Si2200
射频s
YNTHESIZER WITH
I
NTEGRATED
VCO
S
为
S
ATELLITE
R
ADIO
特点
!
双频RF合成器
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
!
!
!
!
!
!
RF1 ：二三〇〇年至2500年兆赫
RF2 ： 2025至2300年兆赫
62.5至1000MHz
!
!
IF合成器
＆ QUOT ;
集成的VCO ，环路滤波器，
变容二极管和谐振器
极少的外部元件
需要
低相位噪声
5 μA待机电流
25.7毫安典型电源电流
2.9 3.6 V工作电压
28引脚QFN
＆ QUOT ;
订货信息：
参见第28页。
无铅并符合RoHS标准
应用
!
引脚分配
卫星广播
Si2200-GM
描述
该Si2200是一个单片集成电路，它执行两个IF和RF
合成一种用于无线通信的应用程序。该Si2200包含
3压控振荡器，环路滤波器，参考和VCO分频器，相位
探测器。分频器和省电设置可编程通过
三线串行接口。
SDATA
IFOUT
SCLK
VDDI
GND
SEN
GND
28 27 26 25 24 23 22
GND
GND
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
GND
21
20
19
GND
IFLB
IFLA
GND
VDDD
GND
XIN
功能框图
GND
NC
GND
GND
18
17
16
15
XIN
参考
扩音器
动力
下
控制
÷1/÷2
÷
R
RF1
相
检测
RF1
GND
9
GND
10 11 12 13 14
AUXOUT
PWDN
RFOUT
VDDR
GND
PWDN
÷
N
RF1
÷
R
RF2
相
检测
÷
2
RFOUT
SDATA
SCLK
SEN
串行
接口
22-bit
数据
注册
RF2
÷
N
RF2
÷
R
IF
相
检测
÷
2
专利正在申请中
IFDIV
IFOUT
AUXOUT
TEST
MUX
IF
÷
N
IF
IFLA
IFLB
1.0版5/05
版权所有2005 Silicon Laboratories公司
Si2200
Si2200
T
A B L E
部分
OF
C
0：N T E TS
页面
1.电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4
2.功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2.1 。串行接口。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2.2 。设置在IF VCO中心频率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2.3 。自整定算法。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2.4 。输出频率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2.5 。 PLL环路动态特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2.6 。 RF和IF输出（ RFOUT和IFOUT ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2.7 。参考频率放大器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
2.8 。掉电模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
2.9 。辅助输出（ AUXOUT ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
3.控制寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.21
4.引脚说明： Si2200 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.27
5.订购指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
6.包装外形： Si2200 -GM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.30
1.0版
3
Si2200
1.电气连接特定的阳离子
表1.推荐工作条件
1,2
参数
工作环境温度
环境温度的功能
电源电压
电源电压差
符号
T
A
T
F
V
DD
V
(V
DDR
– V
DDD
),
(V
DDI
– V
DDD
)
测试条件
民
–40
–40
2.9
–0.3
典型值
25
25
3.3
—
最大
85
95
3.6
0.3
单位
°C
°C
V
V
注意事项：
1.
所有的最小值和最大值的保证，并应用在整个推荐的工作条件。
典型值适用于额定电源电压和25 ° C的工作温度，除非另有说明。
2.
最低及最高的规格没有跨职能的温度范围内保证。
表2.绝对最大额定值
1,2
参数
直流电源电压
输入电流
3
输入电压
3
存储温度范围
符号
V
DD
I
IN
V
IN
T
英镑
价值
-0.5到4.0
±10
-0.3到V
DD
+0.3
-55到150
单位
V
mA
V
o
C
注意事项：
1.
如果上述绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作
应限制条件为在本数据表的业务部门指定。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
2.
这个装置是用< 2 kV的ESD额定值高性能射频集成电路。处理这个和装配
设备只应在ESD保护的工作站来完成。
3.
对于信号SCLK ， SDATA ， SEN ， PWDN和XIN 。
4
1.0版
Si2200
表3.直流特性
(V
DD
= 2.7 3.6 V ，T
A
= -40 85 ℃）下
参数
总电源电流
1
RF1模式下电源电流
1
RF2模式下电源电流
1
如果mode电源电流
1
待机电流
高电平输入电压
2
低电平输入电压
2
高电平输入电流
2
低电平输入电流
2
高电平输出电压
3
低电平输出电压
3
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
V
IH
= 3.6 V,
V
DD
= 3.6 V
V
IL
= 0 V,
V
DD
=
3.6 V
I
OH
= –500 A
I
OH
= 500 A
PWDN = 0
符号
测试条件
RF1和IF操作
民
—
—
—
—
—
0.7 V
DD
—
–10
–10
V
DD
–0.4
—
典型值
28.7
19.5
18.5
10
1
—
—
—
—
—
—
最大
35
24
23
12
—
—
0.3 V
DD
10
10
—
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
A
V
V
A
A
V
V
注意事项：
1.
RF1
=
2.4 GHz的， RF2
=
2.1 GHz的， IFOUT
=
800 MHz时， LPWR
=
0.
2.
对于信号SCLK ， SDATA ， SEN和PWDN 。
3.
