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Si3424DV
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.028 @ V
GS
= 10 V
0.038 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
6.7
5.7
(1, 2, 5, 6) D
TSOP-6
顶视图
1
6
(3) G
3 mm
2
5
3
4
(4) S
N沟道MOSFET
2.85 mm
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
5秒
30
"20
6.7
稳定状态
单位
V
5.0
4.0
30
A
1.0
1.14
0.73
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5.4
1.7
2.0
1.3
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71317
S- 02157 -REV 。 A， 02 - OCT- 00
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
40
90
25
最大
62.5
110
30
单位
° C / W
C / W
1
Si3424DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.7A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.7A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.7A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
30
0.023
0.032
14
0.8
1.2
0.028
0.038
S
V
0.8
"100
1
5
V
nA
mA
m
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 6.7 A
11.5
1.6
3.2
7
10
20
11
40
15
20
40
20
80
ns
18
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10直通5 V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
4V
I
D
- 漏极电流（ A）
24
30
T
C
= –55_C
25_C
125_C
18
传输特性
18
12
3V
12
6
2V
0
0
1
2
3
4
6
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 71317
S- 02157 -REV 。 A， 02 - OCT- 00
Si3424DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.05
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
800
Vishay Siliconix公司
电容
- 电容（pF ）
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.03
V
GS
= 10 V
0.02
600
C
国际空间站
400
C
OSS
200
0.01
C
RSS
0.00
0
5
10
15
20
25
30
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.7 A
8
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.7 A
1.4
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
6
9
12
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
3
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
100
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.04
I
S
- 源电流（ A）
0.03
I
D
= 6.7 A
0.02
10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71317
S- 02157 -REV 。 A， 02 - OCT- 00
www.vishay.com
3
Si3424DV
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
50
单脉冲功率
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
–0.0
功率（W）的
40
30
–0.2
20
–0.4
10
–0.6
–0.8
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71317
S- 02157 -REV 。 A， 02 - OCT- 00
Si3424DV
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.028 @ V
GS
= 10 V
0.038 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
6.7
5.7
(1, 2, 5, 6) D
TSOP-6
顶视图
1
6
(3) G
3 mm
2
5
3
4
(4) S
N沟道MOSFET
2.85 mm
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
5秒
30
"20
6.7
稳定状态
单位
V
5.0
4.0
30
A
1.0
1.14
0.73
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5.4
1.7
2.0
1.3
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71317
S- 02157 -REV 。 A， 02 - OCT- 00
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
40
90
25
最大
62.5
110
30
单位
° C / W
C / W
1
Si3424DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.7A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.7A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.7A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
30
0.023
0.032
14
0.8
1.2
0.028
0.038
S
V
0.8
"100
1
5
V
nA
mA
m
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
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DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
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= 10 V，I
D
= 6.7 A
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1.6
3.2
7
10
20
11
40
15
20
40
20
80
ns
18
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10直通5 V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
4V
I
D
- 漏极电流（ A）
24
30
T
C
= –55_C
25_C
125_C
18
传输特性
18
12
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12
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2V
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0
1
2
3
4
6
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 71317
S- 02157 -REV 。 A， 02 - OCT- 00
Si3424DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.05
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
800
Vishay Siliconix公司
电容
- 电容（pF ）
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.03
V
GS
= 10 V
0.02
600
C
国际空间站
400
C
OSS
200
0.01
C
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0.00
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25
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25
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I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
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I
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1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.7 A
1.4
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
6
9
12
1.2
4
1.0
2
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0
3
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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150
T
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100
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导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
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0.04
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S
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0.03
I
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10
T
J
= 150_C
T
J
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1
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1.4
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4
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10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71317
S- 02157 -REV 。 A， 02 - OCT- 00
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3
Si3424DV
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
50
单脉冲功率
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
–0.0
功率（W）的
40
30
–0.2
20
–0.4
10
–0.6
–0.8
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
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10
–3
10
–2
10
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1
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
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2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
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单脉冲
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10
–4
10
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10
–1
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方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
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= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
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STK22C48-WF35
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    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
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15+
99000
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电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
SI3424DV
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24+
18650
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