Si3433
新产品
Vishay Siliconix公司
P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.042 @ V
GS
= - 4.5 V
- 20
0.057 @ V
GS
= - 2.5 V
0.080 @ V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
- 5.6
- 4.8
- 4.1
(4) S
TSOP-6
顶视图
1
6
(3) G
3 mm
2
5
3
4
(1, 2, 5, 6) D
P沟道MOSFET
2.85 mm
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续二极管电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 85_C
I
DM
I
S
- 1.7
2.0
1.0
- 55 150
- 4.1
- 20
- 0.9
1.1
0.6
W
_C
- 3.1
A
符号
V
DS
V
GS
5秒
稳定状态
- 20
"8
单位
V
- 5.6
- 4.3
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71160
S- 00624 -REV 。 A， 03 -APR- 00
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
45
90
25
最大
62.5
110
30
单位
° C / W
C / W
2-1
Si3433
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= - 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 5.6 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 4.8 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 1 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 5.6 A
I
S
= - 1.7 A，V
GS
= 0 V
- 20
0.025
0.048
0.066
16
- 0.7
- 1.2
0.042
0.057
0.080
S
V
W
- 0.45
"100
-1
-5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 5.6 A
11.5
3
1.7
18
25
80
45
30
36
50
160
90
50
ns
17
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
20
传输特性
T
C
= - 55_C
16
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
16
25_C
12
2V
12
125_C
8
8
4
1.5 V
1V
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71160
S- 00624 -REV 。 A， 03 -APR- 00
www.vishay.com
2-2
Si3433
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.15
V
GS
= 1.8 V
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
- 电容（pF ）
0.12
2000
C
国际空间站
1500
2500
Vishay Siliconix公司
电容
0.09
0.06
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
1000
0.03
500
C
OSS
C
RSS
0
4
8
12
16
20
0.00
0
4
8
12
16
20
0
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 5.6 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.6 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
6
9
12
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
3
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.12
0.15
导通电阻与栅极至源极电压
0.09
I
D
= 5.6 A
0.06
0.03
T
J
= 25_C
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71160
S- 00624 -REV 。 A， 03 -APR- 00
www.vishay.com
2-3
Si3433
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
30
单脉冲功率
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
功率（W）的
24
18
T
A
= 25_C
12
0.1
0.0
6
- 0.1
- 0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-2
10
-1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 360_C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
2-4
文档编号： 71160
S- 00624 -REV 。 A， 03 -APR- 00
Si3433
新产品
Vishay Siliconix公司
P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.042 @ V
GS
= - 4.5 V
- 20
0.057 @ V
GS
= - 2.5 V
0.080 @ V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
- 5.6
- 4.8
- 4.1
(4) S
TSOP-6
顶视图
1
6
(3) G
3 mm
2
5
3
4
(1, 2, 5, 6) D
P沟道MOSFET
2.85 mm
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续二极管电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 85_C
I
DM
I
S
- 1.7
2.0
1.0
- 55 150
- 4.1
- 20
- 0.9
1.1
0.6
W
_C
- 3.1
A
符号
V
DS
V
GS
5秒
稳定状态
- 20
"8
单位
V
- 5.6
- 4.3
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71160
S- 00624 -REV 。 A， 03 -APR- 00
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
45
90
25
最大
62.5
110
30
单位
° C / W
C / W
2-1
Si3433
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= - 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 5.6 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 4.8 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 1 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 5.6 A
I
S
= - 1.7 A，V
GS
= 0 V
- 20
0.025
0.048
0.066
16
- 0.7
- 1.2
0.042
0.057
0.080
S
V
W
- 0.45
"100
-1
-5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 5.6 A
11.5
3
1.7
18
25
80
45
30
36
50
160
90
50
ns
17
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
20
传输特性
T
C
= - 55_C
16
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
16
25_C
12
2V
12
125_C
8
8
4
1.5 V
1V
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71160
S- 00624 -REV 。 A， 03 -APR- 00
www.vishay.com
2-2
Si3433
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.15
V
GS
= 1.8 V
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
- 电容（pF ）
0.12
2000
C
国际空间站
1500
2500
Vishay Siliconix公司
电容
0.09
0.06
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
1000
0.03
500
C
OSS
C
RSS
0
4
8
12
16
20
0.00
0
4
8
12
16
20
0
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 5.6 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.6 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
6
9
12
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
3
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.12
0.15
导通电阻与栅极至源极电压
0.09
I
D
= 5.6 A
0.06
0.03
T
J
= 25_C
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71160
S- 00624 -REV 。 A， 03 -APR- 00
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2-3
Si3433
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
30
单脉冲功率
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
功率（W）的
24
18
T
A
= 25_C
12
0.1
0.0
6
- 0.1
- 0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-2
10
-1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 360_C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
2-4
文档编号： 71160
S- 00624 -REV 。 A， 03 -APR- 00
Si3433
新产品
Vishay Siliconix公司
P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.042 @ V
GS
= - 4.5 V
- 20
0.057 @ V
GS
= - 2.5 V
0.080 @ V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
- 5.6
- 4.8
- 4.1
(4) S
TSOP-6
顶视图
1
6
(3) G
3 mm
2
5
3
4
(1, 2, 5, 6) D
P沟道MOSFET
2.85 mm
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续二极管电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
I
D
T
A
= 85_C
I
DM
I
S
- 1.7
2.0
1.0
- 55 150
- 4.1
- 20
- 0.9
1.1
0.6
W
_C
- 3.1
A
符号
V
DS
V
GS
5秒
稳定状态
- 20
"8
单位
V
- 5.6
- 4.3
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71160
S- 00624 -REV 。 A， 03 -APR- 00
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
45
90
25
最大
62.5
110
30
单位
° C / W
C / W
2-1
Si3433
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= - 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 5.6 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 4.8 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 1 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 5.6 A
I
S
= - 1.7 A，V
GS
= 0 V
- 20
0.025
0.048
0.066
16
- 0.7
- 1.2
0.042
0.057
0.080
S
V
W
- 0.45
"100
-1
-5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 5.6 A
11.5
3
1.7
18
25
80
45
30
36
50
160
90
50
ns
17
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 5通2.5 V
20
传输特性
T
C
= - 55_C
16
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
16
25_C
12
2V
12
125_C
8
8
4
1.5 V
1V
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71160
S- 00624 -REV 。 A， 03 -APR- 00
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2-2
Si3433
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.15
V
GS
= 1.8 V
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
- 电容（pF ）
0.12
2000
C
国际空间站
1500
2500
Vishay Siliconix公司
电容
0.09
0.06
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
1000
0.03
500
C
OSS
C
RSS
0
4
8
12
16
20
0.00
0
4
8
12
16
20
0
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 5.6 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.6 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
6
9
12
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
3
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.12
0.15
导通电阻与栅极至源极电压
0.09
I
D
= 5.6 A
0.06
0.03
T
J
= 25_C
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71160
S- 00624 -REV 。 A， 03 -APR- 00
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2-3
Si3433
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
30
单脉冲功率
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
0.2
功率（W）的
24
18
T
A
= 25_C
12
0.1
0.0
6
- 0.1
- 0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-2
10
-1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 360_C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
2-4
文档编号： 71160
S- 00624 -REV 。 A， 03 -APR- 00
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