Si1040X
新产品
Vishay Siliconix公司
与电平转换负载开关
产品概述
V
DS2
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.625 @ V
IN
= 4.5 V
1.8 8
0.890 @ V
IN
= 2.5 V
1.25 @ V
IN
= 1.8 V
特点
I
D
(A)
"0.43
"0.36
"0.3
D
D
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET
1.8 8 V输入
1.5 8 V逻辑电平控制
最小LITTLE FOOTr包装：2.6毫米× 1.6毫米
2000 -V ESD保护输入开关，V
开/关
可调摆率
标识代码
标识代码
O
WL
很多可追溯性
和日期代码
销1
识别码
型号代码
描述
该Si1040X包括在一个单一的一个p型和n沟道MOSFET
SC89-6封装。
低导通电阻P沟道
TrenchFET是专门用作负载开关。 n沟道，
用外部电阻，可以作为一个电平移位来驱动
p沟道负载开关。 n沟道MOSFET具有
内置ESD保护，并且可以通过逻辑信号驱动作为
低至1.5V的。在Si1040X运行在1.8电源线
到8 V ，可驱动负载高达0.43 A.
应用电路
Si1040X
20
4
V
IN
Q2
R1
6
6
C1
时间（
女士）
12
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
t
D（关闭）
4
t
D（上）
1
R2
R2
GND
0
0
2
4
R 2 （千瓦）
注意：对于R2切换的变化与其他V
IN
/R1
组合见典型特征
6
8
10
2, 3
V
OUT
16
开关变
R2 @ V
IN
= 2.5 V ，R 1 = 20千瓦
t
f
5
开/关
Q1
C
o
负载
8
C
i
组件
R1
R2
C1
上拉电阻
可选摆率控制
可选摆率控制
典型的10千瓦至1毫瓦*
典型的0到100千瓦*
典型的1000 pF的
该Si1040X非常适合于高端负载开关的
便携式应用。集成的N通道电平移位
设备通过减少外部元件，节省空间。该
压摆率被设置在外部，使上升时间可以根据
不同负载类型。
*最小R 1值应至少为10× R 2 ，以确保Q1导通。
文档编号： 71809
S- 20008 -REV 。 A， 04 -MAR -02
www.vishay.com
1
Si1040X
Vishay Siliconix公司
功能框图
Si1040X
SC89-6
顶视图
S2
Q2
R2
1
6
R1，C1
6
R1，C1
D2
2
5
开/关
5
开/关
Q1
4
2, 3
D2
新产品
D2
3
4
S2
1
R2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
输入电压
的ON / OFF电压
连续
A，B
负载电流
连续内在二极管的导通
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
ESD额定值， MIL -STD- 883D人体模型（ 100 pF的， 1500
W)
脉冲
B，C
I
L
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
符号
V
IN
V
开/关
极限
8
8
"0.43
"1.0
–0.15
0.174
-55到150
2
单位
V
A
W
_C
kV
热电阻额定值
参数
最大结到环境（连续电流）
a
最大结到脚（ Q2 ）
符号
R
thJA
R
thJC
典型
600
450
最大
720
540
单位
° C / W
_
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
反向漏电流
二极管的正向电压
I
FL
V
SD
V
IN
= 8 V, V
开/关
= 0 V
I
S
= –0.15 A
0.85
1
1.2
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
基本特征
输入电压范围
V
IN
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 4.5 V，I
D
= 0.43 A
导通电阻（ P沟道） @ 1
r
DS （ ON）
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 2.5 V，I
D
= 0.36 A
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 1.8 V，I
D
= 0.3 A
导通状态（ P沟道）汲极电流
I
D（上）
V
IN-OUT
v
0.2 V, V
IN
= 5 V, V
开/关
= 1.5 V
V
IN-OUT
v
0.3 V, V
IN
= 3 V, V
开/关
= 1.5 V
1
0.8
A
1.8
0.500
0.710
1.0
8
0.625
0.890
1.25
W
V
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。 V
IN
= 8 V, V
开/关
= 8 V ，T
A
= 25_C.
