D
- 漏电流（ A）
3V
I
D
- 漏电流（ A）
16
25 °C
12
125 °C
8
20
12
2.5 V
8
4
2V
1.5 V
4
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
www.vishay.com
2
传输特性
文档编号： 72504
S09-2110 -REV 。 E， 12 - OCT- 09
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.14
0.12
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
0.10
0.08
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.04
0.02
0.00
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 2.5 V
480
400
320
C
国际空间站
240
160
C
OSS
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
80
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 4 A
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.2
（归一化）
1.4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 4 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
3
1.0
2
0.8
1
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
10
0.20
导通电阻与结温
I
S
- 源电流（ A）
1
T
J
= 150 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.16
I
D
= 4 A
0.12
T
J
= 25 °C
0.1
0.08
0.01
0.04
0.001
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 72504
S09-2110 -REV 。 E， 12 - OCT- 09
www.vishay.com
3
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.3
0.2
0.1
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250 A
0.0
- 0.1
- 0.2
- 0.3
- 0.4
- 0.5
- 0.6
- 50
0
0.01
2
功率（W）的
6
T
A
= 25 °C
单脉冲
4
8
- 25
0
25
50
75
100
T
J
- 温度（℃ ）
125
150
0.1
1
时间（s）
10
100
600
阈值电压
100
限于由R
DS （ ON） *
10
I
D
- 漏电流（ A）
I
DM
有限
10 s
单脉冲功率
100 s
1
1毫秒
10毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
100毫秒
1 s, 10 s
100秒， DC
BVDSS有限公司
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 120 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10-
4
10-
3
10-
2
10-
1
1
方波脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
-
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
www.vishay.com/ppg?72504.
www.vishay.com
4
文档编号： 72504
S09-2110 -REV 。 E， 12 - OCT- 09
包装信息
Vishay Siliconix公司
TSOP ： 5/6 - LEAD
JEDEC编号： MO- 193C
e1
e1
5
4
6
5
4
E
1
1
E
1
E
1
E
2
3
-B-
2
3
-B-
e
b
0.15 M C B A
e
b
0.15 M C B A
5引脚TSOP
-A-
6引脚TSOP
4x 1
R
A
2
A
R
0.17参考
c
L
2
D
压力表飞机
座位
飞机
0.08
C
座位
飞机
L
4x 1
(L
1
)
-C-
A
1
MILLIMETERS
暗淡
A
A
1
A
2
b
c
D
E
E
1
e
e
1
L
L
1
L
2
R
民
0.91
0.01
0.90
0.30
0.10
2.95
2.70
1.55
英寸
民
0.036
0.0004
0.035
0.012
0.004
0.116
0.106
0.061
喃
-
-
-
0.32
0.15
3.05
2.85
1.65
0.95 BSC
最大
1.10
0.10
1.00
0.45
0.20
3.10
2.98
1.70
喃
-
-
0.038
0.013
0.006
0.120
0.112
0.065
0.0374 BSC
最大
0.043
0.004
0.039
0.018
0.008
0.122
0.117
0.067
1.80
0.32
1.90
-
0.60 REF
0.25 BSC
2.00
0.50
0.071
0.012
0.075
-
0.024参考
0.010 BSC
0.079
0.020
0.10
0
-
4
-
8
0.004
0
-
4
7喃
-
8
7喃
1
ECN ： C- 06593 -REV 。我， 18日-12月06
DWG ： 5540
文档编号： 71200
18-Dec-06
www.vishay.com
1
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
R
DS （ ON）
(Ω)
0.057在V
GS
= 4.5 V
0.090在V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
4.2
3.4
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
符合RoHS指令2002/95 / EC
TSOP-6
顶视图
1
6
(1, 2, 5, 6) D
3 mm
2
5
(3) G
3
4
2.85 mm
订货信息：
Si3442BDV -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si3442BDV -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
标识代码：
2Bxxx
(4) S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.4
1.67
1.07
- 55 150
4.2
3.4
20
0.72
0.86
0.55
W
°C
5s
20
± 12
3.0
2.4
A
稳定状态
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意：
一。表面安装在FR4板，T
≤
5 s.
