Si1400DL
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
0.235 @ V
GS
= 2.5 V
1.3
r
DS （ ON）
(W)
0.150 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
1.7
SOT-363
SC - 70 （ 6引线）
D
1
6
D
标识代码
ND
D
2
5
D
XX
YY
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
G
3
4
S
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
0.8
0.625
0.40
-55到150
符号
V
DS
V
GS
I
D
5秒
20
"12
1.7
1.2
5
稳定状态
单位
V
1.6
1.0
A
0.8
0.568
0.295
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71179
S- 05630 -REV 。 B， 11 -FEB -02
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
165
180
105
最大
200
220
130
单位
° C / W
C / W
1
Si1400DL
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.7 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 1.7 A
I
S
= 0.8 A，V
GS
= 0 V
2
0.123
0.195
5
0.78
1.1
0.150
0.235
S
V
0.6
"100
1
5
V
nA
mA
m
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 0.8 A ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 20
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.7 A
2.1
0.3
0.4
10
30
14
8
30
17
50
25
15
50
ns
4.0
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
5
2.5 V
4
I
D
- 漏极电流（ A）
V
GS
= 4.5直通3 V
I
D
- 漏极电流（ A）
4
5
传输特性
3
3
2
2V
2
T
C
= 125_C
1
25_C
1
1.5 V
0
0.0
–55_C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 71179
S- 05630 -REV 。 B， 11 -FEB -02
Si1400DL
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.5
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
300
电容
- 电容（pF ）
0.4
240
C
国际空间站
180
0.3
V
GS
= 2.5 V
0.2
V
GS
= 4.5 V
0.1
120
C
OSS
60
C
RSS
0.0
0
1
2
3
4
5
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
4.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 1.7 A
3.6
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 1.7 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.6
1.4
2.7
1.2
1.8
1.0
0.9
0.8
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.40
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.32
I
D
= 1.7 A
I
S
- 源电流（ A）
0.24
1
T
J
= 150_C
0.16
T
J
= 25_C
0.08
0.1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71179
S- 05630 -REV 。 B， 11 -FEB -02
www.vishay.com
3
Si1400DL
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
10
单脉冲功率
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
8
I
D
= 250
mA
功率（W）的
6
–0.0
–0.2
4
–0.4
2
–0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
=400_C/W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71179
S- 05630 -REV 。 B， 11 -FEB -02
新产品
Si1400DL
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 20
r
DS （ ON）
(Ω)
0.150在V
GS
= 4.5 V
0.235在V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
1.7
1.3
特点
TrenchFET
功率MOSFET ： 2.5 V额定
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
SOT-363
SC - 70 （ 6引线）
D
1
6
D
标识代码
ND
D
2
5
D
XX
YY
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
G
3
4
S
顶视图
订货信息：
Si1400DL-T1
Si1400DL -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
0.8
0.625
0.40
- 55 150
1.7
1.2
5
0.8
0.568
0.295
W
°C
5s
20
± 12
1.6
1.0
A
稳定状态
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
文档编号： 71179
S- 71951 -REV 。 C， 10 - 09月07
www.vishay.com
1
t
≤
5s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
165
180
105
最大
200
220
130
° C / W
单位
新产品
Si1400DL
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 0.8 A ， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 10 V ，R
L
= 20
Ω
I
D
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 6
Ω
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.7 A
2.1
0.3
0.4
10
30
14
8
30
17
50
25
15
50
ns
4.0
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
=
4.5 V，I
D
= 1.7 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 1.7 A
I
S
= 0.8 A，V
GS
= 0 V
2
0.123
0.195
5
0.78
1.1
0.150
0.235
0.6
± 100
1
5
V
nA
A
A
Ω
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
5
2.5
V
4
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 4.5直通3
V
I
D
- 漏电流（ A）
4
5
3
3
2
2
V
2
T
C
= 125 °C
1
25 °C
1
1.5
V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
- 55 °C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
传输特性
www.vishay.com
2
文档编号： 71179
S- 71951 -REV 。 C， 10 - 09月07
新产品
Si1400DL
