Si2305DS
Vishay Siliconix公司
P沟道1.25 W， 1.8 V（G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
–8
8
r
DS （ ON）
(W)
0.052 @ V
GS
= –4.5 V
0.071 @ V
GS
= –2.5 V
0.108 @ V
GS
= –1.8 V
I
D
(A)
"3.5
"3
"2
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
S
2
D
顶视图
Si2305DS （A5） *
*标识代码
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
150 C)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散）
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
–8
"8
"3.5
"2.8
"12
–1.6
1.25
0.8
-55到150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
t
v
5秒
稳定状态
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v5
美国证券交易委员会。
文档编号： 70833
S- 56947 -REV 。 C， 28日-12月98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
典型
最大
100
单位
° C / W
130
2-1
Si2305DS
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= –10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= –6.4 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –6.4 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –2.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –3.5 A
漏源 R I
I S
导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –3 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= –2 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
g
fs
V
SD
V
DS
= -5 V，I
D
= –3.5 A
I
S
= -1.6 A，V
GS
= 0 V
–6
A
–3
0.044
0.060
0.087
8.5
–1.2
0.052
0.071
0.108
S
V
W
–8
V
–0.45
"100
–1
–10
nA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
通态漏电流
a
I
D（上）
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= –4 V V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
4 V,
0
MH
V
DS
= –4 V V
GS
= –4.5 V
4 V,
45
I
D
^
–3.5 A
3.5
10
2
2
1245
375
210
F
pF
15
nC
C
开关
b
开启时间
t
D（上）
t
r
打开-O FF时间
t
D（关闭）
t
f
笔记
a.
b.
c.
对于设计辅助工具而已，不受生产测试。
脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
开关时间基本上是独立的工作温度。
V
DD
= -4 V R
L
= 4
W
4 V,
I
D
^
-1.0 A，V
根
= –4.5 V
R
G
= 6
W
13
25
55
19
20
40
ns
80
35
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70833
S- 56947 -REV 。 C， 28日-12月98
Si2305DS
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
12
V
GS
= 4.5直通2.5 V
10
2V
12
T
C
= –55_C
10
25_C
I
D
- 漏极电流（ A）
8
I
D
- 漏极电流（ A）
8
125_C
6
传输特性
6
1.5 V
4
4
2
1, 0.5 V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.30
2000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.25
- 电容（pF ）
1600
C
国际空间站
1200
0.20
0.15
V
GS
= 1.8 V
0.10
V
GS
= 2.5 V
800
C
OSS
400
0.05
V
GS
= 4.5 V
0
0
2
4
6
8
10
12
C
RSS
0
0
2
4
6
8
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 4 V
I
D
= 3.5 A
1.4
导通电阻与结温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.5 A
1.2
3
1.0
2
0.8
1
0
0
2
4
6
8
10
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70833
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www.vishay.com
S
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Si2305DS
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
S
- 源电流（ A）
0.4
0.3
T
J
= 150_C
1
T
J
= 25_C
0.2
I
D
= 3.5 A
0.1
0.1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0
2
4
6
8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
12
10
单脉冲功率
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
功率（W）的
8
0.1
6
0.0
4
T
A
= 25_C
–0.1
2
–0.2
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
500
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
500
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
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Si2305DS
Vishay Siliconix公司
P沟道1.25 W， 1.8 V（G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
–8
8
r
DS （ ON）
(W)
0.052 @ V
GS
= –4.5 V
0.071 @ V
GS
= –2.5 V
0.108 @ V
GS
= –1.8 V
I
D
(A)
"3.5
"3
"2
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
S
2
D
顶视图
Si2305DS （A5） *
*标识代码
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
150 C)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散）
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
–8
"8
"3.5
"2.8
"12
–1.6
1.25
0.8
-55到150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
t
v
5秒
稳定状态
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v5
美国证券交易委员会。
文档编号： 70833
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www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
典型
最大
100
单位
° C / W
130
2-1
Si2305DS
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= –10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= –6.4 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –6.4 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
DS
v
–5 V, V
GS
= –2.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –3.5 A
漏源 R I
I S
导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –3 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= –2 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
g
fs
V
SD
V
DS
= -5 V，I
D
= –3.5 A
I
S
= -1.6 A，V
GS
= 0 V
–6
A
–3
0.044
0.060
0.087
8.5
–1.2
0.052
0.071
0.108
S
V
W
–8
V
–0.45
"100
–1
–10
nA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
通态漏电流
a
I
D（上）
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= –4 V V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
4 V,
0
MH
V
DS
= –4 V V
GS
= –4.5 V
4 V,
45
I
D
^
–3.5 A
3.5
10
2
2
1245
375
210
F
pF
15
nC
C
开关
b
开启时间
t
D（上）
t
r
打开-O FF时间
t
D（关闭）
t
f
笔记
a.
b.
c.
