【Si2343DSVishay Siliconix公司P通道30 -V （D -S ）的MOSFET产】,IC型号SI2343DS-T1-E3,SI2343DS-T1-E3 PDF资料,SI2343DS-T1-E3经销商,ic,电子元器件-51电子网

Si2343DS

Vishay Siliconix公司

P通道30 -V （D -S ）的MOSFET

产品概述

(V)

- 30

DS （ ON）

(Ω)

0.053在V

= - 10 V

0.086在V

= - 4.5 V

(A)

- 4.0

- 3.1

特点

无卤符合IEC 61249-2-21

可用的

TrenchFET

功率MOSFET

应用

- 负荷开关

PA的开关

TO-236

(SOT-23)

顶视图

Si2343DS （ F3 ） *

*标识代码

订货信息：

Si2343DS-T1

Si2343DS -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）

Si2343DS -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

= 150 °C)

A，B

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

A，B

最大功率耗散

A，B

工作结存储温度范围

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

符号

, T

英镑

- 1.0

1.25

0.8

- 55 150

- 4.0

- 3.2

- 15

- 0.6

0.75

0.48

°C

稳定状态

- 30

± 20

- 3.1

- 2.5

单位

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

最大结到脚（漏极）

注意事项：

一。表面安装在1" X 1" FR4板。

B 。脉冲宽度有限的最高结温。

≤

稳定状态

符号

thJA

thJF

典型

120

最大

100

166

° C / W

单位

*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免

文档编号： 72079

S09-0133 -REV 。 B， 02 - 09

www.vishay.com

Si2343DS

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

= 25 ℃，除非另有说明

范围

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关

开启时间

打开-O FF时间

D（上）

D（关闭）

= - 15 V ，R

= 15

- 1.0 A，V

根

= - 10 V

= 6

国际空间站

OSS

RSS

= - 15 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

= - 15 V, V

= - 10 V

- 4.0 A

1.9

3.7

540

131

105

（ BR ） DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

= 0 V，I

= - 250 A

= V

, I

= - 250 A

= 0 V, V

= ± 20 V

= - 24 V, V

= 0 V

= - 24 V, V

= 0 V ，T

= 55 °C

≤

- 5 V, V

= - 10 V

= - 10 V，I

= - 4.0 A

= - 4.5 V，I

= - 3.1 A

= - 5 V，I

= - 4.0 A

= - 1.0 A，V

= 0 V

- 15

0.043

0.068

- 0.7

- 1.2

0.053

0.086

- 30

-1

-3

± 100

-1

- 10

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

注意事项：

一。脉冲测试： PW

≤

300微秒，占空比

≤

2 %.

B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。

。开关时间基本上是独立的工作温度。

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

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文档编号： 72079

S09-0133 -REV 。 B， 02 - 09

Si2343DS

Vishay Siliconix公司

典型特征

25 ℃，除非另有说明

= 10直通5 V

- 漏电流（ A）

= 125 °C

25 °C

- 55 °C

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

- 漏极至源极电压（ V）

- 栅极 - 源极电压（ V）

输出特性

0.12

1000

传输特性

0.10

DS （ ON）

- 导通电阻（ Ω ）

- 电容（pF ）

800

= 4.5 V

0.08

600

国际空间站

0.06

= 10 V

0.04

400

OSS

RSS

0.02

200

0.00

- 漏电流（ A）

- 漏极至源极电压（ V）

导通电阻与漏电流

=15 V

= 4.0 A

DS （ ON）

- 导通电阻

1.6

= 4.0 V

= 4.0 A

电容

- 栅极 - 源极电压（ V）

1.4

（归一化）

1.2

1.0

0.8

0.6

- 50

- 25

100

125

150

- 总栅极电荷（ NC）

- 结温（ ° C）

栅极电荷

导通电阻与结温

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Vishay Siliconix公司

典型特征

25 ℃，除非另有说明

0.12

0.10

DS （ ON）

- 导通电阻（ Ω ）

- 源电流（ A）

= 4.0 A

0.08

= 1 A

= 150 °C

0.06

= 25 °C

0.04

0.02

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0.00

- 源极到漏极电压（V ）

- 栅极 - 源极电压（ V）

源极 - 漏极二极管正向电压

0.6

= 250 A

0.4

GS （ TH）

方差（ V）

导通电阻与栅极至源极电压

功率（W）的

0.2

0.0

= 25 °C

- 0.2

- 0.4

- 50

- 25

100

125

150

0.01

0.1

时间（s）

100

600

- 温度（℃ ）

阈值电压

100

有限

限于由R

DS （ ON）

- 漏电流（ A）

单脉冲功率

P（吨） = 0.0001

D（上）

有限

= 25 °C

单脉冲

BVDSS有限公司

P（吨） = 0.001

P（吨）= 0.01

P（吨） = 0.1

P（吨）= 1

P（吨） = 10

0.1

0.01

0.1

100

- 漏极至源极电压（ V）

* V

>最小V

在r

DS （ ON）

为特定网络版

安全工作区

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典型特征

25 ℃，除非另有说明

占空比= 0.5

标准化的有效瞬态

热阻抗

0.2

0.1

0.05

0.02

注意事项：

1.占空比D =

2.每单位基础= R

thJA

= 120 ° C / W

3. T

- T

= P

thJA （T ）

4.表层嵌

单脉冲

0.01

-4

-3

-2

-1

100

600

方波脉冲持续时间（ S）

归瞬态热阻抗，结到环境

日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据

技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并

可靠性数据，请参见www.vishay.com/ppg?72079 。

文档编号： 72079

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只做全新原装进口假一罚十

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2023+PB

69000

SOT-23

★专业经营贴片二，三极管，桥堆★现货库存低价抛售★

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壹芯创只做原装正品现货

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20+

28000

SOT-23

3124￥/片,原装正品，价格优势

深圳市品优时代科技有限公司

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电话：0755-23612326

联系人：唐

地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室

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74390

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原装正品钻石品质假一赔十

深圳市恒佳微电子有限公司

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深圳市晶美隆科技有限公司销售一部

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电话：0755-83209630 82519391

联系人：许小姐

地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

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优势现货，只做原装正品

深圳市华创欧科技有限公司

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电话：0755-23945755 83248872

联系人：朱先生

地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

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Vishay

22+

90500

SOT-23

原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0755-23945755 QQ:3065848471

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电话：0755-83244680/82865294

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