Si2328DS
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
100
r
DS （ ON）
(W)
0.250 @ V
GS
= 10 V
I
D
(A)
1.5
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
顶视图
Si2328DS （D8） *
*标识代码
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
b
雪崩电流
b
单雪崩能量
连续源电流（二极管传导）
a
功耗
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
L = 0.1 mH的
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
5秒
100
"20
1.5
稳定状态
单位
V
1.15
0.92
6
6
1.8
0.6
mJ
A
0.73
0.47
-55到150
W
_C
A
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
1.2
1.25
P
D
T
J
, T
英镑
0.80
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大
结到环境
a
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
80
130
45
最大
100
170
55
单位
° C / W
C / W
最大结到脚
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。脉冲宽度有限的最高结温
文档编号： 71796
S- 05372 -REV 。 A， 25日-12月01
www.vishay.com
1
Si2328DS
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
V(
BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
15 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 1.5 A
I
S
= 1.0 A，V
GS
= 0 V
6
0.195
4
0.8
1.2
0.250
100
2
"100
1
75
mA
m
A
W
S
V
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
= 50 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A
3.3
0.47
1.45
4.0
nC
开关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.5 A ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 50 V ，R
L
= 33
W
I
D
^
0.2 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
7
11
9
10
50
11
17
15
15
100
ns
ns
笔记
一。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
12
V
GS
= 10, 9, 8 V
9
I
D
- 漏极电流（ A）
6V
6
I
D
- 漏极电流（ A）
7V
12
传输特性
9
6
3
3, 2, 1 V
5V
T
C
= 125_C
3
25_C
4V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
–55_C
6
8
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71796
S- 05372 -REV 。 A， 25日-12月01
2
Si2328DS
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
250
Vishay Siliconix公司
电容
0.5
- 电容（pF ）
200
C
国际空间站
150
0.4
V
GS
= 10 V
0.3
100
0.2
0.1
50
C
RSS
0
20
40
C
OSS
0.0
0
3
6
I
D
- 漏极电流（ A）
9
12
0
60
80
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 1.5 A
16
2.5
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.5 A
2.0
12
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2
3
4
5
6
1.5
8
1.0
4
0.5
0
0
1
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.6
导通电阻与栅极至源极电压
1
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.5
I
D
= 1.5 A
I
S
- 源电流（ A）
0.4
0.3
0.1
T
J
= 25_C
0.2
0.1
0.01
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71796
S- 05372 -REV 。 A， 25日-12月01
www.vishay.com
3
Si2328DS
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
12
10
I
D
= 250
mA
功率（W）的
0.0
8
T
A
= 25_C
6
单脉冲功率
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.3
–0.6
4
–0.9
2
–1.2
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 176 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71796
S- 05372 -REV 。 A， 25日-12月01
Si2328DS
Vishay Siliconix公司
N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
100
特点
I
D
(A)
1.5
r
DS （ ON）
(W)
0.250 @ V
GS
= 10 V
D
100% R
g
经过测试
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
顶视图
Si2328DS （D8） *
*标识代码
订购信息： Si2328DS -T1
Si2328DS -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
b
雪崩电流
b
单雪崩能量
连续源电流（二极管传导）
a
功耗
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
L = 0 1毫亨
0.1
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
100
"20
1.5
1.2
6
6
1.8
0.6
1.25
0.80
稳定状态
单位
V
1.15
0.92
A
mJ
A
0.73
0.47
W
_C
55
150
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。脉冲宽度有限的最高结温
文档编号： 71796
S- 41259 -REV 。 C， 05 -JUL- 04
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
80
130
45
最大
100
170
55
单位
° C / W
C / W
1
Si2328DS
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
V(
BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
15 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 1.5 A
I
S
= 1.0 A，V
GS
= 0 V
6
0.195
4
0.8
1.2
0.250
100
2
4
"100
1
75
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
0.5
V
DS
= 50 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A
3.3
0.47
1.45
2.4
W
4.0
nC
开关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.5 A ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 50 V ，R
L
= 33
W
I
D
^
0.2 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
7
11
9
10
50
11
17
15
15
100
ns
ns
笔记
一。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
12
V
GS
= 10, 9, 8 V
9
I
D
漏电流（ A）
6V
6
I
D
漏电流（ A）
7V
12
传输特性
9
6
3
3, 2, 1 V
0
0
2
4
6
8
5V
3
T
C
= 125_C
25_C
4V
0
10
0
2
4
55_C
6
8
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71796
S- 41259 -REV 。 C， 05 -JUL- 04
2
Si2328DS
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.6
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.5
0.4
V
GS
= 10 V
0.3
0.2
0.1
0.0
0
3
6
I
D
漏电流（ A）
9
12
C
电容（pF）
250
电容
200
C
国际空间站
150
100
50
C
RSS
0
20
40
C
OSS
0
60
80
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
20
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 50 V
I
D
= 1.5 A
16
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
2.0
2.5
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.5 A
12
1.5
8
1.0
4
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
导通电阻与栅极至源极电压
1
T
J
= 150_C
0.1
T
J
= 25_C
0.01
0.0
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
D
= 1.5 A
I
S
源电流（ A）
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71796
S- 41259 -REV 。 C， 05 -JUL- 04
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3
Si2328DS
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
功率（W）的
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
50
8
6
4
2
T
A
= 25_C
12
10
单脉冲功率
0
25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
温度（℃）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 176 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71796
S- 41259 -REV 。 C， 05 -JUL- 04
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
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其中，适用于这些产品。
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文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
