新产品
Si2316BDS
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(Ω)
0.050在V
GS
= 10 V
0.080在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
4.5
3.16 NC
3.4
Q
g
（典型值）
特点
TrenchFET
功率MOSFET
PWM优化
100 % R
g
经过测试
RoHS指令
柔顺
应用
- 电池开关
DC / DC转换器
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
顶视图
Si2316DS
(M6)*
*标识代码
订货信息：
Si2316BDS-T1-E3
（铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
30
± 20
4.5
3.6
3.9
B，C
3.13
B，C
20
1.39
1.04
B，C
1.66
1.06
1.25
B，C
0.8
B，C
- 55 150
单位
V
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
A
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
I
DM
I
S
最大功率耗散
P
D
W
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
°C
热电阻额定值
参数
≤
5秒
最大结点到环境
B，D
最大结到脚（漏极）
稳定状态
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 t为5秒。
。在稳态条件下最大为130 ° C / W 。
文档编号： 70445
S- 71330 -REV 。 A， 02 -JUL- 07
符号
R
thJA
R
thJF
典型
80
60
最大
100
75
单位
° C / W
www.vishay.com
1
新产品
Si2316BDS
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 2.0 A ， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 2.0 A
0.8
10
4
6.6
3.5
ns
T
C
= 25 °C
1.39
20
1.2
15
6
A
V
ns
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 6.25
Ω
I
D
=
2.4 A，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 1
Ω
V
DD
= 15 V ，R
L
= 4.8
Ω
I
D
3.13 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 3.9 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.9 A
350
65
37
6.35
3.16
1.56
1.1
2.6
4.5
11
12
7
20
65
11
23
3.9
6.75
16.5
18
10.5
30
98
17
35
ns
ns
Ω
9.6
4.8
nC
pF
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
DS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.9 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.3 A
V
DS
= 15V ，我
D
= 3.9 A
20
0.041
0.064
6
0.050
0.080
1
30
23.92
5.2
3
± 100
1
10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 70445
S- 71330 -REV 。 A， 02 -JUL- 07
新产品
Si2316BDS
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
20
V
GS
= 10直通5 V
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
15
3
2
10
V
GS
= 4 V
5
1
T
J
= 25 °C
V
GS
= 3 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
T
J
= 125 °C
T
J
= - 55 °C
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.20
500
传输特性
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.16
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5 V
0.12
400
300
C
国际空间站
0.08
V
GS
= 10 V
200
C
OSS
100
0.04
0.00
0
4
8
12
16
20
0
0
C
RSS
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 3.9 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
V
DS
= 16 V
6
1.6
1.8
电容
V
GS
= 10 V，I
D
=
3.9
A
1.4
1.2
V
GS
= 4.5 V，I
D
=
3.3
A
1.0
4
V
DS
= 24 V
2
0.8
0
0
2
4
6
8
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 70445
S- 71330 -REV 。 A， 02 -JUL- 07
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3
新产品
Si2316BDS
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
r
DS （ ON）
- 漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）
0.12
I
D
= 4.1 A
0.09
T
A
= 125 °C
0.06
10
I
S
- 源电流（ A）
1
T
J
= 150 °C
0.1
T
J
= 25 °C
0.03
T
A
= 25 °C
0.01
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
2.6
10
导通电阻与栅极至源极电压
2.4
8
2.2
V
GS （ TH）
(V)
I
D
= 250
A
2.0
功率（W）的
6
T
A
= 25 °C
单脉冲
4
1.8
2
1.6
1.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
T
J
- 温度（℃ ）
1
10
时间（秒）
100
600
阈值电压
100
*r
DS （ ON）
有限
10
I
D
- 漏电流（ A）
10毫秒
1
100毫秒
1s
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
10 s
dc
0.01
单脉冲功率
0.001
0.1
*V
GS
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区
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4
文档编号： 70445
S- 71330 -REV 。 A， 02 -JUL- 07
新产品
Si2316BDS
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
5
2.0
4
I
D
- 漏电流（ A）
1.6
3
动力
1.2
2
0.8
1
0.4
0
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
功率降额，结到脚
*本
功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
0.02
t
2
1.占空比D =
3. T
JM
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10-
4
10-
3
10-
2
10-
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?70445
文档编号： 70445
S- 71330 -REV 。 A， 02 -JUL- 07
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
