Si1035X
Vishay Siliconix公司
互补N和P沟道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
5在V
GS
= 4.5 V
N沟道
20
7在V
GS
= 2.5 V
9在V
GS
= 1.8 V
10在V
GS
= 1.5 V
8在V
GS
= - 4.5 V
P沟道
- 20
12在V
GS
= - 2.5 V
15在V
GS
= - 1.8 V
20在V
GS
= - 1.5 V
I
D
（MA ）
200
175
150
50
- 150
- 125
- 100
- 30
特点
无卤素选项可用
TrenchFET
功率MOSFET ： 1.5 V额定
非常小的足迹
高侧开关
低导通电阻：
N沟道， 5
Ω
P沟道， 8
Ω
低阈值： ± 0.9 V（典型值）
开关速度快： 45 ns（典型值）。
1.5 V工作电压
门源ESD保护： 2000 V
RoHS指令
柔顺
好处
SC-89
S
1
1
6
D
1
标识代码：M
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
低电池电压工作
G
1
2
5
G
2
应用
D
2
3
4
S
2
顶部
意见
订货信息：
Si1035X -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si1035X -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
更换数字晶体管，电平转换器
电池供电系统
电源转换器电路
负载/电源开关手机，寻呼机
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
b
连续源电流（二极管传导）
最大功率耗散
a
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
450
280
145
190
140
650
380
250
130
- 55 150
2000
- 450
280
145
180
130
5s
稳定状态
20
±5
- 155
- 110
- 650
- 380
250
130
mW
°C
V
- 145
- 105
mA
5s
P沟道
稳定状态
- 20
单位
V
工作结存储温度范围
门源ESD额定值（ HBM ，方法3015 ）
注意事项：
一。表面安装在FR4板。
B 。脉冲宽度有限的最高结温。
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S- 80643 -REV 。 B， 24 -MAR -08
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1
Si1035X
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 2.8 V
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 4.5 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= - 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
V
DS
= - 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 200毫安
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 150毫安
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 175毫安
漏极 - 源极导通状态
阻力
a
R
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= 125毫安
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 150毫安
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 100毫安
V
DS
= 1.5 V，I
D
= 40毫安
V
DS
= - 1.5 V，I
D
= - 30毫安
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
P沟道
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 150毫安
N沟道
V
DD
= 10 V ，R
L
= 47
Ω
I
D
250毫安，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 10
Ω
P沟道
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 65
Ω
I
D
- 150毫安， V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 10
Ω
N沟道
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 150毫安
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
750
1500
75
150
225
450
75
80
ns
75
90
打开-O FF时间
t
关闭
pC
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 200毫安
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 150毫安
I
S
= 150毫安， V
GS
= 0 V
I
S
= - 150毫安， V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
0.5
0.4
1.2
- 1.2
250
- 200
5
8
7
12
9
15
10
20
S
V
Ω
0.40
- 0.40
± 0.5
± 0.5
± 1.5
± 1.0
1
-1
± 1.0
± 1.0
± 3.0
± 3.0
500
- 500
10
- 10
nA
A
mA
A
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开启时间
t
ON
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 71426
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N沟道典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
0.5
V
GS
= 5通1.8
V
0.4
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（ A）
600
T
J
= - 55 °C
500
25 °C
400
125 °C
300
0.3
0.2
200
0.1
1
V
0.0
0
1
2
3
4
5
6
100
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
40
100
传输特性
V
GS
= 0
V
F = 1 MHz的
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
80
- 电容（pF ）
30
C
国际空间站
60
20
40
C
OSS
V
GS
= 1.8
V
10
V
GS
= 2.5
V
V
GS
= 4.5
V
0
0
50
100
150
200
250
20
0
0
C
RSS
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
5
V
DS
= 10
V
I
D
= 150毫安
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.4
1.6
电容
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
V
GS
= 4.5
V
I
D
= 200毫安
（归一化）
1.2
V
GS
= 1.8
V
I
D
= 175毫安
3
2
1.0
1
0.8
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 71426
S- 80643 -REV 。 B， 24 -MAR -08
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N沟道典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
1000
T
J
= 125 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
40
I
S
- 源电流（mA ）
50
I
D
= 200毫安
100
T
J
= 25 °C
30
I
D
= 175毫安
10
T
J
= 50 °C
20
10
1
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- 所以，
u
RCE到漏
V
oltage （
V
)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.3
3.0
导通电阻与栅极至源极电压
0.2
V
GS （ TH）
方差
(V)
I
D
= 0.25毫安
0.1
I
GSS
- (A)
2.5
2.0
0.0
1.5
- 0.1
1.0
V
GS
= 2.8
V
- 0.2
0.5
- 0.3
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（℃ ）
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压变化与温度的关系
BV
GSS
- 栅极至源极击穿
电压
(V)
7
6
5
4
3
2
1
0
- 50
I
GSS
与温度的关系
- 25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（℃ ）
BV
GSS
与温度的关系
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P- CHANNEL典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
0.5
V
GS
= 5通2.5
V
0.4
I
D
- 漏电流（ A）
1.8
V
0.3
I
D
- 漏电流（mA ）
2
V
400
500
T
J
= - 55 °C
25 °C
300
125 °C
0.2
200
0.1
100
0.0
0
1
2
3
4
5
6
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
25
V
GS
= 1.8
V
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
20
- 电容（pF ）
120
传输特性
100
V
GS
= 0
V
F = 1 MHz的
80
C
国际空间站
15
V
GS
= 2.5
V
10
V
GS
= 4.5
V
5
60
40
C
OSS
20
C
RSS
0
4
8
12
16
20
0
0
200
400
600
800
1000
0
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
5
V
DS
= 10
V
I
D
= 150毫安
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.4
1.6
电容
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
V
GS
= 4.5
V
I
D
= 150毫安
（归一化）
1.2
3
2
1.0
V
GS
= 1.8
V
I
D
= 125毫安
1
0.8
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
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S- 80643 -REV 。 B， 24 -MAR -08
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