Si1032R/X
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
5 @ V
GS
= 4.5 V
20
7 @ V
GS
= 2.5 V
9 @ V
GS
= 1.8 V
10 @ V
GS
= 1.5 V
I
D
（MA ）
200
175
150
50
1.5 V额定
特点
D
D
D
D
D
D
低端开关
低导通电阻： 5
W
低阈值： 0.9 V（典型值）
开关速度快： 35纳秒
1.8 V工作电压
门源ESD保护
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
低电池电压工作
应用
D
司机：继电器，螺线管，灯，
锤子，显示器，记忆
D
电池供电系统
D
电源转换器电路
D
负载/电源开关手机，寻呼机
SC- 75A或SC -89
G
1
订货信息：
3
S
2
顶视图
D
SC- 75A （ SOT - 416 ） ： Si1032R -T1
SC- 75A （ SOT - 416 ） ： Si1032R -T1 -E3 （无铅）
SC- 89 （ SOT - 490 ） ： Si1032X -T1
SC- 89 （ SOT - 490 ） ： Si1032X -T1 -E3 （无铅）
打标编号：G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
Si1032R
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
a
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
对于SC 75
SC-75
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
Si1032X
5秒
20
"6
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
5秒
稳定状态
稳定状态
单位
V
200
110
500
250
280
145
140
100
210
150
600
200
140
mA
200
250
130
300
340
170
55
150
2000
240
300
150
mW
_C
V
工作结存储温度范围
门源ESD额定值（ HBM ，方法3015 ）
笔记
。表面安装在FR4板。
文档编号： 71172
S- 40574 -REV 。 C， 29 -MAR -04
www.vishay.com
1
Si1032R/X
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"2.8
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 200毫安
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 175微米的
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 150μm的
V
DS
= 1.5 V，I
D
= 40毫安
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 200毫安
I
S
= 150毫安， V
GS
= 0 V
0.5
1.2
250
5
7
9
10
S
V
W
0.40
0.7
"0.5
"1.0
1.2
"1.0
"3.0
1
10
mA
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 47
W
I
D
^
200毫安，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 10
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 150毫安
750
75
225
50
25
50
25
ns
pC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
输出特性
600
V
GS
= 5通1.8 V
0.4
I D
漏极电流（mA ）
I D
漏电流（ A）
T
J
=
55_C
500
25_C
400
125_C
300
200
100
0
0.0
0.5
传输特性
0.3
0.2
0.1
1V
0.0
0
1
2
3
4
5
6
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71172
S- 40574 -REV 。 C， 29 -MAR -04
2
Si1032R/X
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
50
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
100
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
C
电容（pF）
40
80
C
国际空间站
60
电容
30
20
V
GS
= 1.8 V
10
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
0
50
100
150
200
250
40
C
OSS
20
C
RSS
0
4
0
0
8
12
16
20
I
D
漏极电流（mA ）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
1.60
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 150毫安
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
导通电阻与结温
4
1.40
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 200毫安
3
1.20
V
GS
= 1.8 V
I
D
= 175毫安
2
1.00
1
0.80
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.60
50
25
0
25
50
75
100
125
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
1000
T
J
= 125_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
S
源电流（mA ）
50
导通电阻与栅极至源极电压
40
I
D
= 200毫安
30
I
D
= 175毫安
20
100
T
J
= 25_C
10
T
J
= 50_C
10
1
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71172
S- 40574 -REV 。 C， 29 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si1032R/X
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
阈值电压变化与温度的关系
0.3
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 0.25毫安
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
50
I
GSS
（MA ）
2.0
1.5
1.0
V
GS
= 2.8 V
0.5
0.0
50
3.0
2.5
I
GSS
与温度的关系
25
0
25
50
75
100
125
25
0
25
50
75
100
125
T
J
温度（℃）
T
J
温度（℃）
BV
GSS
与温度的关系
BV
GSS
栅极 - 源极击穿电压（ V）
7
6
5
4
3
2
1
0
50
25
0
25
50
75
100
125
T
J
温度（℃）
归瞬态热阻抗，结到环境（ SC- 75A ， Si1032R只）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 50℃ / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71172
S- 40574 -REV 。 C， 29 -MAR -04
Si1032R/X
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