。脉冲测试：脉冲宽度
v300
女士，
占空比
v2%.
www.vishay.com
文档编号： 71809
S- 20008 -REV 。 A， 04 -MAR -02
2
Si1040X
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
V
降
与我
L
@ V
IN
= 4.5 V
1.0
V
开/关
= 1.5 8 V的
1.2
0.8
1.0
V
降
(V)
0.6
T
J
= 125_C
0.4
T
J
= 25_C
V
降
(V)
0.8
T
J
= 125_C
0.6
0.4
0.2
0.2
0.0
0.0
0.0
0.0
T
J
= 25_C
V
开/关
= 1.5 8 V的
1.4
Vishay Siliconix公司
V
降
与我
L
@ V
IN
=
2.5
V
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
L
– (A)
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
L
– (A)
V
降
与我
L
@ V
IN
= 1.8 V
1.6
1.4
1.2
V
降
(V)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.0
T
J
= 125_C
T
J
= 25_C
V
降
(V)
V
开/关
= 1.5 8 V的
0.8
0.7
0.6
0.5
V
降
与V
IN
@ I
L
= 0.5 A
V
开/关
= 1.5 8 V的
T
J
= 125_C
0.4
0.3
T
J
= 25_C
0.2
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
I
L
– (A)
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
V
IN
(V)
3
4
5
V
降
方差与结温
0.20
0.15
V
降
方差（ V）
0.10
V
IN
= 1.8 V
0.05
V
IN
= 4.5 V
–0.00
–0.05
–0.10
–0.15
–50
I
L
= 0.3 A
V
开/关
= 1.8 8 V的
r
SS （ON）的
- 导通电阻（
W
)
1.6
1.4
1.2
1.0
导通电阻与输入电压
I
L
= 0.3 A
V
开/关
= 1.5 8 V的
T
J
= 125_C
0.8
0.6
T
J
= 25_C
0.4
0.2
0.0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
V
IN
(V)
3
4
5
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 71809
S- 20008 -REV 。 A， 04 -MAR -02
www.vishay.com
3
Si1040X
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归一化的导通电阻
- 结温
1.6
1.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.2
V
IN
= 4.5 V
时间（
女士）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
R 2 （千瓦）
6
8
10
T
J
=结温（ ° C）
12
I
L
= 0.3 A
V
开/关
= 1.5 8 V的
V
IN
= 1.8 V
16
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
f
20
开关变
R2 @ V
IN
= 4.5 V ，R 1 = 20千瓦
8
t
D（关闭）
4
t
D（上）
t
r
20
开关变
R2 @ V
IN
= 2.5 V ，R 1 = 20千瓦
20
开关变
R2 @ V
IN
= 1.8 V ，R 1 = 20千瓦
t
f
t
f
16
16
t
r
时间（
女士）
12
时间（
女士）
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
12
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
8
t
r
8
t
D（关闭）
4
t
D（上）
0
0
2
4
R 2 （千瓦）
6
8
10
0
0
2
4
t
D（关闭）
t
D（上）
4
6
R 2 （千瓦）
8
10
80
开关变
R2 @ V
IN
= 4.5 V ，R 1 = 300千瓦
t
D（关闭）
80
开关变
R2 @ V
IN
= 2.5 V ，R 1 = 300千瓦
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
60
时间（
女士）
t
f
60
时间（
女士）
t
f
t
D（关闭）
40
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
40
20
t
r
t
D（上）
0
20
40
R 2 （千瓦）
60
80
100
20
t
r
t
D（上）
0
0
0
20
40
60
R 2 （千瓦）
80
100
www.vishay.com
4
文档编号： 71809
S- 20008 -REV 。 A， 04 -MAR -02
Si1040X
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
开关变
R2 @ V
IN
= 1.8 V ，R 1 = 300千瓦
Vishay Siliconix公司
80
t
f
60
时间（
女士）
t
D（关闭）
40
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
t
D（上）
20
0
0
20
40
R 2 （千瓦）
60
80
100
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 720_C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
4.表层嵌
10
100
600
方波脉冲Dureation （秒）
文档编号： 71809
S- 20008 -REV 。 A， 04 -MAR -02
www.vishay.com
5
Si1040X
新产品
Vishay Siliconix公司
与电平转换负载开关
产品概述
V
DS2
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.625 @ V
IN
= 4.5 V
1.8 8
0.890 @ V
IN
= 2.5 V
1.25 @ V
IN
= 1.8 V
特点
I
D
(A)
"0.43
"0.36
"0.3
D
D
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET
1.8 8 V输入
1.5 8 V逻辑电平控制
最小LITTLE FOOTr包装：2.6毫米× 1.6毫米
2000 -V ESD保护输入开关，V
开/关
可调摆率
标识代码
标识代码
O
WL
很多可追溯性
和日期代码
销1
识别码
型号代码
描述
该Si1040X包括在一个单一的一个p型和n沟道MOSFET
SC89-6封装。
低导通电阻P沟道
TrenchFET是专门用作负载开关。 n沟道，
用外部电阻，可以作为一个电平移位来驱动
p沟道负载开关。 n沟道MOSFET具有
内置ESD保护，并且可以通过逻辑信号驱动作为
低至1.5V的。在Si1040X运行在1.8电源线
到8 V ，可驱动负载高达0.43 A.
