新产品
Si1073X
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.173在V
GS
= - 10 V
0.243在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
- 0.98
a
- 0.83
Q
g
（典型值）。
3.25
特点
无卤素选项可用
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
和UIS测试
RoHS指令
柔顺
应用
- 负荷开关
SC - 89 （ 6引线）
D
1
6
D
S
标识代码
1
XX
YY
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
D
2
5
D
G
G
3
4
S
顶部
意见
D
订货信息：
Si1073X -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si1073X -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
连续源极 - 漏极二极管电流
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 30
± 20
- 0.98
B，C
- 0.78
B，C
-8
-6
1.8
0.2
B，C
0.236
B，C
0.151
B，C
- 55 150
单位
V
A
L = 0.1 mH的
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
mJ
A
W
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，D
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 5秒。
。在稳态条件下最大为650 ° C / W 。
t
≤
5s
稳定状态
符号
R
thJA
典型
440
540
最大
530
650
单位
° C / W
文档编号： 74285
S- 82617 -REV 。 C， 03 - NOV- 08
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1
新产品
Si1073X
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
关断DelayTime
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断DelayTime
下降时间
漏源体二极管特性
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= - 0.7 A ， di / dt的= 100 A / μs的
I
S
= - 0.63 A
0.8
14.3
12.16
11.1
3.2
8
1.2
21.45
18.25
ns
A
V
nC
b
符号
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
V
DS
=
≥
5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 0.98 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 0.83 A
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 0.98 A
分钟。
- 30
典型值。
马克斯。
单位
V
- 30.7
3.78
-1
-3
± 100
-1
- 10
-8
0.144
0.202
3.52
265
0.173
0.243
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
V
DS
= - 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 0.98 A
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 0.98 A
F = 1 MHz的
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 19.2
Ω
I
D
- 0.78 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 1
Ω
51
39
3.25
6.3
1.02
1.47
14
6
10
14
6
26
21
9
15
21
9
39
42
42
18
4.88
9.45
pF
nC
Ω
ns
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 22.72
Ω
I
D
- 0.66 A，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
28
28
12
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 74285
S- 82617 -REV 。 C， 03 - NOV- 08
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Si1073X
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
8
3
T
C
= 125 °C
V
GS
= 10直通5
V
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
6
25 °C
2
4
V
GS
= 4
V
1
2
V
GS
= 3
V
0
0.0
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
0
1
2
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
T
C
= - 55 °C
3
4
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.40
500
转移特性曲线与温度。
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.32
- 电容（pF ）
400
0.24
V
GS
= 4.5
V
0.16
300
C
国际空间站
200
C
OSS
100
C
RSS
0.08
V
GS
= 10
V
0.00
0
2
4
I
D
- 漏电流（ A）
6
8
0
0
6
12
18
24
30
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
10
I
D
= 0.94 A
8
V
DS
= 15
V
6
R
DS （ ON）
-
导通电阻
(
N
ormalized ）
1.4
1.6
电容
V
GS
- 栅极至所以
u
RCE
V
oltage （
V
)
V
GS
= 10
V
I
D
= 0.94 A
1.2
V
GS
= 4.5
V
I
D
= 0.83 A
1.0
4
V
DS
= 24
V
2
0.8
0
0
1
2
3
4
5
6
7
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
Q
g
- 栅极电荷
导通电阻与结温
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Si1073X
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
10
0.24
I
D
= 0.94 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
I
S
- 所以，
u
RCE
u
rrent （ A）
0.20
1
T
A
= 125 °C
0.16
0.1
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
0.12
T
A
= 25 °C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
0.08
0
2
4
6
8
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
10
源极 - 漏极二极管正向电压
2.4
10
R
DS （ ON）
与V
GS
与温度的关系
2.2
8
Po
w
ER （
W
)
V
GS （ TH）
(
V
)
2.0
I
D
= 250
A
1.8
6
4
1.6
2
1.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
1000
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
10
有限
by
R
DS （ ON）
*
1
100
s
1毫秒
10毫秒
0.1
100毫秒
1s
10 s
0.01
DC
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.1
1
BVDSS有限公司
10
单脉冲功率
I
D
- 排水
u
rrent （ A）
0.001
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
＆ GT ;
最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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文档编号： 74285
S- 82617 -REV 。 C， 03 - NOV- 08
新产品
Si1073X
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
1
占空比= 0.5
0.2
N
ormalized Effecti
v
ê瞬态
热阻抗
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
0.01
P
DM
t
1
0.001
单脉冲
0.0001
10
-4
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 540 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
-3
10
-2
10
-1
1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
10
100
1000
归瞬态热阻抗，结到环境
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?74285 。
文档编号： 74285
S- 82617 -REV 。 C， 03 - NOV- 08
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