Si1539CDL
Vishay Siliconix公司
N和P沟道30 V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
R
DS （ ON）
()
0.388在V
GS
= 10 V
0.525在V
GS
= 4.5 V
0.890在V
GS
= - 10 V
1.7在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
a
0.7
0.6
- 0.5
- 0.3
Q
g
（典型值）。
0.55
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
经过测试
P沟道
- 30
0.8
应用
DC / DC转换器
- 负荷开关
D
1
S
2
SOT-363
SC - 70 （ 6引线）
S
1
1
6
D
1
标识代码
G
1
2
5
G
2
RG
XX
YY
G
2
很多可追溯性
和日期代码
G
1
D
2
3
4
S
2
产品编号
CODE
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
顶部
意见
订货信息：
Si1539CDL -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
源极 - 漏极电流二极管电流
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
I
S
I
DM
I
D
符号
V
DS
V
GS
0.7
0.6
0.7
B，C
0.5
B，C
0.3
0.2
B，C
2
0.34
0.22
0.29
B，C
0.18
B，C
- 55 150
N沟道
30
± 20
- 0.5
- 0.4
- 0.4
B，C
- 0.4
B，C
- 0.3
- 0.2
B，C
-1
0.34
0.22
0.29
B，C
0.18
B，C
°C
W
A
P沟道
- 30
单位
V
热电阻额定值
N沟道
参数
最大结点到环境
B，D
最大结到脚（漏极）
t
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型值。
365
308
马克斯。
438
370
P沟道
典型值。
365
308
马克斯。
438
370
单位
° C / W
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 10秒。
。在稳态条件下最大为486 ℃/ W（ N沟道）和486 ℃/ W（ P沟道） 。
文档编号： 67469
S11-0238 -REV 。 A， 14 -FEB- 11
www.vishay.com
1
Si1539CDL
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
门体漏
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
I
D
= 250 A
I
D
= - 250 A
I
D
= 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
=5 V, V
GS
= 10 V
V
DS
= -5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.6 A
漏源导通电阻
b
R
DS （ ON）
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 0.4 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.1A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 0.1 A
正向跨导
b
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
P沟道
V
DS
= - 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 0.6 A
总栅极电荷
Q
g
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 0.4 A
N沟道
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V I
D
= 0.6 A
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
Q
gs
Q
gd
R
g
P沟道
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 0.4 A
F = 1 MHz的
N沟道
N沟道
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
0.7
1.7
28
34
10
12
5
7
1
1.5
0.55
0.8
0.2
0.4
0.2
0.35
3.7
8.3
7.4
16.6
1.5
3
1.1
1.2
nC
pF
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 0.6 A
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 0.4 A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
2
-1
0.323
0.740
0.437
1.4
1.2
0.6
0.388
0.890
0.525
1.7
S
1.2
- 1.2
30
- 30
30
- 18
- 3.6
3.3
2.5
- 2.5
± 100
± 100
1
-1
10
- 10
A
A
V
nA
毫伏/°C的
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
a
马克斯。
单位
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2
文档编号： 67469
S11-0238 -REV 。 A， 14 -FEB- 11
Si1539CDL
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
动态
a
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管
当前
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
N沟道
I
F
= 0.5 A ， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
P沟道
I
F
= - 0.5 A ， di / dt的= - 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 0.5 A
I
S
= - 0.4 A
T
C
= 25 °C
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
0.8
- 0.8
10
16
3
8
6
9
4
7
ns
0.3
- 0.3
2
-1
1.2
- 1.2
20
24
6
16
V
ns
nC
A
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
N沟道
N沟道
V
DD
= 15 V ，R
L
= 30
I
D
0.5 A ，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
P沟道
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 38
I
D
- 0.4 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 1
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
N沟道
V
DD
= 15 V ，R
L
= 30
I
D
0.5 A ，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
P沟道
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 38
I
D
- 0.4 A，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 1
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
2
1
14
9
11
8
9
8
26
32
25
19
14
4
15
10
4
2
21
18
20
16
18
16
39
48
38
29
21
8
23
20
ns
符号
测试条件
分钟。
典型值。
a
马克斯。
单位
注意事项：
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 67469
S11-0238 -REV 。 A， 14 -FEB- 11
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3
Si1539CDL
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
2
V
GS
= 10 V直通5 V
V
GS
= 4 V
1.5
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
0.3
T
C
= 25
°C
0.2
0.4
0.5
1
0.5
V
GS
= 3 V
0.1
T
C
= 125
°C
T
C
= - 55
°C
0
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0
0
1
2
3
4
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.80
40
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.60
V
GS
= 4.5 V
0.40
V
GS
= 10 V
- 电容（pF ）
30
C
国际空间站
20
C
OSS
10
C
RSS
0.20
0.00
0
0.5
1
I
D
- 漏电流（ A）
1.5
2
0
0
6
12
18
24
30
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 0.6 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
DS
= 7.5 V
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.5
1.8
I
D
= 0.6 A
电容
V
GS
= 10 V
6
V
DS
= 15 V
4
V
DS
= 24 V
1.2
0.9
2
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
0.6
- 50
V
GS
= 4.5 V
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
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4
导通电阻与结温
文档编号： 67469
S11-0238 -REV 。 A， 14 -FEB- 11
Si1539CDL
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
10
0.8
I
D
= 0.6 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.6
T
J
= 125
°C
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150
°C
1
T
J
= 25
°C
0.4
T
J
= 25
°C
0.2
0.1
0.0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
2
6.4
导通电阻与栅极至源极电压
1.8
4.8
1.6
I
D
= 250 μA
功率（W）的
125
150
V
GS （ TH）
(V)
3.2
1.4
1.6
1.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
0
0.001
0.01
0.1
时间（s）
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
10
单脉冲功率，结到环境
限于由R
DS （ ON）
*
I
D
- 漏电流（ A）
1
BVDSS有限公司
100 μs
1毫秒
0.1
10毫秒
100毫秒
T
C
= 25
°C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
1s
10秒， DC
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
文档编号： 67469
S11-0238 -REV 。 A， 14 -FEB- 11
www.vishay.com
5
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