Si2302CDS
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
R
DS （ ON）
(Ω)
0.057在V
GS
= 4.5 V
0.075在V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
2.9
2.6
Q
g
（典型值）。
3.5
特点
无卤素选项可用
TrenchFET
功率MOSFET
应用
负载开关，用于便携式设备
DC / DC转换器
TO-236
(SOT-23)
RoHS指令
柔顺
G
1
3
D
S
2
顶视图
Si2302CDS （N 2） *
*标识代码
订货信息：
Si2302CDS -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si2302CDS -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
b
连续源电流（二极管传导）
a
功耗
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
0.72
0.86
0.55
- 55 150
2.9
2.3
10
0.6
0.71
0.46
W
°C
5s
20
±8
2.6
2.1
A
稳定状态
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。脉冲宽度有限的最高结温。
t
≤
5s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
120
140
62
最大
145
175
78
° C / W
单位
文档编号： 68645
S- 81007 -REV 。 A， 05 08年5月
www.vishay.com
1
Si2302CDS
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
开关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
I
F
= 3.6 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 10 V ，R
L
= 2.78
Ω
I
D
3.6 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
8
7
30
7
8.5
2.0
15
15
45
15
15
4.0
nC
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
F = 1.0 MHz的
2.0
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.6 A
3.5
0.6
0.45
4.0
8.0
Ω
5.5
nC
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70 °C
V
DS
≥
10 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.6 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.1 A
V
DS
= 5 V，I
D
= 3.6 A
I
S
= 0.95 ，V
GS
= 0 V
6
0.045
0.056
13
0.7
1.2
0.057
0.075
20
0.40
0.85
± 100
1
75
V
nA
A
A
Ω
S
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试：脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
V
GS
= 5通2
V
8
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 1.5
V
I
D
- 漏电流（ A）
8
10
6
6
4
4
T
C
= 25 °C
2
T
C
= 125 °C
T
C
= - 55 °C
2
V
GS
= 1
V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
www.vishay.com
2
传输特性
文档编号： 68645
S- 81007 -REV 。 A， 05 08年5月
Si2302CDS
Vishay Siliconix公司
典型特征
2.0
25 ℃，除非另有说明
0.070
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
1.6
I
D
- 漏电流（ A）
0.060
V
GS
= 2.5
V
1.2
0.050
V
GS
= 4.5
V
0.8
T
C
= 25 °C
0.4
T
C
= 125 °C
0.0
0.0
T
C
= - 55 °C
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.040
0.030
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
400
C
国际空间站
320
- 电容（pF ）
5
导通电阻与漏电流
I
D
= 3.6 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
4
V
DS
= 10
V
V
DS
= 15
V
3
V
DS
= 5
V
2
240
160
C
OSS
80
C
RSS
0
0
5
10
15
20
1
0
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
电容
1.6
V
GS
= 2.5
V,
I
D
= 3.1 A
1.4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
I
S
- 源电流（ A）
10
100
栅极电荷
T
J
= 150 °C
1
（归一化）
1.2
V
GS
= 4.5
V,
I
D
= 3.6 A
1.0
0.1
T
J
= 25 °C
0.8
0.01
T
J
= - 55 °C
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
文档编号： 68645
S- 81007 -REV 。 A， 05 08年5月
www.vishay.com
3
Si2302CDS
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.12
0.2
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.1
0.10
V
GS （ TH）
方差
(V)
0.0
0.08
T
J
= 125 °C
- 0.1
I
D
= 1毫安
- 0.2
I
D
= 250
A
0.06
T
J
= 25 °C
0.04
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
- 0.3
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（℃ ）
导通电阻与栅极至源极电压
10
10
有限
by
R
DS （ ON） *
阈值电压
100
s
8
I
D
- 漏电流（ A）
1
1毫秒
功率（W）的
6
10毫秒
4
100毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
1s
10 s
100秒， DC
BVDSS有限公司
2
T
A
= 25 °C
0
0.01
0.01
0.1
0.1
1
时间（s）
10
100
1000
单脉冲功率
1
占空比= 0.5
归
有效的瞬态
热阻抗
100
1
10
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
注意事项：
2.每单位基础= R
thJA
= 70 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
10
4.表层嵌
100
1000
归瞬态热阻抗，结到环境
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?68645 。
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4
文档编号： 68645
S- 81007 -REV 。 A， 05 08年5月
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放弃
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文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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