对于设计辅助工具而已，不受生产测试。
脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
开关时间基本上是独立的工作温度。
V
DD
= -4 V R
L
= 4
W
4 V,
I
D
^
-1.0 A，V
根
= –4.5 V
R
G
= 6
W
13
25
55
19
20
40
ns
80
35
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 70833
S- 56947 -REV 。 C， 28日-12月98
Si2305DS
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
12
V
GS
= 4.5直通2.5 V
10
2V
12
T
C
= –55_C
10
25_C
I
D
- 漏极电流（ A）
8
I
D
- 漏极电流（ A）
8
125_C
6
传输特性
6
1.5 V
4
4
2
1, 0.5 V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.30
2000
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.25
- 电容（pF ）
1600
C
国际空间站
1200
0.20
0.15
V
GS
= 1.8 V
0.10
V
GS
= 2.5 V
800
C
OSS
400
0.05
V
GS
= 4.5 V
0
0
2
4
6
8
10
12
C
RSS
0
0
2
4
6
8
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 4 V
I
D
= 3.5 A
1.4
导通电阻与结温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.5 A
1.2
3
1.0
2
0.8
1
0
0
2
4
6
8
10
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70833
S- 56947 -REV 。 C， 28日-12月98
www.vishay.com
S
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Si2305DS
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
S
- 源电流（ A）
0.4
0.3
T
J
= 150_C
1
T
J
= 25_C
0.2
I
D
= 3.5 A
0.1
0.1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0
2
4
6
8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
12
10
单脉冲功率
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
功率（W）的
8
0.1
6
0.0
4
T
A
= 25_C
–0.1
2
–0.2
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
500
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
500
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-4
文档编号： 70833
S- 56947 -REV 。 C， 28日-12月98
Si2305DS
Vishay Siliconix公司
P沟道1.25 W， 1.8 V（G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
-8
R
DS （ ON）
(Ω)
0.052在V
GS
= - 4.5 V
0.071在V
GS
= - 2.5 V
0.108在V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
± 3.5
±3
±2
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
可用的
TrenchFET
功率MOSFET ： 1.8 V额定
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
顶视图
Si2305DS （A5） *
*标识代码
订货信息：
Si2305DS-T1
Si2305DS -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si2305DS -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
-8
±8
± 3.5
± 2.8
± 12
- 1.6
1.25
0.8
- 55 150
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
注意事项：
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
≤
5 s.
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
文档编号： 70833
S09-0133 -REV 。 E， 02 - 09
www.vishay.com
1
t
≤
5s
稳定状态
符号
R
thJA
典型
130
最大
100
单位
° C / W
Si2305DS
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= - 10 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
DS
= - 8 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 8 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≤
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
DS
≤
- 5 V, V
GS
= - 2.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 3.5 A
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
b
开启时间
打开-O FF时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= - 4 V ，R
L
= 4
Ω
I
D
- 1.0 A，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
Ω
13
25
55
19
20
40
80
35
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= - 4 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= - 4 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
- 3.5 A
10
2
2
1245
375
210
pF
15
nC
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 3 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 2 A
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 3.5 A
I
S
= - 1.6 A，V
GS
= 0 V
-6
-3
0.044
0.060
0.087
8.5
- 1.2
0.052
0.071
0.108
S
V
Ω
-8
- 0.45
- 0.8
± 100
-1
- 10
V
nA
A
A
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 70833
S09-0133 -REV 。 E， 02 - 09
Si2305DS
Vishay Siliconix公司
典型特征
12
V
GS
= 4.5直通2.5 V
10
I
D
- 漏电流（ A）
25 ° C，除非otherwse注意
12
2V
T
C
= - 55 °C
10
25 °C
I
D
- 漏电流（ A）
8
8
125 °C
6
6
1.5 V
4
4
2
1 V, 0.5 V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.30
2000
传输特性
0.25
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
1600
C
国际空间站
1200
0.20
0.15
V
GS
= 1.8 V
0.10
V
GS
= 2.5 V
800
C
OSS
400
C
RSS
0.05
V
GS
= 4.5 V
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
2
4
6
8
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
5
V
DS
= 4 V
I
D
= 3.5 A
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.2
（归一化）
1.4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.5 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
3
1.0
2
0.8
1
0
0
2
4
6
8
10
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- T的otal栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 70833
S09-0133 -REV 。 E， 02 - 09
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3
Si2305DS
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ° C，除非otherwse注意
30
0.5
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
10
I
S
- 源电流（ A）
0.4
0.3
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0.2
I
D
= 3.5 A
0.1
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1.2
0
0
2
4
6
8
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.4
12
导通电阻与栅极至源极电压
0.3
I
D
= 250 A
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
功率（W）的
10
8
0.1
6
0.0
4
T
A
= 25 °C
- 0.1
2
- 0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
T
J
- 温度（℃ ）
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
500
阈值电压
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
单脉冲功率
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（ S）
10
100
500
归瞬态热阻抗，结到环境
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见www.vishay.com/ppg?70833 。
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4
文档编号： 70833
S09-0133 -REV 。 E， 02 - 09
包装信息
Vishay Siliconix公司
SOT- 23 （ TO- 236 ） ： 3引脚
b
3
E
1
1
2
E
S
e
1
e
D
0.10 mm
A
A
2
0.004"
座位
飞机
A
1
C
L
L
1
C
C
q
0.25 mm
压力表飞机
座位
飞机
暗淡
A
A
1
A
2
b
c
D
E
E
1
e
e
1
L
L
1
S
q
ECN ： S- 03946 -REV 。 K， 09 -JUL- 01
DWG ： 5479
MILLIMETERS
民
0.89
0.01
0.88
0.35
0.085
2.80
2.10
1.20
0.95 BSC
1.90 BSC
0.40
0.64 REF
0.50参考
3°
8°
3°
0.60
0.016
英寸
最大
1.12
0.10
1.02
0.50
0.18
3.04
2.64
1.40
民
0.035
0.0004
0.0346
0.014
0.003
0.110
0.083
0.047
0.0374参考
参考0.0748
最大
0.044
0.004
0.040
0.020
0.007
0.120
0.104
0.055
0.024
0.025 REF
0.020 REF
8°
文档编号： 71196
09-Jul-01
www.vishay.com
1
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