应用电路
Si1040X
20
4
V
IN
Q2
R1
6
6
C1
时间（
女士）
12
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
t
D（关闭）
4
t
D（上）
1
R2
R2
GND
0
0
2
4
R 2 （千瓦）
注意：对于R2切换的变化与其他V
IN
/R1
组合见典型特征
6
8
10
2, 3
V
OUT
16
开关变
R2 @ V
IN
= 2.5 V ，R 1 = 20千瓦
t
f
5
开/关
Q1
C
o
负载
8
C
i
组件
R1
R2
C1
上拉电阻
可选摆率控制
可选摆率控制
典型的10千瓦至1毫瓦*
典型的0到100千瓦*
典型的1000 pF的
该Si1040X非常适合于高端负载开关的
便携式应用。集成的N通道电平移位
设备通过减少外部元件，节省空间。该
压摆率被设置在外部，使上升时间可以根据
不同负载类型。
*最小R 1值应至少为10× R 2 ，以确保Q1导通。
文档编号： 71809
S- 20008 -REV 。 A， 04 -MAR -02
www.vishay.com
1
Si1040X
Vishay Siliconix公司
功能框图
Si1040X
SC89-6
顶视图
S2
Q2
R2
1
6
R1，C1
6
R1，C1
D2
2
5
开/关
5
开/关
Q1
4
2, 3
D2
新产品
D2
3
4
S2
1
R2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
输入电压
的ON / OFF电压
连续
A，B
负载电流
连续内在二极管的导通
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
ESD额定值， MIL -STD- 883D人体模型（ 100 pF的， 1500
W)
脉冲
B，C
I
L
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
符号
V
IN
V
开/关
极限
8
8
"0.43
"1.0
–0.15
0.174
-55到150
2
单位
V
A
W
_C
kV
热电阻额定值
参数
最大结到环境（连续电流）
a
最大结到脚（ Q2 ）
符号
R
thJA
R
thJC
典型
600
450
最大
720
540
单位
° C / W
_
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
反向漏电流
二极管的正向电压
I
FL
V
SD
V
IN
= 8 V, V
开/关
= 0 V
I
S
= –0.15 A
0.85
1
1.2
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
基本特征
输入电压范围
V
IN
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 4.5 V，I
D
= 0.43 A
导通电阻（ P沟道） @ 1
r
DS （ ON）
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 2.5 V，I
D
= 0.36 A
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 1.8 V，I
D
= 0.3 A
导通状态（ P沟道）汲极电流
I
D（上）
V
IN-OUT
v
0.2 V, V
IN
= 5 V, V
开/关
= 1.5 V
V
IN-OUT
v
0.3 V, V
IN
= 3 V, V
开/关
= 1.5 V
1
0.8
A
1.8
0.500
0.710
1.0
8
0.625
0.890
1.25
W
V
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。 V
IN
= 8 V, V
开/关
= 8 V ，T
A
= 25_C.
