MCC
TM
微型商业组件
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20736玛丽拉街查茨沃斯
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SI2302
特点
20V ， 3.0A ，R
DS （ ON）
=55m@V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
=82m@V
GS
=2.5V
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
坚固可靠
被收购无铅产品
SOT- 23封装
标识代码： S2
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
N沟道
增强型
场效应晶体管
SOT-23
A
D
最大额定值@ 25
O
C除非另有说明
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
R
JA
T
J
T
英镑
参数
漏源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
栅源电压
总功耗
热阻结到环境
b
工作结温
储存温度
等级
20
3
10
f8
1.25
100
-55到+150
-55到+150
单位
V
A
A
V
W
/W
3
1.GATE
C
B
2.源
3.排水
1
F
E
2
G
K
H
J
尺寸
英寸
民
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
民
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
内部框图
D
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
记
建议焊料
焊盘布局
G
.035
.900
.031
.800
S
.079
2.000
英寸
mm
.037
.950
.037
.950
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1
1 5
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SI2302
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 0.94A
V
DS
= 10V ，我
D
= 3.6A,
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 10V ，我
D
= 3.6A,
V
GS
= 4.5V ，R
根
= 6
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 10A
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= 8V, V
DS
= 0V
V
GS
= -8V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 50A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 3.6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 3.1A
V
DS
= 5V ，我
D
= 3.6A
0.65
55
82
8.5
237
120
45
23
11
34
36
6
1.4
1.8
0.94
1.2
45
30
70
70
10
民
20
1
100
-100
1.2
72
110
典型值
最大
单位
V
A
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
Forwand跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
开启下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
b
漏源二极管的正向电压
c
d
d
c
nA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
栅极阈值电压
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
漏源二极管特性及最大额定值
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Surface安装在FR4板，T < 10秒。
c.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计d.Guaranteed ，不受生产测试。
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订购信息
设备
（品名） -TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
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保留随时更改，恕不另行通知任何权
此产品进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
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使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利，也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
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和所有的公司
产品的代表在我们的网站上，反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
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不打算用于医学，
航空航天和军事应用。
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