t
≤
5s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
75
120
70
最大
100
145
85
° C / W
单位
文档编号： 72504
S09-2110 -REV 。 E， 12 - OCT- 09
www.vishay.com
1
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.6 A ， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 6
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.0 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
295
75
45
3
0.65
0.95
2.7
35
50
20
15
30
55
75
30
25
60
ns
Ω
5
nC
pF
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70 °C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 5 V, V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.4 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 4.0 A
I
S
= 1.6 A，V
GS
= 0 V
10
4
0.045
0.070
11.3
0.75
1.2
0.057
0.090
0.6
1.8
± 100
1
5
V
nA
A
A
Ω
S
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
20
V
GS
= 5 V通3.5 V
T
C
= - 55 °C
16
I
D
- 漏电流（ A）
3V
I
D
- 漏电流（ A）
16
25 °C
12
125 °C
8
20
12
2.5 V
8
4
2V
1.5 V
4
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
www.vishay.com
2
传输特性
文档编号： 72504
S09-2110 -REV 。 E， 12 - OCT- 09
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.14
0.12
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
0.10
0.08
0.06
V
GS
= 4.5 V
0.04
0.02
0.00
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 2.5 V
480
400
320
C
国际空间站
240
160
C
OSS
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
80
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 4 A
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.2
（归一化）
1.4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 4 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
3
1.0
2
0.8
1
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
10
0.20
导通电阻与结温
I
S
- 源电流（ A）
1
T
J
= 150 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.16
I
D
= 4 A
0.12
T
J
= 25 °C
0.1
0.08
0.01
0.04
0.001
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 72504
S09-2110 -REV 。 E， 12 - OCT- 09
www.vishay.com
3
Si3442BDV
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.3
0.2
0.1
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250 A
0.0
- 0.1
- 0.2
- 0.3
- 0.4
- 0.5
- 0.6
- 50
0
0.01
2
功率（W）的
6
T
A
= 25 °C
单脉冲
4
8
- 25
0
25
50
75
100
T
J
- 温度（℃ ）
125
150
0.1
1
时间（s）
10
100
600
阈值电压
100
限于由R
DS （ ON） *
10
I
D
- 漏电流（ A）
I
DM
有限
10 s
单脉冲功率
100 s
1
1毫秒
10毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
100毫秒
1 s, 10 s
100秒， DC
BVDSS有限公司
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 120 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10-
4
10-
3
10-
2
10-
1
1
方波脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
-
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
www.vishay.com/ppg?72504.
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4
文档编号： 72504
S09-2110 -REV 。 E， 12 - OCT- 09
包装信息
Vishay Siliconix公司
TSOP ： 5/6 - LEAD
JEDEC编号： MO- 193C
e1
e1
5
4
6
5
4
E
1
1
E
1
E
1
E
2
3
-B-
2
3
-B-
e
b
0.15 M C B A
e
b
0.15 M C B A
5引脚TSOP
-A-
6引脚TSOP
4x 1
R
A
2
A
R
0.17参考
c
L
2
D
压力表飞机
座位
飞机
0.08
C
座位
飞机
L
4x 1
(L
1
)
-C-
A
1
MILLIMETERS
暗淡
A
A
1
A
2
b
c
D
E
E
1
e
e
1
L
L
1
L
2
R
民
0.91
0.01
0.90
0.30
0.10
2.95
2.70
1.55
英寸
民
0.036
0.0004
0.035
0.012
0.004
0.116
0.106
0.061
喃
-
-
-
0.32
0.15
3.05
2.85
1.65
0.95 BSC
最大
1.10
0.10
1.00
0.45
0.20
3.10
2.98
1.70
喃
-
-
0.038
0.013
0.006
0.120
0.112
0.065
0.0374 BSC
最大
0.043
0.004
0.039
0.018
0.008
0.122
0.117
0.067
1.80
0.32
1.90
-
0.60 REF
0.25 BSC
2.00
0.50
0.071
0.012
0.075
-
0.024参考
0.010 BSC
0.079
0.020
0.10
0
-
4
-
8
0.004
0
-
4
7喃
-
8
7喃
1
ECN ： C- 06593 -REV 。我， 18日-12月06
DWG ： 5540
文档编号： 71200
18-Dec-06
www.vishay.com
1
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