5 @ V
GS
= 4.5 V
20
7 @ V
GS
= 2.5 V
9 @ V
GS
= 1.8 V
10 @ V
GS
= 1.5 V
I
D
（MA ）
200
175
150
50
1.5 V额定
特点
D
D
D
D
D
D
低端开关
低导通电阻： 5
W
低阈值： 0.9 V（典型值）
开关速度快： 35纳秒
1.8 V工作电压
门源ESD保护
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
低电池电压工作
应用
D
司机：继电器，螺线管，灯，
锤子，显示器，记忆
D
电池供电系统
D
电源转换器电路
D
负载/电源开关手机，寻呼机
SC- 75A或SC -89
G
1
订货信息：
3
S
2
顶视图
D
SC- 75A （ SOT - 416 ） ： Si1032R -T1
SC- 75A （ SOT - 416 ） ： Si1032R -T1 -E3 （无铅）
SC- 89 （ SOT - 490 ） ： Si1032X -T1
SC- 89 （ SOT - 490 ） ： Si1032X -T1 -E3 （无铅）
打标编号：G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
Si1032R
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
a
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
对于SC 75
SC-75
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
Si1032X
5秒
20
"6
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
5秒
稳定状态
稳定状态
单位
V
200
110
500
250
280
145
140
100
210
150
600
200
140
mA
200
250
130
300
340
170
55
150
2000
240
300
150
mW
_C
V
工作结存储温度范围
门源ESD额定值（ HBM ，方法3015 ）
笔记
。表面安装在FR4板。
文档编号： 71172
S- 40574 -REV 。 C， 29 -MAR -04
www.vishay.com
1
Si1032R/X
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"2.8
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 200毫安
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 175微米的
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 150μm的
V
DS
= 1.5 V，I
D
= 40毫安
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 200毫安
I
S
= 150毫安， V
GS
= 0 V
0.5
1.2
250
5
7
9
10
S
V
W
0.40
0.7
"0.5
"1.0
1.2
"1.0
"3.0
1
10
mA
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 47
W
I
D
^
200毫安，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 10
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 150毫安
750
75
225
50
25
50
25
ns
pC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
输出特性
600
V
GS
= 5通1.8 V
0.4
I D
漏极电流（mA ）
I D
漏电流（ A）
T
J
=
55_C
500
25_C
400
125_C
300
200
100
0
0.0
0.5
传输特性
0.3
0.2
0.1
1V
0.0
0
1
2
3
4
5
6
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71172
S- 40574 -REV 。 C， 29 -MAR -04
2
Si1032R/X
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
50
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
100
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
C
电容（pF）
40
80
C
国际空间站
60
电容
30
20
V
GS
= 1.8 V
10
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
0
50
100
150
200
250
40
C
OSS
20
C
RSS
0
4
0
0
8
12
16
20
I
D
漏极电流（mA ）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
1.60
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 150毫安
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
导通电阻与结温
4
1.40
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 200毫安
3
1.20
V
GS
= 1.8 V
I
D
= 175毫安
2
1.00
1
0.80
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.60
50
25
0
25
50
75
100
125
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
1000
T
J
= 125_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
S
源电流（mA ）
50
导通电阻与栅极至源极电压
40
I
D
= 200毫安
30
I
D
= 175毫安
20
100
T
J
= 25_C
10
T
J
= 50_C
10
1
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71172
S- 40574 -REV 。 C， 29 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si1032R/X
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
阈值电压变化与温度的关系
0.3
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 0.25毫安
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
50
I
GSS
（MA ）
2.0
1.5
1.0
V
GS
= 2.8 V
0.5
0.0
50
3.0
2.5
I
GSS
与温度的关系
25
0
25
50
75
100
125
25
0
25
50
75
100
125
T
J
温度（℃）
T
J
温度（℃）
BV
GSS
与温度的关系
BV
GSS
栅极 - 源极击穿电压（ V）
7
6
5
4
3
2
1
0
50
25
0
25
50
75
100
125
T
J
温度（℃）
归瞬态热阻抗，结到环境（ SC- 75A ， Si1032R只）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 50℃ / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71172
S- 40574 -REV 。 C， 29 -MAR -04
Si1032R/X
Vishay Siliconix公司
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
5 @ V
GS
= 4.5 V
20
7 @ V
GS
