Si1470DH
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(Ω)
0.066在V
GS
= 4.5 V
0.095在V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
4.0
a
4.0
Q
g
（典型值）
4.85
特点
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
和UIS测试
应用
- 负荷开关
RoHS指令
柔顺
SOT-363
SC-70
(6-LEADS)
D
6
D
标识代码
AK
XX
YY
D
1
D
2
5
D
G
很多轨迹A
b
ILITY
和
日期代码
G
3
4
S
零件编号代码
S
顶视图
订货信息：
Si1470DH-T1-E3
（铅（Pb ） - 免费）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
极限
30
± 12
5.1
4.0
3.8
B，C
3.1
B，C
12
10
5
2.3
1.3
B，C
2.8
1.8
1.5
B，C
1.0
B，C
- 55 150
单位
V
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
I
D
A
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
连续源极 - 漏极二极管电流
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
mJ
A
最大功率耗散
a
P
D
W
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，D
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 t为5秒。
。在稳态条件下最大为125 ° C / W 。
文档编号： 74277
S- 62443 -REV 。 A， 27 -NOV- 06
www.vishay.com
1
t
≤
5秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
60
34
最大
80
45
单位
° C / W
Si1470DH
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
导通状态漏极
当前
a
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/
T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 2.3 A， di / dt的= 100 A / μs的
I
S
= 1.8 A
0.8
11.5
5.2
7.7
3.8
T
C
= 25 °C
V
DD
= 15 V ，R
L
= 5.0
Ω
I
D
3.0 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 3.8 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.8 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
V
DS
=
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.8 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.1 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 3.8 A
12
0.055
0.079
11.2
510
66
39
5
4.85
1.35
1.26
7.3
9.0
51
18
7.1
10.95
15
77
27
10.65
2.3
12
1.2
17.25
7.8
ns
ns
Ω
7.5
7.3
nC
pF
0.066
0.095
0.6
30
27.41
- 3.83
1.6
± 100
1
10
毫伏/°C的
V
nA
nA
A
A
Ω
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源导通电阻
a
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
关断DelayTime
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
b
A
V
nC
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 74277
S- 62443 -REV 。 A， 27 -NOV- 06
Si1470DH
Vishay Siliconix公司
典型特征
12
V
GS
= 5通3 V
2.5
I
D
- 漏极电流（ A）
9
V
GS
= 2.5 V
I
D
- 漏极电流（ A）
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
3.0
2.0
6
1.5
T
C
= 125 °C
1.0
T
C
= 25 °C
0.5
3
V
GS
= 2 V
V
GS
= 1.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
T
C
= - 55 °C
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.15
800
传输特性曲线与温度
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.12
- 电容（pF ）
V
GS
= 2.5 V
0.09
V
GS
= 4.5 V
600
C
国际空间站
400
0.06
200
0.03
C
OSS
C
RSS
0
6
12
18
24
30
0.00
0
3
6
I
D
- 漏极电流（ A）
9
12
0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
5
I
D
= 3.7 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
4
V
DS
= 15 V
1.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.6
电容
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.7 A, 4.1 A
V
GS
= 2.5 V
I
D
= 3.1 A
3
V
DS
= 24 V
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
2
4
6
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
Q
g
- 栅极电荷
导通电阻与结温
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Si1470DH
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
10
r
DS （ ON）
- 漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）
0.16
I
D
= 3.7 A
0.12
T
A
= 125 °C
0.08
T
A
= 25 °C
I
S
- 源电流（ A）
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
0.1
0.04
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.00
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
1.5
30
25
1.3
I
D
= 250 A
V
GS （ TH）
(V)
1.1
功率（W）的
20
r
DS （ ON）
VS V
GS
与温度
15
0.9
10
0.7
5
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
阈值电压
100
*仅限为r
DS （ ON）
单脉冲功率
10
I
D
- 漏极电流（ A）
10毫秒
1
100毫秒
1s
10 s
dc
0.01
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.1
*V
GS
1
10
100
0.1
0.001
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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文档编号： 74277
S- 62443 -REV 。 A， 27 -NOV- 06
Si1470DH
Vishay Siliconix公司
典型特征
6
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
3.6
5
3.0
I
D
- 漏极电流（ A）
包装有限公司
3
功率（W）的
4
2.4
1.8
2
1.2
1
0.6
0
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ℃）
T
C
- 外壳温度（ ℃）
电流降额*
功率降额
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上显示更多有用
sipation极限情况下，额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
文档编号： 74277
S- 62443 -REV 。 A， 27 -NOV- 06
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5
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