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Si1424EDH
Vishay Siliconix公司
N沟道20 V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
0.033在V
GS
= 4.5 V
20
0.038在V
GS
= 2.5 V
0.045在V
GS
= 1.8 V
0.070在V
GS
= 1.5 V
I
D
(A)
a
4
4
4
3
6 NC
Q
g
（典型值）。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
典型ESD保护4000 V
100 % R
g
经过测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
SOT-363
SC - 70 （ 6引线）
D
1
6
D
标识代码
D
AQ XX
G
3
4
S
YY
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
顶部
意见
订货信息：
Si1424EDH -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
S
G
R
便携式设备
- 负荷开关
- 电池开关
D
D
2
5
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
20
±8
4
a
4
a
4
A， B，C
4
A， B，C
16
2.3
a
1.3
B，C
2.8
1.8
1.56
B，C
1.0
B，C
- 55 150
°C
W
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，D
最大结到脚（漏极）
t
5s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
60
34
最大
80
45
单位
° C / W
注意事项：
一。套餐的限制，T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 5秒。
。在稳态条件下最大为125 ° C / W 。
文档编号： 67198
S11-0654 -REV 。 B， 11 -APR- 11
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本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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Si1424EDH
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特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
导通状态漏极
当前
a
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 4.5 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5 A
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 1 A
V
GS
= 1.5 V，I
D
= 0.5 A
正向跨导
a
动态
b
符号
测试条件
分钟。
20
典型值。
马克斯。
单位
V
18
- 2.5
0.4
1.0
± 1.5
± 25
1
10
15
0.027
0.031
0.035
0.040
25
11.5
6
0.8
1.6
0.46
2.3
0.3
0.6
3.8
1.7
0.15
0.3
5.6
1.6
4.6
0.45
0.9
6
2.6
0.25
0.45
9
2.5
2.3
16
0.85
15
7.5
8
15
1.2
30
15
18
9
0.033
0.038
0.045
0.070
毫伏/°C的
V
A
A
g
fs
V
DS
= 10 V，I
D
= 3 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 8 V，I
D
= 7.1 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.1 A
F = 1 MHz的
S
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
关断DelayTime
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断DelayTime
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
nC
k
V
DD
= 10 V ，R
L
= 1.8
I
D
5.7 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
s
V
DD
= 10 V ，R
L
= 1.8
I
D
5.7 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
T
C
= 25 °C
I
S
= 5.7 A，V
GS
= 0 V
A
V
ns
nC
ns
I
F
= 5.7 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
80
10
-1
10
-2
I
G
- 栅极电流（mA ）
T
J
= 25 °C
40
I
G
- 栅电流（ A）
60
10
-3
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
10
-8
10
-9
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
20
0
0
3
6
9
12
15
10
-10
0
3
6
9
12
15
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
栅电流与栅极至源极电压
16
V
GS
= 5 V直通2 V
14
8
12
I
D
- 漏电流（ A）
栅电流与栅极至源极电压
10
V
GS
= 1.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
10
8
6
4
6
4
T
C
= 25 °C
2
2
0
0.0
T
C
= 125 °C
V
GS
= 1 V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.3
0.6
0.9
T
C
= - 55 °C
1.2
1.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.08
传输特性
8
I
D
= 7.1 A
V
GS
= 1.5 V
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.06
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
6
V
DS
= 7.5
V
V
DS
= 16
V
4
V
DS
= 10
V
2
V
GS
= 1.8 V
0.04
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
0.02
0.00
0
4
8
I
D
- 漏电流（ A）
0
12
16
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
导通电阻与漏电流
栅极电荷
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
1.6
V
GS
= 2.5
V,
4.5
V;
I
D
= 5 A
I
S
- 源电流（ A）
100
1.4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
10
（归一化）
1.2
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
1
1.0
V
GS
= 1.5
V,
1.8
V;
I
D
= 1.5 A
0.8
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
归一化的导通电阻与结温
0.10
I
D
= 5 A;牛逼
J
= 125 °C
I
D
= 0.5 A;牛逼
J
= 125 °C
源极 - 漏极二极管正向电压
0.7
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.08
0.6
0.5
V
GS （ TH）
(V)
0.06
I
D
= 250
A
0.4
0.04
I
D
= 0.5 A;牛逼
J
= 25 °C
0.02
I
D
= 5 A;牛逼
J
= 25 °C
0.3
0.2
0.00
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（℃ ）
导通电阻与栅极至源极电压
30
100
阈值电压
25
10
I
D
- 漏电流（ A）
限于由R
DS （ ON）
*
100 μs
20
功率（W）的
15
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1 s, 10 s
T
A
= 25 °C
单脉冲
DC
BVDSS有限公司
10
0.1
5
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
单脉冲功率，结到环境
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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Si1424EDH
Vishay Siliconix公司
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
8
3.0
2.5
功耗（ W）
6
I
D
- 漏电流（ A）
2.0
包装有限公司
4
1.5
1.0
2
0.5
0
0
25
50
75
100
125
150
0.0
25
50
75
100
125
150
T
F
- 外壳温度（ ° C）
T
F
- 足部温度（ ℃）
电流降额*
功率降额
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
文档编号： 67198
S11-0654 -REV 。 B， 11 -APR- 11
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