新产品
Si2309CDS
Vishay Siliconix公司
P通道60 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 60
R
DS （ ON）
(Ω)
0.345在V
GS
= - 10 V
0.450在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
d
- 1.6
- 1.4
Q
g
（典型值）。
2.7 NC
特点
无卤素选项可用
TrenchFET
功率MOSFET
应用
- 负荷开关
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
S
2
G
顶视图
Si2309CDS
(N9)*
*标识代码
订货信息：
Si2309CDS -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si2309CDS -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
D
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
A，B
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲（ 10 μs的脉冲宽度）
单脉冲雪崩电流
连续源极 - 漏极二极管电流
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
最大功率耗散
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
c
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
AS
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
- 60
± 20
- 1.6
- 1.3
- 1.2
A，B
- 1.0
A，B
-8
-5
- 1.4
- 0.9
A，B
1.7
1.1
1.0
A，B
0.67
A，B
- 55 150
260
°C
W
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
A，C
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。 T = 5秒。
。在稳态条件下最大为166 ° C / W 。
。当T
C
= 25 °C.
文档编号： 68936
S- 82584 -REV 。 A， 27 - OCT- 08
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1
t
≤
5s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
92
58
最大
120
73
单位
° C / W
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Si2309CDS
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= - 1.25 ，的di / dt = 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= - 0.75 A，V
GS
= 0 V
- 0.8
30
33
18
12
T
C
= 25 °C
- 1.4
-8
- 1.2
60
60
A
V
ns
nC
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= - 30 V ，R
L
= 30
Ω
I
D
- 1 ，V
根
= - 10 V ，R
g
= 1
Ω
V
DD
= - 30 V ，R
L
= 30
Ω
I
D
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= - 30 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 1.25 A
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
210
28
20
2.7
0.8
1.2
7
40
35
15
10
5
10
15
10
60
55
25
20
10
20
25
20
ns
Ω
4.1
nC
pF
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≤
5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 1.25 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 1.0 A
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 1.0 A
-6
0.285
0.360
2.8
0.345
0.450
-1
- 60
- 65
4.5
-3
- 100
-1
- 10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 68936
S- 82584 -REV 。 A， 27 - OCT- 08
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Si2309CDS
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
8
V
GS
= 10直通5
V
2.0
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 4
V
4
I
D
- 漏电流（ A）
6
1.5
1.0
2
V
GS
= 3
V
0
0
1
2
3
4
5
0.5
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
0.0
0
1
2
3
T
C
= - 55 °C
4
5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.8
350
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
280
0.6
V
GS
= 4.5
V
0.4
V
GS
= 10
V
- 电容（pF ）
210
C
国际空间站
140
0.2
70
C
RSS
0.0
0
2
4
I
D
- 漏电流（ A）
6
8
0
0
15
30
45
60
C
OSS
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 1.25 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
8
V
DS
= 15
V
6
V
DS
= 30
V
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.7
2.0
I
D
= 1.25 A
电容
V
GS
= 10
V
（归一化）
1.4
V
GS
= 4.5
V
1.1
4
V
DS
= 45
V
2
0.8
0
0
1
2
3
4
5
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
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导通电阻与结温
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3
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Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
2.0
I
D
= 1.25 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
10
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
1.6
1.2
0.1
T
J
= - 50 °C
0.01
0.8
T
J
= 125 °C
0.4
T
J
= 25 °C
0.001
0.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.6
I
D
= 250
A
0.4
6
V
GS （ TH）
方差
(V)
0.2
功率（W）的
I
D
= 1毫安
8
导通电阻与栅极至源极电压
T
A
= 25 °C
4
0.0
2
- 0.2
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
1000
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
10
有限
by
R
DS （ ON） *
单脉冲功率，结到环境
10
s
I
D
- 漏电流（ A）
1
100
s
1毫秒
10毫秒
0.1
100毫秒
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
1 s, 10 s
100秒， DC
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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文档编号： 68936
S- 82584 -REV 。 A， 27 - OCT- 08
新产品
Si2309CDS
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
1
占空比= 0.5
归
有效的瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 166 ° C / W
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
10
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
100
1000
归瞬态热阻抗，结到环境
1
占空比= 0.5
归
有效的瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 73 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
4.表层嵌
1
10
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到脚
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?68980 。
文档编号： 68936
S- 82584 -REV 。 A， 27 - OCT- 08
www.vishay.com
5
QQ：2881677436 复制