= 2.5 V
9 @ V
GS
= 1.8 V
10 @ V
GS
= 1.5 V
I
D
（MA ）
200
175
150
50
1.5 V额定
特点
D
D
D
D
D
D
低端开关
低导通电阻： 5
W
低阈值： 0.9 V（典型值）
开关速度快： 35纳秒
1.8 V工作电压
门源ESD保护
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
低电池电压工作
应用
D
司机：继电器，螺线管，灯，
锤子，显示器，记忆
D
电池供电系统
D
电源转换器电路
D
负载/电源开关手机，寻呼机
SC- 75A或SC -89
G
1
订货信息：
3
S
2
顶视图
D
SC- 75A （ SOT - 416 ） ： Si1032R -T1
SC- 75A （ SOT - 416 ） ： Si1032R -T1 -E3 （无铅）
SC- 89 （ SOT - 490 ） ： Si1032X -T1
SC- 89 （ SOT - 490 ） ： Si1032X -T1 -E3 （无铅）
打标编号：G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
Si1032R
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
a
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
对于SC 75
SC-75
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
Si1032X
5秒
20
"6
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
5秒
稳定状态
稳定状态
单位
V
200
110
500
250
280
145
140
100
210
150
600
200
140
mA
200
250
130
300
340
170
55
150
2000
240
300
150
mW
_C
V
工作结存储温度范围
门源ESD额定值（ HBM ，方法3015 ）
笔记
。表面安装在FR4板。
文档编号： 71172
S- 40574 -REV 。 C， 29 -MAR -04
www.vishay.com
1
Si1032R/X
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"2.8
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 200毫安
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 175微米的
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 150μm的
V
DS
= 1.5 V，I
D
= 40毫安
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 200毫安
I
S
= 150毫安， V
GS
= 0 V
0.5
1.2
250
5
7
9
10
S
V
W
0.40
0.7
"0.5
"1.0
1.2
"1.0
"3.0
1
10
mA
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 47
W
I
D
^
200毫安，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 10
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 150毫安
750
75
225
50
25
50
25
ns
pC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
输出特性
600
V
GS
= 5通1.8 V
0.4
I D
漏极电流（mA ）
I D
漏电流（ A）
T
J
=
55_C
500
25_C
400
125_C
300
200
100
0
0.0
0.5
传输特性
0.3
0.2
0.1
1V
0.0
0
1
2
3
4
5
6
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
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V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71172
S- 40574 -REV 。 C， 29 -MAR -04
2
Si1032R/X
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
50
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
100
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
C
电容（pF）
40
80
C
国际空间站
60
电容
30
20
V
GS
= 1.8 V
10
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
0
50
100
150
200
250
40
C
OSS
20
C
RSS
0
4
0
0
8
12
16
20
I
D
漏极电流（mA ）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
1.60
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 150毫安
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
导通电阻与结温
4
1.40
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 200毫安
3
1.20
V
GS
= 1.8 V
I
D
= 175毫安
2
1.00
1
0.80
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.60
50
25
0
25
50
75
100
125
Q
g
总栅极电荷（ NC）
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
1000
T
J
= 125_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
S
源电流（mA ）
50
导通电阻与栅极至源极电压
40
I
D
= 200毫安
30
I
D
= 175毫安
20
100
T
J
= 25_C
10
T
J
= 50_C
10
1
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71172
S- 40574 -REV 。 C， 29 -MAR -04
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3
Si1032R/X
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
阈值电压变化与温度的关系
0.3
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 0.25毫安
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
50
I
GSS
（MA ）
2.0
1.5
1.0
V
GS
= 2.8 V
0.5
0.0
50
3.0
2.5
I
GSS
与温度的关系
25
0
25
50
75
100
125
25
0
25
50
75
100
125
T
J
温度（℃）
T
J
温度（℃）
BV
GSS
与温度的关系
BV
GSS
栅极 - 源极击穿电压（ V）
7
6
5
4
3
2
1
0
50
25
0
25
50
75
100
125
T
J
温度（℃）
归瞬态热阻抗，结到环境（ SC- 75A ， Si1032R只）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 50℃ / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71172
S- 40574 -REV 。 C， 29 -MAR -04
QQ：2881677436 复制