。脉冲测试：脉冲宽度
v300
女士，
占空比
v2%.
www.vishay.com
文档编号： 71809
S- 20008 -REV 。 A， 04 -MAR -02
2
Si1040X
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
V
降
与我
L
@ V
IN
= 4.5 V
1.0
V
开/关
= 1.5 8 V的
1.2
0.8
1.0
V
降
(V)
0.6
T
J
= 125_C
0.4
T
J
= 25_C
V
降
(V)
0.8
T
J
= 125_C
0.6
0.4
0.2
0.2
0.0
0.0
0.0
0.0
T
J
= 25_C
V
开/关
= 1.5 8 V的
1.4
Vishay Siliconix公司
V
降
与我
L
@ V
IN
=
2.5
V
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
L
– (A)
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
L
– (A)
V
降
与我
L
@ V
IN
= 1.8 V
1.6
1.4
1.2
V
降
(V)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.0
T
J
= 125_C
T
J
= 25_C
V
降
(V)
V
开/关
= 1.5 8 V的
0.8
0.7
0.6
0.5
V
降
与V
IN
@ I
L
= 0.5 A
V
开/关
= 1.5 8 V的
T
J
= 125_C
0.4
0.3
T
J
= 25_C
0.2
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
I
L
– (A)
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
V
IN
(V)
3
4
5
V
降
方差与结温
0.20
0.15
V
降
方差（ V）
0.10
V
IN
= 1.8 V
0.05
V
IN
= 4.5 V
–0.00
–0.05
–0.10
–0.15
–50
I
L
= 0.3 A
V
开/关
= 1.8 8 V的
r
SS （ON）的
- 导通电阻（
W
)
1.6
1.4
1.2
1.0
导通电阻与输入电压
I
L
= 0.3 A
V
开/关
= 1.5 8 V的
T
J
= 125_C
0.8
0.6
T
J
= 25_C
0.4
0.2
0.0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
V
IN
(V)
3
4
5
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 71809
S- 20008 -REV 。 A， 04 -MAR -02
www.vishay.com
3
Si1040X
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归一化的导通电阻
- 结温
1.6
1.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.2
V
IN
= 4.5 V
时间（
女士）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
R 2 （千瓦）
6
8
10
T
J
=结温（ ° C）
12
I
L
= 0.3 A
V
开/关
= 1.5 8 V的
V
IN
= 1.8 V
16
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
f
20
开关变
R2 @ V
IN
= 4.5 V ，R 1 = 20千瓦
8
t
D（关闭）
4
t
D（上）
t
r
20
开关变
R2 @ V
IN
= 2.5 V ，R 1 = 20千瓦
20
开关变
R2 @ V
IN
= 1.8 V ，R 1 = 20千瓦
t
f
t
f
16
16
t
r
时间（
女士）
12
时间（
女士）
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
12
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
8
t
r
8
t
D（关闭）
4
t
D（上）
0
0
2
4
R 2 （千瓦）
6
8
10
0
0
2
4
t
D（关闭）
t
D（上）
4
6
R 2 （千瓦）
8
10
80
开关变
R2 @ V
IN
= 4.5 V ，R 1 = 300千瓦
t
D（关闭）
80
开关变
R2 @ V
IN
= 2.5 V ，R 1 = 300千瓦
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
60
时间（
女士）
t
f
60
时间（
女士）
t
f
t
D（关闭）
40
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
40
20
t
r
t
D（上）
0
20
40
R 2 （千瓦）
60
80
100
20
t
r
t
D（上）
0
0
0
20
40
60
R 2 （千瓦）
80
100
www.vishay.com
4
文档编号： 71809
S- 20008 -REV 。 A， 04 -MAR -02
Si1040X
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
开关变
R2 @ V
IN
= 1.8 V ，R 1 = 300千瓦
Vishay Siliconix公司
80
t
f
60
时间（
女士）
t
D（关闭）
40
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
t
D（上）
20
0
0
20
40
R 2 （千瓦）
60
80
100
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 720_C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
4.表层嵌
10
100
600
方波脉冲Dureation （秒）
文档编号： 71809
S- 20008 -REV 。 A， 04 -MAR -02
www.vishay.com
5
Si1040X
Vishay Siliconix公司
与电平转换负载开关
产品概述
V
DS2
(V)
1.8 8
R
DS （ ON）
(Ω)
0.625在V
IN
= 4.5 V
0.890在V
IN
= 2.5 V
1.25在V
IN
= 1.8 V
I
D
(A)
± 0.43
± 0.36
± 0.3
特点
无卤素选项可用
TrenchFET
功率MOSFET
1.8 8 V输入
RoHS指令
柔顺
1.5 8 V的逻辑电平控制
最小LITTLE FOOT
包装：2.6毫米× 1.6毫米
2000 V ESD保护输入开关，V
开/关
可调摆率
Si1040X
4
S2
Q2
6
R1，C1
2, 3
D2
描述
该Si1040X包括P和N沟道MOSFET的
单SC89-6封装。低导通电阻P沟道
TrenchFET是专门用作负载开关。该
n沟道，通过外部电阻，可以作为一
电平漂移来驱动P沟道负载开关。该
N沟道MOSFET具有内置ESD保护，并且可以是
通过逻辑信号驱动低至1.5 V的Si1040X
工作在1.8 V电源线， 8 V ，可驱动
负载高达0.43 A.
