新产品
Si1443EDH
Vishay Siliconix公司
P沟道30 V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
- 30
R
DS （ ON）
()
0.054在V
GS
= - 10 V
0.062在V
GS
= - 4.5 V
0.085在V
GS
= - 2.5 V
I
D
(A)
- 4
a
- 4
a
- 3.4
8.6 NC
Q
g
（典型值）。
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
典型的ESD性能1500 V HBM
100 % R
g
经过测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
SOT -363
SC - 70 （ 6引线）
D
1
6
D
负载开关，用于便携式设备
- 移动电话
- DSC
- 便携式游戏机
- MP3
- 全球定位系统
软启动的负荷开关
S
D
2
5
D
G
3
顶部
意见
4
S
标识代码
G
BTX
零件编号代码
R
订货信息：
Si1443EDH -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
XXX
很多可追溯性
和日期代码
D
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲（ T = 300微秒）
连续源极 - 漏极二极管电流
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
- 30
± 12
- 4
a
- 4
a
- 4
A， B，C
- 3.4
B，C
- 15
- 2.3
- 1.3
B，C
2.8
1.8
1.6
B，C
1
B，C
- 55 150
260
°C
W
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，D
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 5秒。
。在稳态条件下最大为125 ° C / W 。
文档编号： 67849
S11-0869 -REV 。 A， 02月11
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1
t
5s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
60
34
最大
80
45
单位
° C / W
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本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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Si1443EDH
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
符号
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 4.5 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
-
5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 4.3 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 4 A
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 3.5 A
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 4.3 A
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 4.3 A
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 4.3 A
F = 1 MHz的
分钟。
- 30
典型值。
马克斯。
单位
V
- 22
2.6
- 0.6
- 1.5
± 20
±1
-1
- 10
- 15
0.043
0.049
0.067
14
18.5
8.6
1.7
2.5
0.09
0.45
125
220
1115
435
40
64
1800
420
0.90
188
330
1673
653
60
98
2700
630
- 2.3
- 15
- 0.85
14
7
9
5
- 1.2
21
14
28
13
0.054
0.062
0.085
毫伏/°C的
V
A
A
S
漏源导通电阻
a
正向跨导
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
a
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
nC
k
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 4.4
I
D
- 3.4 A，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 1
ns
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 4.4
I
D
- 3.4 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 1
T
C
= 25 °C
I
S
= - 3.4 A，V
GS
= 0 V
A
V
ns
nC
ns
I
F
= - 3.4 ， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 67849
S11-0869 -REV 。 A， 02月11
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新产品
Si1443EDH
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
7.00
5.25
I
D
- 漏电流（ A）
包装有限公司
3.50
1.75
0.00
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
4
1.2
3
功率（W）的
功率（W）的
0.9
2
0.6
1
0.3
0
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
A
- 环境温度（ ° C）
功率降额，结到脚
功率降额，结到环境
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
文档编号： 67849
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