对于信号AUXOUT 。
1.0版
5
Si2200
射频s
YNTHESIZER WITH
I
NTEGRATED
VCO
S
为
S
ATELLITE
R
ADIO
特点
!
双频RF合成器
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
!
!
!
!
!
!
RF1 ：二三〇〇年至2500年兆赫
RF2 ： 2025至2300年兆赫
62.5至1000MHz
!
!
IF合成器
＆ QUOT ;
集成的VCO ，环路滤波器，
变容二极管和谐振器
极少的外部元件
需要
低相位噪声
5 μA待机电流
25.7毫安典型电源电流
2.9 3.6 V工作电压
28引脚QFN
＆ QUOT ;
订货信息：
参见第28页。
无铅并符合RoHS标准
应用
!
引脚分配
卫星广播
Si2200-GM
描述
该Si2200是一个单片集成电路，它执行两个IF和RF
合成一种用于无线通信的应用程序。该Si2200包含
3压控振荡器，环路滤波器，参考和VCO分频器，相位
探测器。分频器和省电设置可编程通过
三线串行接口。
SDATA
IFOUT
SCLK
VDDI
GND
SEN
GND
28 27 26 25 24 23 22
GND
GND
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
GND
21
20
19
GND
IFLB
IFLA
GND
VDDD
GND
XIN
功能框图
GND
NC
GND
GND
18
17
16
15
XIN
参考
扩音器
动力
下
控制
÷1/÷2
÷
R
RF1
相
检测
RF1
GND
9
GND
10 11 12 13 14
AUXOUT
PWDN
RFOUT
VDDR
GND
PWDN
÷
N
RF1
÷
R
RF2
相
检测
÷
2
RFOUT
SDATA
SCLK
SEN
串行
接口
22-bit
数据
注册
RF2
÷
N
RF2
÷
R
IF
相
检测
÷
2
专利正在申请中
IFDIV
IFOUT
AUXOUT
TEST
MUX
IF
÷
N
IF
IFLA
IFLB
1.0版5/05
版权所有2005 Silicon Laboratories公司
Si2200
Si2200
T
A B L E
部分
OF
C
0：N T E TS
页面
1.电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4
2.功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2.1 。串行接口。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2.2 。设置在IF VCO中心频率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2.3 。自整定算法。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2.4 。输出频率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2.5 。 PLL环路动态特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2.6 。 RF和IF输出（ RFOUT和IFOUT ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2.7 。参考频率放大器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
2.8 。掉电模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
2.9 。辅助输出（ AUXOUT ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
3.控制寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.21
4.引脚说明： Si2200 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.27
5.订购指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
6.包装外形： Si2200 -GM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.30
1.0版
3
Si2200
1.电气连接特定的阳离子
表1.推荐工作条件
1,2
参数
工作环境温度
环境温度的功能
电源电压
电源电压差
符号
T
A
T
F
V
DD
V
(V
DDR
– V
DDD
),
(V
DDI
– V
DDD
)
测试条件
民
–40
–40
2.9
–0.3
典型值
25
25
3.3
—
最大
85
95
3.6
0.3
单位
°C
°C
V
V
注意事项：
1.
所有的最小值和最大值的保证，并应用在整个推荐的工作条件。
典型值适用于额定电源电压和25 ° C的工作温度，除非另有说明。
2.
最低及最高的规格没有跨职能的温度范围内保证。
表2.绝对最大额定值
1,2
参数
直流电源电压
输入电流
3
输入电压
3
存储温度范围
符号
V
DD
I
IN
V
IN
T
英镑
价值
-0.5到4.0
±10
-0.3到V
DD
+0.3
-55到150
单位
V
mA
V
o
C
注意事项：
1.
如果上述绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作
应限制条件为在本数据表的业务部门指定。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
2.
这个装置是用< 2 kV的ESD额定值高性能射频集成电路。处理这个和装配
设备只应在ESD保护的工作站来完成。
3.
对于信号SCLK ， SDATA ， SEN ， PWDN和XIN 。
4
1.0版
Si2200
表3.直流特性
(V
DD
= 2.7 3.6 V ，T
A
= -40 85 ℃）下
参数
总电源电流
1
RF1模式下电源电流
1
RF2模式下电源电流
1
如果mode电源电流
1
待机电流
高电平输入电压
2
低电平输入电压
2
高电平输入电流
2
低电平输入电流
2
高电平输出电压
3
低电平输出电压
3
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
V
IH
= 3.6 V,
V
DD
= 3.6 V
V
IL
= 0 V,
V
DD
=
3.6 V
I
OH
= –500 A
I
OH
= 500 A
PWDN = 0
符号
测试条件
RF1和IF操作
民
—
—
—
—
—
0.7 V
DD
—
–10
–10
V
DD
–0.4
—
典型值
28.7
19.5
18.5
10
1
—
—
—
—
—
—
最大
35
24
23
12
—
—
0.3 V
DD
10
10
—
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
A
V
V
A
A
V
V
注意事项：
1.
RF1
=
2.4 GHz的， RF2
=
2.1 GHz的， IFOUT
=
800 MHz时， LPWR
=
0.
2.
对于信号SCLK ， SDATA ， SEN和PWDN 。
3.
对于信号AUXOUT 。
1.0版
5
QQ：2880707522 复制