5
开/关
Q1
1
R2
SC89-6
顶部
意见
R2
R1，C1
标识代码
开/关
P
WL
很多可追溯性
和日期代码
D2
3
4
S2
部分
数
CODE
1
6
D2
2
5
订货信息：
Si1040X -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si1040X -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
典型应用电路
Si1040X
20
4
V
IN
Q2
R1
6
6
C1
时间（μs ）
12
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3
V
C
i
= 10 F
C
o
= 1 F
t
r
t
D（关闭）
4
t
D（上）
1
R2
R2
GND
0
0
2
4
6
8
10
R2值（kΩ ）
注意：
对于R2切换
与变化
其他
V
IN
/R1
组合见典型特征
2, 3
V
OUT
16
开关R2的变化在V
IN
= 2.5 V ， R1 = 20 kΩ的
t
f
5
开/关
Q1
C
o
负载
8
C
i
文档编号： 71809
S- 80641 -REV 。 C， 24 -MAR -08
www.vishay.com
1
Si1040X
Vishay Siliconix公司
组件
R1
R2
C1
上拉电阻
可选摆率控制
可选摆率控制
典型的10 kΩ至1MΩ
a
典型的0 100 kΩ的
a
典型的1000 pF的
该Si1040X非常适合于高端负载开关的
便携式应用。集成的N通道电平移位
设备通过减少外部元件，节省空间。该
压摆率被设置在外部，使上升时间可以根据
不同负载类型。
注意事项：
一。最小值R 1值应至少为10× R 2 ，以确保Q1开启
ON 。
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
输入电压
的ON / OFF电压
负载电流
连续内在二极管的导通
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
ESD额定值， MIL -STD- 883D人体模型（ 100 pF的， 1500
Ω)
连续
A，B
脉冲
B，C
符号
V
IN
V
开/关
I
L
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
极限
8
8
± 0.43
± 1.0
- 0.15
0.174
- 55 150
2
W
°C
kV
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结到环境（连续电流）
a
最大结到脚（ Q2 ）
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
符号
R
thJA
R
thJC
典型
600
450
最大
720
540
单位
° C / W
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
开关特性
反向漏电流
二极管的正向电压
基本特征
输入电压范围
导通电阻（ P沟道）的1
V
IN
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 4.5 V，I
D
= 0.43 A
R
DS （ ON）
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 2.5 V，I
D
= 0.36 A
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 1.8 V，I
D
= 0.3 A
导通状态（ P沟道）漏电流
I
D（上）
V
IN-OUT
≤
0.2 V, V
IN
= 5 V, V
开/关
= 1.5 V
V
IN-OUT
≤
0.3 V, V
IN
= 3 V, V
开/关
= 1.5 V
1
0.8
1.8
0.500
0.710
1.0
8
0.625
0.890
1.25
A
Ω
V
I
FL
V
SD
V
IN
= 8 V, V
开/关
= 0 V
I
S
= - 0.15 A
0.85
1
1.2
A
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。表面安装在FR4板。
B 。 V
IN
= 8 V, V
开/关
= 8 V ，T
A
= 25 °C.