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.5
300
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.4
- 电容（pF ）
240
C
国际空间站
180
0.3
V
GS
= 2.5
V
0.2
V
GS
= 4.5
V
0.1
120
C
OSS
60
C
RSS
0
0
1
2
3
4
5
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
4.5
V
DS
= 10
V
I
D
= 1.7 A
3.6
r
DS （ ON）
- 导通电阻
1.8
V
GS
= 4.5
V
I
D
= 1.7 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
1.6
1.4
（归一化）
2.7
1.2
1.8
1.0
0.9
0.8
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
10
0.40
导通电阻与结温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.32
I
S
- 源电流（ A）
0.24
I
D
= 1.7 A
0.16
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
0.08
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 所以，
u
RCE到漏
V
oltage （
V
)
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 71179
S- 71951 -REV 。 C， 10 - 09月07
www.vishay.com
3
新产品
Si1400DL
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.4
10
0.2
V
GS （ TH）
方差
(V)
8
0
功率（W）的
I
D
= 250
A
6
- 0.2
4
- 0.4
2
- 0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（s）
10
30
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
2
1
占空比= 0.5
归
有效的瞬态
热阻抗
单脉冲功率
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 400 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
归
有效的瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
1
10
归瞬态热阻抗，结到脚
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?71179 。
www.vishay.com
4
文档编号： 71179
S- 71951 -REV 。 C， 10 - 09月07
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
Si1400DL
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
0.235 @ V
GS
= 2.5 V
1.3
r
DS （ ON）
(W)
0.150 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
1.7
SOT-363
SC - 70 （ 6引线）
D
1
6
D
标识代码
ND
D
2
5
D
XX
YY
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
G
3
4
S
顶视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
0.8
0.625
0.40
-55到150
符号
V
DS
V
GS
I
D
5秒
20
"12
1.7
1.2
5
稳定状态
单位
V
1.6
1.0
A
0.8
0.568
0.295
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71179
S- 05630 -REV 。 B， 11 -FEB -02
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
165
180
105
最大
200
220
130
单位
° C / W
C / W
1
Si1400DL
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.7 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 1.7 A
I
S
= 0.8 A，V
GS
= 0 V
2
0.123
0.195
5
0.78
1.1
0.150
0.235
S
V
0.6
"100
1
5
V
nA
mA
m
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 0.8 A ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 20
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.7 A
2.1
0.3
0.4
10
30
14
8
30
17
50
25
15
50
ns
4.0
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
5
2.5 V
4
I
D
- 漏极电流（ A）
V
GS
= 4.5直通3 V
I
D
- 漏极电流（ A）
4
5
传输特性
3
3
2
2V
2
T
C
= 125_C
1
25_C
1
1.5 V
0
0.0
–55_C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
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2
文档编号： 71179
S- 05630 -REV 。 B， 11 -FEB -02
Si1400DL
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.5
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
300
电容
- 电容（pF ）
0.4
240
C
国际空间站
180
0.3
V
GS
= 2.5 V
0.2
V
GS
= 4.5 V
0.1
120
C
OSS
60
C
RSS
0.0
0
1
2
3
4
5
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
4.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 1.7 A
3.6
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 1.7 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.6
1.4
2.7
1.2
1.8
1.0
0.9
0.8
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.40
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.32
I
D
= 1.7 A
I
S
- 源电流（ A）
0.24
1
T
J
= 150_C
0.16
T
J
= 25_C
0.08
0.1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71179
S- 05630 -REV 。 B， 11 -FEB -02
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3
Si1400DL
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
10
单脉冲功率
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
8
I
D
= 250
mA
功率（W）的
6
–0.0
–0.2
4
–0.4
2
–0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
=400_C/W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
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4
文档编号： 71179
S- 05630 -REV 。 B， 11 -FEB -02
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