Si1970DH
新产品
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(Ω)
0.225在V
GS
= 4.5 V
0.345在V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
a
1.3
a
1.3
a
特点
Q
g
（典型值）
1.15 NC
TrenchFET
功率MOSFET
应用
负载开关，用于便携式应用
RoHS指令
柔顺
SOT-363
SC-70
(6-LEADS)
S
1
1
6
D
1
M
a
rking码
CD
XX
YY
G
1
2
5
G
2
G
1
很多Tr的
a
ce
ab
ILITY
a
ND
a
TE码
P
a
RT ＃代码
D
1
D
2
G
2
D
2
3
4
S
2
S
1
N沟道
a
nnel MO
S
FET
S
2
N沟道
a
nnel MO
S
FET
顶视图
订货信息：
Si1970DH-T1-E3
（铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
D，E
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
30
± 12
1.3
a
1.3
a
1.3
a
1.1
4
1.0
0.61
c
1.25
0.8
0.74
B，C
0.47
B，C
- 55 150
260
°C
W
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，F
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 t为5秒。
。在稳态条件下最大为220 ° C / W 。
文档编号： 74343
S- 62441 -REV 。 A， 27 -NOV- 06
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1
t
≤
5秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
130
80
最大
170
100
单位
° C / W
Si1970DH
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 1.1 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 1.1 A，V
GS
= 0 V
0.85
20
10
16.5
3.5
T
C
= 25 °C
1
4
1.2
40
20
A
V
ns
nC
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
r
V
DD
= 15 V ，R
L
= 13.6
Ω
I
D
1.1 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Ω
V
DD
= 15 V ，R
L
= 13.6
Ω
I
D
1.1 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 1.4 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.4 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
95
17
9
2.5
1.15
0.4
0.3
4
9
20
15
15
5
10
10
6
15
30
25
25
10
15
15
12
ns
Ω
3.8
1.7
nC
pF
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≤
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 0.29 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 1.2 A
4
0.185
0.285
2.5
0.225
0.345
0.6
30
25
- 3.2
1.6
± 100
1
10
V
毫伏/°C的
V
ns
A
A
Ω
S
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 74343
S- 62441 -REV 。 A， 27 -NOV- 06
Si1970DH
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
4
V
GS
= 5 V通
3.5
V
V
GS
=
3
V
I
D
- DR
a
在C
u
rrent （ A）
1.6
2.0
3
I
D
- DR
a
在C
u
rrent （ A）
1.2
2
V
GS
= 2.5 V
1
V
GS
= 2 V
V
GS
= 1.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.8
T
C
= 25 °C
0.4
T
C
= 125 °C
T
C
= - 55 °C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.6
150
传输特性
r
D
S
（上）
- 在铼
s
i
s
t
a
NCE （ Ω ）
0.5
C - C
a
p
a
CIT
a
NCE （PF ）
120
C
国际空间站
90
0.4
V
GS
= 2.5 V
0.3
V
GS
= 4.5 V
0.2
60
C
OSS
30
0.1
0
1
2
I
D
- 漏电流（ A）
3
4
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
V
DS
- 漏源电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
I
D
= 1.4 A
V
G
S
- G
a
TE-用于─
S
o
u
RCE伏
a
GE （ V）
1.8
电容
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.4 A
8
V
DS
= 15 V
r
D
S
（上）
- 在铼
s
i
s
t
a
的nCE
（范
a
lized ）
6
1.4
1.6
4
V
DS
= 24 V
1.2
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 0.3 A
1.0
2
0.8
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
文档编号： 74343
S- 62441 -REV 。 A， 27 -NOV- 06
导通电阻与结温
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3
Si1970DH
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
0.8
I
D
= 1.4 A
r
D
S
（上）
- 在铼
s
i
s
t
a
NCE （ Ω ）
I
S
-
S
o
u
RCE
u
rrent （ A）
T
J
= 150 °C
0.6
1.0
T
J
= 25 °C
T
A
= 125 °C
0.4
0.2
T
A
= 25 °C
0.1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
正向二极管电压
1.5
5
导通电阻与栅源电压
1.3
V
G
S
（ TH ）
V
a
ri
a
NCE （ V）
I
D
= 250
A
1.1
功率（W）的
4
3
0.9
2
0.7
1
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
10
*有限
by
r
DS （ ON）
单脉冲功率
I
D
- DR
a
在C
u
rrent （ A）
100
s
1
1毫秒
10毫秒
0.1
100毫秒
1
s
10
s
DC
BVDSS有限公司
10
100
T
A
= 25 °C
单身
脉冲
0.01
0.1
*V
GS
1
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
最小V
GS
at
其中R
DS （ ON）
is
特定网络版
安全工作区，结到环境
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4
文档编号： 74343
S- 62441 -REV 。 A， 27 -NOV- 06
Si1970DH
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
2.0
1.4
1.2
1.6
I
D
- DR
a
在C
u
rrent （ A）
包装有限公司
1.2
动力迪
ss
ip
a
TION （W）的
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0.0
25
50
75
100
125
150
0.8
0.4
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
功率降额
*本
功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上耗散更多的有用
而不能使极限情况下，额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
2
1
规范
a
lized有效Tr的
a
n
s
IENT
THERM
a
升Imped
a
的nCE
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单身
脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方
波脉冲持续时间（秒）
2.每单位基础= R
thJA
= 170 ° C / W
3.
T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.
表面
安装
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
文档编号： 74343
S- 62441 -REV 。 A， 27 -NOV- 06
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
