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Si1906DL
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
2.0 @ V
GS
= 4.5 V
2.5 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
（MA ）
250
150
SOT-363
SC - 70 （ 6引线）
标识代码
PC
G
1
D
2
2
3
5
4
G
2
S
2
XX
YY
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
S
1
1
6
D
1
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
150 C)
漏电流脉冲
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
极限
20
"8
250
200
500
0.20
0.13
-55到150
单位
V
mA
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
符号
R
thJA
极限
625
单位
° C / W
文档编号： 71305
S- 01885 -REV 。 A， 8月28日 - 00
www.vishay.com
1
Si1906DL
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= 5.0 V, V
GS
= 2.5 V
V
DS
= 8.0 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 150毫安
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 250毫安
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 2.5 V，I
D
= 50毫安
I
S
= 50 mA时， V
GS
= 0 V
120
400
160
mA
800
1.6
1.2
200
0.7
1.2
2.5
2.0
mS
V
W
20
0.4
24
V
0.9
"2
0.001
1.5
"100
100
5
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
通态漏电流
a
I
D（上）
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
5.0 V,
V,
兆赫
V
DS
= 5 0 V V
GS
= 0 V F = 1 MH
V
DS
= 5.0 V, V
GS
4 = 5 V I
D
= 100毫安
50V
4.5 V,
A
350
25
100
20
14
5
pF
F
450
pC
C
开关
B，C
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 3 0 V ，R
L
= 100
W
3.0 V,
I
D
= 0.25 A，V
根
4 = 5 V R
G
= 10
W
0 25 A
4.5 V,
7
25
19
9
12
35
ns
30
15
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。对于设计只，不受生产测试。
。开关时间基本上是独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 71305
S- 01885 -REV 。 A， 8月28日 - 00
Si1906DL
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
1.25
V
GS
= 3.5直通5 V
1.00
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
0.6
25_C
3V
0.75
2.5 V
0.50
2V
0.25
1.5 V
0
0
1
2
3
4
1V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.8
T
C
= –55_C
Vishay Siliconix公司
传输特性
0.4
125_C
0.2
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
7
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
40
5
4
3
V
GS
= 2.5 V
2
1
0
0
1
2
I
D
- 漏极电流（ A）
3
4
V
GS
= 4.5 V
0
0
4
- 电容（pF ）
50
电容
30
20
C
OSS
10
C
RSS
C
国际空间站
8
12
16
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 100毫安
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 100米的
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
300
400
500
600
8
1.4
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
100
200
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 71305
S- 01885 -REV 。 A， 8月28日 - 00
www.vishay.com
3
Si1906DL
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
3
1
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 125_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
6
8
导通电阻与栅极至源极电压
0.1
I
D
= 250毫安
4
T
J
= 25_C
0.01
T
J
= –55_C
2
0.001
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.2
I
D
= 50
mA
0.1
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.0
–0.1
–0.2
–0.3
–0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（ _C ）
www.vishay.com
4
文档编号： 71305
S- 01885 -REV 。 A， 8月28日 - 00
Si1906DL
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
2.0 @ V
GS
= 4.5 V
2.5 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
（MA ）
250
150
SOT-363
SC - 70 （ 6引线）
标识代码
PC
G
1
D
2
2
3
5
4
G
2
S
2
XX
YY
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
S
1
1
6
D
1
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
150 C)
漏电流脉冲
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
极限
20
"8
250
200
500
0.20
0.13
-55到150
单位
V
mA
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
符号
R
thJA
极限
625
单位
° C / W
文档编号： 71305
S- 01885 -REV 。 A， 8月28日 - 00
www.vishay.com
1
Si1906DL
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= 5.0 V, V
GS
= 2.5 V
V
DS
= 8.0 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 150毫安
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 250毫安
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 2.5 V，I
D
= 50毫安
I
S
= 50 mA时， V
GS
= 0 V
120
400
160
mA
800
1.6
1.2
200
0.7
1.2
2.5
2.0
mS
V
W
20
0.4
24
V
0.9
"2
0.001
1.5
"100
100
5
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
通态漏电流
a
I
D（上）
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
5.0 V,
V,
兆赫
V
DS
= 5 0 V V
GS
= 0 V F = 1 MH
V
DS
= 5.0 V, V
GS
4 = 5 V I
D
= 100毫安
50V
4.5 V,
A
350
25
100
20
14
5
pF
F
450
pC
C
开关
B，C
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 3 0 V ，R
L
= 100
W
3.0 V,
I
D
= 0.25 A，V
根
4 = 5 V R
G
= 10
W
0 25 A
4.5 V,
7
25
19
9
12
35
ns
30
15
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。对于设计只，不受生产测试。