。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2 %.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
文档编号： 71809
S- 80641 -REV 。 C， 24 -MAR -08
Si1040X
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
1.0
V
开/关
= 1.5
8 V
1.2
0.8
1.0
V
降
(V)
V
降
(V)
0.6
T
J
= 125 °C
0.4
T
J
= 25 °C
0.8
T
J
= 125 °C
0.6
0.4
0.2
0.2
0.0
0.0
0.0
0.0
T
J
= 25 °C
1.4
V
开/关
= 1.5
8 V
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
L
- (A)
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
L
- (A)
V
降
与我
L
在V
IN
= 4.5 V
1.6
1.4
1.2
V
降
(V)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.0
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
V
开/关
= 1.5
8 V
0.8
0.7
0.6
0.5
V
降
与我
L
在V
IN
= 2.5 V
V
开/关
= 1.5
8 V
V
降
(V)
T
J
= 125 °C
0.4
0.3
T
J
= 25 °C
0.2
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
I
L
- (A)
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
V
IN
(V)
3
4
5
V
降
与我
L
在V
IN
= 1.8 V
0.20
0.15
0.10
V
IN
= 1.8
V
0.05
V
IN
= 4.5
V
0.00
- 0.05
- 0.10
- 0.15
- 50
I
L
= 0.3 A
V
开/关
= 1.8
8 V
R
SS （ON）的
- 导通电阻（ Ω ）
1.6
1.4
1.2
1.0
V
降
与我
L
在V
IN
= 0.5 V
I
L
= 0.3 A
V
开/关
= 1.5
8 V
V
降
方差
(V)
T
J
= 125 °C
0.8
0.6
T
J
= 25 °C
0.4
0.2
0.0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
V
IN
(V)
3
4
5
T
J
- 结温（ ° C）
V
降
方差与结温
文档编号： 71809
S- 80641 -REV 。 C， 24 -MAR -08
导通电阻与输入电压
www.vishay.com
3
Si1040X
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
1.6
1.4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.2
V
IN
= 4.5
V
（归一化）
1.0
0.8
0.6
0.4
4
0.2
0.0
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
R2值（kΩ ）
6
8
10
T
J
- 结温（ ° C）
t
D（上）
时间（μs ）
12
I
L
= 0.3 A
V
开/关
= 1.5
8 V
V
IN
= 1.8
V
16
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3
V
C
i
= 10 F
C
o
= 1 F
t
f
20
8
t
D（关闭）
t
r
归一化的导通电阻
- 结温
20
t
f
16
16
20
开关变
R2在V
IN
= 4.5 V ， R1 = 20 kΩ的
t
f
t
r
时间（μs ）
时间（μs ）
12
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3
V
C
i
= 10 F
C
o
= 1 F
12
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3
V
C
i
= 10 F
C
o
= 1 F
8
t
r
8
t
D（关闭）
4
t
D（上）
0
0
2
4
R2值（kΩ ）
6
8
10
0
0
2
4
t
D（关闭）
t
D（上）
4
R2值（kΩ ）
6
8
10
开关变
R2在V
IN
= 2.5 V ， R1 = 20 kΩ的
80
t
D（关闭）
60
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3
V
C
i
= 10 F
C
o
= 1 F
t
f
60
时间（μF）
80
开关变
R2在V
IN
= 1.8 V ， R1 = 20 kΩ的
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3
V
C
i
= 10 F
C
o
= 1 F
t
f
t
D（关闭）
时间（μs ）
40
40
20
t
r
t
D（上）
0
20
40
R2值（kΩ ）
60
80
100
20
t
r
t
D（上）
0
0
0
20
40
60
R2值（kΩ ）
80
100
开关变
R2在V
IN
= 4.5 V ， R1 = 300 kΩ的
www.vishay.com
4
开关变
R2在V
IN
= 2.5 V ，R 1 = 300 kΩ的
文档编号： 71809
S- 80641 -REV 。 C， 24 -MAR -08
Si1040X
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
80
t
f
60
t
D（关闭）
40
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3
V
C
i
= 10 F
C
o
= 1 F
时间（μs ）
t
r
t
D（上）
20
0
0
20
40
R2值（kΩ ）
60
80
100
开关变
R2在V
IN
= 1.8 V ，R 1 = 300 kΩ的
2
1
归
有效的瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 720 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
4.表层嵌
10
100
600
方波脉冲Dureation （S ）
归瞬态热阻抗，结到环境
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?71809 。
文档编号： 71809
S- 80641 -REV 。 C， 24 -MAR -08
www.vishay.com
5
Si1040X
新产品
Vishay Siliconix公司
与电平转换负载开关
产品概述
V
DS2
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.625 @ V
IN
= 4.5 V
1.8 8
0.890 @ V
IN
= 2.5 V
1.25 @ V
IN
= 1.8 V
特点
I
D
(A)
"0.43
"0.36
"0.3
D
D
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET
1.8 8 V输入
1.5 8 V逻辑电平控制
最小LITTLE FOOTr包装：2.6毫米× 1.6毫米
2000 -V ESD保护输入开关，V
开/关
可调摆率
标识代码
标识代码
O
WL
很多可追溯性
和日期代码
销1
识别码
型号代码
描述
该Si1040X包括在一个单一的一个p型和n沟道MOSFET
SC89-6封装。
低导通电阻P沟道
TrenchFET是专门用作负载开关。 n沟道，
用外部电阻，可以作为一个电平移位来驱动
p沟道负载开关。 n沟道MOSFET具有
内置ESD保护，并且可以通过逻辑信号驱动作为
低至1.5V的。在Si1040X运行在1.8电源线
到8 V ，可驱动负载高达0.43 A.