Si2328DS
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
100
r
DS （ ON）
(W)
0.250 @ V
GS
= 10 V
I
D
(A)
1.5
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
顶视图
Si2328DS （D8） *
*标识代码
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
b
雪崩电流
b
单雪崩能量
连续源电流（二极管传导）
a
功耗
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
L = 0.1 mH的
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
5秒
100
"20
1.5
稳定状态
单位
V
1.15
0.92
6
6
1.8
0.6
mJ
A
0.73
0.47
-55到150
W
_C
A
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
1.2
1.25
P
D
T
J
, T
英镑
0.80
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大
结到环境
a
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
80
130
45
最大
100
170
55
单位
° C / W
C / W
最大结到脚
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。脉冲宽度有限的最高结温
文档编号： 71796
S- 05372 -REV 。 A， 25日-12月01
www.vishay.com
1
Si2328DS
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
V(
BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
15 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 1.5 A
I
S
= 1.0 A，V
GS
= 0 V
6
0.195
4
0.8
1.2
0.250
100
2
"100
1
75
mA
m
A
W
S
V
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
= 50 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A
3.3
0.47
1.45
4.0
nC
开关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.5 A ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 50 V ，R
L
= 33
W
I
D
^
0.2 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
7
11
9
10
50
11
17
15
15
100
ns
ns
笔记
一。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
12
V
GS
= 10, 9, 8 V
9
I
D
- 漏极电流（ A）
6V
6
I
D
- 漏极电流（ A）
7V
12
传输特性
9
6
3
3, 2, 1 V
5V
T
C
= 125_C
3
25_C
4V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
–55_C
6
8
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71796
S- 05372 -REV 。 A， 25日-12月01
2
Si2328DS
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
250
Vishay Siliconix公司
电容
0.5
- 电容（pF ）
200
C
国际空间站
150
0.4
V
GS
= 10 V
0.3
100
0.2
0.1
50
C
RSS
0
20
40
C
OSS
0.0
0
3
6
I
D
- 漏极电流（ A）
9
12
0
60
80
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 1.5 A
16
2.5
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.5 A
2.0
12
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2
3
4
5
6
1.5
8
1.0
4
0.5
0
0
1
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.6
导通电阻与栅极至源极电压
1
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.5
I
D
= 1.5 A
I
S
- 源电流（ A）
0.4
0.3
0.1
T
J
= 25_C
0.2
0.1
0.01
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71796
S- 05372 -REV 。 A， 25日-12月01
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3
Si2328DS
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
12
10
I
D
= 250
mA
功率（W）的
0.0
8
T
A
= 25_C
6
单脉冲功率
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.3
–0.6
4
–0.9
2
–1.2
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 176 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71796
S- 05372 -REV 。 A， 25日-12月01
Si2328DS
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
100
r
DS （ ON）
(W)
0.250 @ V
GS
= 10 V
I
D
(A)
1.5
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
顶视图
Si2328DS （D8） *
*标识代码
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
b
雪崩电流
b
单雪崩能量
连续源电流（二极管传导）
a
功耗
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
L = 0.1 mH的
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
5秒
100
"20
1.5
稳定状态
单位
V
1.15
0.92
6
6
1.8
0.6
mJ
A
0.73
0.47
-55到150
W
_C
A
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
1.2
1.25
P
D
T
J
, T
英镑
0.80
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大
结到环境
a
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
80
130
45
最大
100
170
55
单位
° C / W
C / W
最大结到脚
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。脉冲宽度有限的最高结温
文档编号： 71796
S- 05372 -REV 。 A， 25日-12月01
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1
Si2328DS
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
V(
BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
15 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 1.5 A
I
S
= 1.0 A，V
GS
= 0 V
6
0.195
4
0.8
1.2
0.250
100
2
"100
1
75
mA
m
A
W
S
V
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
= 50 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A
3.3
0.47
1.45
4.0
nC
开关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.5 A ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 50 V ，R
L
= 33
W
I
D
^
0.2 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
7
11
9
10
50
11
17
15
15
100
ns
ns
笔记
一。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
12
V
GS
= 10, 9, 8 V
9
I
D
- 漏极电流（ A）
6V
6
I
D
- 漏极电流（ A）
7V
12
传输特性
9
6
3
3, 2, 1 V
5V
T
C
= 125_C
3
25_C
4V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
–55_C
6
8
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71796
S- 05372 -REV 。 A， 25日-12月01
2
Si2328DS
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
250
Vishay Siliconix公司
电容
0.5
- 电容（pF ）
200
C
国际空间站
150
0.4
V
GS
= 10 V
0.3
100
0.2
0.1
50
C
RSS
0
20
40
C
OSS
0.0
0
3
6
I
D
- 漏极电流（ A）
9
12
0
60
80
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 1.5 A
16
2.5
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.5 A
2.0
12
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2
3
4
5
6
1.5
8
1.0
4
0.5
0
0
1
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.6
导通电阻与栅极至源极电压
1
T
J
= 150_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.5
I
D
= 1.5 A
I
S
- 源电流（ A）
0.4
0.3
0.1
T
J
= 25_C
0.2
0.1
0.01
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71796
S- 05372 -REV 。 A， 25日-12月01
www.vishay.com
3
Si2328DS
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
12
10
I
D
= 250
mA
功率（W）的
0.0
8
T
A
= 25_C
6
单脉冲功率
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.3
–0.6
4
–0.9
2
–1.2
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 176 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
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4
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S- 05372 -REV 。 A， 25日-12月01
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