Si2304BDS
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.070在V
GS
= 10 V
0.105在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
3.2
2.6
Q
g
（典型值）。
2.6
特点
无卤素选项可用
RoHS指令
柔顺
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
顶视图
Si2304BDS （L4） *
*标识代码
订货信息：
Si2304BDS -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si2304BDS -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
0.9
1.08
0.69
- 55 150
3.2
2.5
10
0.62
0.75
0.48
W
°C
5s
30
± 20
2.6
2.1
A
稳定状态
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在FR4板，T
≤
5 s.
B 。脉冲宽度有限的最高结温。
。表面安装在FR4板。
t
≤
5s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
90
130
60
最大
115
166
75
° C / W
单位
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 72503
S- 80642 -REV 。 D， 24 -MAR -08
www.vishay.com
1
Si2304BDS
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
导通状态漏极
当前
a
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gt
Q
gs
Q
gd
R
g
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
Ω
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
F = 1.0 MHz的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
= 30 V, V
GS
= 1.0 V，T
J
= 25 °C
V
DS
≥
4.5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.0 A
V
DS
= 4.5 V，I
D
= 2.5 A
I
S
= 1.25 A，V
GS
= 0 V
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 2.5 A
6
0.055
0.080
6.0
0.8
2.6
4.6
0.8
1.15
3.0
225
50
28
7.5
12.5
19
15
12
20
30
25
ns
pF
Ω
1.2
4
7
nC
0.070
0.105
30
1.5
3.0
± 100
0.5
10
1
A
Ω
S
V
A
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
动态
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
注意事项：
一。脉冲测试： PW
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
V
GS
= 10直通5 V
8
8
I
D
- 漏电流（ A）
10
I
D
- 漏电流（ A）
6
6
4
4V
2
3V
0
0
2
4
6
8
10
4
T
C
= 125 °C
2
25 °C
- 55 °C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
www.vishay.com
2
传输特性
文档编号： 72503
S- 80642 -REV 。 D， 24 -MAR -08
Si2304BDS
Vishay Siliconix公司
典型特征
0.24
25 ℃，除非另有说明
350
300
250
200
150
100
C
OSS
50
0
C
RSS
C
国际空间站
0.20
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
0.16
0.12
V
GS
= 4.5 V
0.08
V
GS
= 10 V
0.04
0.00
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 2.5 A
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.4
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
（归一化）
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
10
0.20
导通电阻与结温
I
S
- 源电流（ A）
1
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
T
J
= 150 °C
0.16
I
D
= 2.5 A
0.12
0.1
T
J
= 25 °C
0.08
0.01
0.04
0.001
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 72503
S- 80642 -REV 。 D， 24 -MAR -08
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3
Si2304BDS
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.4
10
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250 A
0.0
功率（W）的
8
6
T
A
= 25 °C
单脉冲
- 0.2
4
- 0.4
2
- 0.6
- 0.8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
T
J
- 温度（℃ ）
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
600
阈值电压
100
限于由R
DS （ ON） *
10
I
D
- 漏电流（ A）
I
DM
有限
10 s
100 s
1
1毫秒
10毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
100毫秒
单脉冲功率
DC ， 100秒，10秒， 1秒
0.01
0.1
BV
DSS
有限
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
＆ GT ;
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10-
4
10-
3
10-
2
10-
1
1
方波脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?72503 。
www.vishay.com
4
文档编号： 72503
S- 80642 -REV 。 D， 24 -MAR -08
法律免责声明
日前，Vishay
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文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
www.vishay.com
1
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