应用电路
Si1040X
20
4
V
IN
Q2
R1
6
6
C1
时间（
女士）
12
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
t
D（关闭）
4
t
D（上）
1
R2
R2
GND
0
0
2
4
R 2 （千瓦）
注意：对于R2切换的变化与其他V
IN
/R1
组合见典型特征
6
8
10
2, 3
V
OUT
16
开关变
R2 @ V
IN
= 2.5 V ，R 1 = 20千瓦
t
f
5
开/关
Q1
C
o
负载
8
C
i
组件
R1
R2
C1
上拉电阻
可选摆率控制
可选摆率控制
典型的10千瓦至1毫瓦*
典型的0到100千瓦*
典型的1000 pF的
该Si1040X非常适合于高端负载开关的
便携式应用。集成的N通道电平移位
设备通过减少外部元件，节省空间。该
压摆率被设置在外部，使上升时间可以根据
不同负载类型。
*最小R 1值应至少为10× R 2 ，以确保Q1导通。
文档编号： 71809
S- 20008 -REV 。 A， 04 -MAR -02
www.vishay.com
1
Si1040X
Vishay Siliconix公司
功能框图
Si1040X
SC89-6
顶视图
S2
Q2
R2
1
6
R1，C1
6
R1，C1
D2
2
5
开/关
5
开/关
Q1
4
2, 3
D2
新产品
D2
3
4
S2
1
R2
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
输入电压
的ON / OFF电压
连续
A，B
负载电流
连续内在二极管的导通
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
ESD额定值， MIL -STD- 883D人体模型（ 100 pF的， 1500
W)
脉冲
B，C
I
L
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
符号
V
IN
V
开/关
极限
8
8
"0.43
"1.0
–0.15
0.174
-55到150
2
单位
V
A
W
_C
kV
热电阻额定值
参数
最大结到环境（连续电流）
a
最大结到脚（ Q2 ）
符号
R
thJA
R
thJC
典型
600
450
最大
720
540
单位
° C / W
_
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
反向漏电流
二极管的正向电压
I
FL
V
SD
V
IN
= 8 V, V
开/关
= 0 V
I
S
= –0.15 A
0.85
1
1.2
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
基本特征
输入电压范围
V
IN
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 4.5 V，I
D
= 0.43 A
导通电阻（ P沟道） @ 1
r
DS （ ON）
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 2.5 V，I
D
= 0.36 A
V
开/关
= 1.5 V, V
IN
= 1.8 V，I
D
= 0.3 A
导通状态（ P沟道）汲极电流
I
D（上）
V
IN-OUT
v
0.2 V, V
IN
= 5 V, V
开/关
= 1.5 V
V
IN-OUT
v
0.3 V, V
IN
= 3 V, V
开/关
= 1.5 V
1
0.8
A
1.8
0.500
0.710
1.0
8
0.625
0.890
1.25
W
V
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。 V
IN
= 8 V, V
开/关
= 8 V ，T
A
= 25_C.