。开关时间基本上是独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 71305
S- 01885 -REV 。 A， 8月28日 - 00
Si1906DL
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
1.25
V
GS
= 3.5直通5 V
1.00
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
0.6
25_C
3V
0.75
2.5 V
0.50
2V
0.25
1.5 V
0
0
1
2
3
4
1V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.8
T
C
= –55_C
Vishay Siliconix公司
传输特性
0.4
125_C
0.2
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
7
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
40
5
4
3
V
GS
= 2.5 V
2
1
0
0
1
2
I
D
- 漏极电流（ A）
3
4
V
GS
= 4.5 V
0
0
4
- 电容（pF ）
50
电容
30
20
C
OSS
10
C
RSS
C
国际空间站
8
12
16
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 100毫安
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 100米的
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
300
400
500
600
8
1.4
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
100
200
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 71305
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3
Si1906DL
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
3
1
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 125_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
6
8
导通电阻与栅极至源极电压
0.1
I
D
= 250毫安
4
T
J
= 25_C
0.01
T
J
= –55_C
2
0.001
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.2
I
D
= 50
mA
0.1
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.0
–0.1
–0.2
–0.3
–0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（ _C ）
www.vishay.com
4
文档编号： 71305
S- 01885 -REV 。 A， 8月28日 - 00
Si1906DL
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
2.0 @ V
GS
= 4.5 V
2.5 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
（MA ）
250
150
SOT-363
SC - 70 （ 6引线）
标识代码
PC
G
1
D
2
2
3
5
4
G
2
S
2
XX
YY
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
S
1
1
6
D
1
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
150 C)
漏电流脉冲
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
极限
20
"8
250
200
500
0.20
0.13
-55到150
单位
V
mA
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
符号
R
thJA
极限
625
单位
° C / W
文档编号： 71305
S- 01885 -REV 。 A， 8月28日 - 00
www.vishay.com
1
Si1906DL
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= 5.0 V, V
GS
= 2.5 V
V
DS
= 8.0 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 150毫安
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 250毫安
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 2.5 V，I
D
= 50毫安
I
S
= 50 mA时， V
GS
= 0 V
120
400
160
mA
800
1.6
1.2
200
0.7
1.2
2.5
2.0
mS
V
W
20
0.4
24
V
0.9
"2
0.001
1.5
"100
100
5
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
通态漏电流
a
I
D（上）
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
5.0 V,
V,
兆赫
V
DS
= 5 0 V V
GS
= 0 V F = 1 MH
V
DS
= 5.0 V, V
GS
4 = 5 V I
D
= 100毫安
50V
4.5 V,
A
350
25
100
20
14
5
pF
F
450
pC
C
开关
B，C
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 3 0 V ，R
L
= 100
W
3.0 V,
I
D
= 0.25 A，V
根
4 = 5 V R
G
= 10
W
0 25 A
4.5 V,
7
25
19
9
12
35
ns
30
15
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。对于设计只，不受生产测试。
。开关时间基本上是独立的工作温度。
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2
文档编号： 71305
S- 01885 -REV 。 A， 8月28日 - 00
Si1906DL
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
1.25
V
GS
= 3.5直通5 V
1.00
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
0.6
25_C
3V
0.75
2.5 V
0.50
2V
0.25
1.5 V
0
0
1
2
3
4
1V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.8
T
C
= –55_C
Vishay Siliconix公司
传输特性
0.4
125_C
0.2
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
7
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
40
5
4
3
V
GS
= 2.5 V
2
1
0
0
1
2
I
D
- 漏极电流（ A）
3
4
V
GS
= 4.5 V
0
0
4
- 电容（pF ）
50
电容
30
20
C
OSS
10
C
RSS
C
国际空间站
8
12
16
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 100毫安
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 100米的
6
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
300
400
500
600
8
1.4
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
100
200
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
T
J
=结温（ ° C）
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3
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
3
1
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 125_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
6
8
导通电阻与栅极至源极电压
0.1
I
D
= 250毫安
4
T
J
= 25_C
0.01
T
J
= –55_C
2
0.001
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.2
I
D
= 50
mA
0.1
V
GS （ TH）
方差（ V）
–0.0
–0.1
–0.2
–0.3
–0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（ _C ）
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