。脉冲测试：脉冲宽度
v300
女士，
占空比
v2%.
www.vishay.com
文档编号： 71809
S- 20008 -REV 。 A， 04 -MAR -02
2
Si1040X
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
V
降
与我
L
@ V
IN
= 4.5 V
1.0
V
开/关
= 1.5 8 V的
1.2
0.8
1.0
V
降
(V)
0.6
T
J
= 125_C
0.4
T
J
= 25_C
V
降
(V)
0.8
T
J
= 125_C
0.6
0.4
0.2
0.2
0.0
0.0
0.0
0.0
T
J
= 25_C
V
开/关
= 1.5 8 V的
1.4
Vishay Siliconix公司
V
降
与我
L
@ V
IN
=
2.5
V
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
L
– (A)
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
L
– (A)
V
降
与我
L
@ V
IN
= 1.8 V
1.6
1.4
1.2
V
降
(V)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.0
T
J
= 125_C
T
J
= 25_C
V
降
(V)
V
开/关
= 1.5 8 V的
0.8
0.7
0.6
0.5
V
降
与V
IN
@ I
L
= 0.5 A
V
开/关
= 1.5 8 V的
T
J
= 125_C
0.4
0.3
T
J
= 25_C
0.2
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
I
L
– (A)
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
V
IN
(V)
3
4
5
V
降
方差与结温
0.20
0.15
V
降
方差（ V）
0.10
V
IN
= 1.8 V
0.05
V
IN
= 4.5 V
–0.00
–0.05
–0.10
–0.15
–50
I
L
= 0.3 A
V
开/关
= 1.8 8 V的
r
SS （ON）的
- 导通电阻（
W
)
1.6
1.4
1.2
1.0
导通电阻与输入电压
I
L
= 0.3 A
V
开/关
= 1.5 8 V的
T
J
= 125_C
0.8
0.6
T
J
= 25_C
0.4
0.2
0.0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
V
IN
(V)
3
4
5
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 71809
S- 20008 -REV 。 A， 04 -MAR -02
www.vishay.com
3
Si1040X
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归一化的导通电阻
- 结温
1.6
1.4
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.2
V
IN
= 4.5 V
时间（
女士）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
R 2 （千瓦）
6
8
10
T
J
=结温（ ° C）
12
I
L
= 0.3 A
V
开/关
= 1.5 8 V的
V
IN
= 1.8 V
16
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
f
20
开关变
R2 @ V
IN
= 4.5 V ，R 1 = 20千瓦
8
t
D（关闭）
4
t
D（上）
t
r
20
开关变
R2 @ V
IN
= 2.5 V ，R 1 = 20千瓦
20
开关变
R2 @ V
IN
= 1.8 V ，R 1 = 20千瓦
t
f
t
f
16
16
t
r
时间（
女士）
12
时间（
女士）
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
12
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
8
t
r
8
t
D（关闭）
4
t
D（上）
0
0
2
4
R 2 （千瓦）
6
8
10
0
0
2
4
t
D（关闭）
t
D（上）
4
6
R 2 （千瓦）
8
10
80
开关变
R2 @ V
IN
= 4.5 V ，R 1 = 300千瓦
t
D（关闭）
80
开关变
R2 @ V
IN
= 2.5 V ，R 1 = 300千瓦
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
60
时间（
女士）
t
f
60
时间（
女士）
t
f
t
D（关闭）
40
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
40
20
t
r
t
D（上）
0
20
40
R 2 （千瓦）
60
80
100
20
t
r
t
D（上）
0
0
0
20
40
60
R 2 （千瓦）
80
100
www.vishay.com
4
文档编号： 71809
S- 20008 -REV 。 A， 04 -MAR -02
Si1040X
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
开关变
R2 @ V
IN
= 1.8 V ，R 1 = 300千瓦
Vishay Siliconix公司
80
t
f
60
时间（
女士）
t
D（关闭）
40
I
L
= 0.36 A
V
开/关
= 3 V
C
i
= 10
mF
C
o
= 1
mF
t
r
t
D（上）
20
0
0
20
40
R 2 （千瓦）
60
80
100
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 720_C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
4.表层嵌
10
100
600
方波脉冲Dureation （秒）
文档编号： 71809
S- 20008 -REV 。 A， 04 -MAR -02
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
