Si1032R/X
Vishay Siliconix公司
N沟道1.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
5在V
GS
= 4.5 V
20
7在V
GS
= 2.5 V
9在V
GS
= 1.8 V
10在V
GS
= 1.5 V
I
D
（MA ）
200
175
150
50
特点
无卤素选项可用
低端开关
低导通电阻： 5
Ω
低阈值： 0.9 V（典型值）。
开关速度快： 35纳秒
TrenchFET
功率MOSFET ： 1.5 V额定
2000 V ESD保护
RoHS指令
柔顺
好处
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
低电池电压工作
SC- 75A或SC -89
G
1
应用
3
D
S
2
打标编号：G
顶部
意见
驱动程序：继电器，螺线管，照明灯，锤子，显示器，
回忆
电池供电系统
电源转换器电路
负载/电源开关手机，寻呼机
订货信息：
Si1032R -T1 -E3 （ SC- 75A ，铅（Pb ） - 免费）
Si1032R -T1- GE3 （ SC- 75A ，铅（ Pb），且无卤素）
Si1032X -T1 -E3 （ SC- 89 ，铅（Pb ） - 免费）
Si1032X -T1- GE3 （ SC- 89 ，铅（ Pb），且无卤素）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
Si1032R
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
a
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
为SC- 75
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
250
280
145
200
110
500
200
250
130
- 55 150
2000
300
340
170
140
100
5s
稳定状态
20
±6
210
150
600
240
300
150
mW
°C
V
200
140
mA
5s
Si1032X
稳定状态
单位
V
工作结存储温度范围
门源ESD额定值（ HBM ，方法3015 ）
注意事项：
一。表面安装在FR4板。
文档编号： 71172
S- 81543 -REV 。 E， 07 -JUL- 08
www.vishay.com
1
Si1032R/X
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 2.8 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 4.5 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 200毫安
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 175毫安
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 150毫安
V
GS
= 1.5 V，I
D
= 40毫安
前锋
跨
a
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 10 V ，R
L
= 47
Ω
I
D
200毫安，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 10
Ω
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 250毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 200毫安
I
S
= 150毫安， V
GS
= 0 V
750
75
225
50
25
50
25
ns
pC
0.5
1.2
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
250
5
7
9
10
S
V
Ω
0.40
0.7
± 0.5
± 1.0
1.2
± 1.0
± 3.0
1
10
mA
A
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
0.5
V
GS
= 5通1.8
V
0.4
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（ A）
600
T
J
= - 55 °C
500
25 °C
125 °C
400
0.3
300
0.2
200
0.1
1
V
0.0
0
1
2
3
4
5
6
100
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
传输特性
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2
文档编号： 71172
S- 81543 -REV 。 E， 07 -JUL- 08
Si1032R/X
Vishay Siliconix公司
典型特征
50
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
100
V
GS
= 0
V
F = 1 MHz的
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
40
- 电容（pF ）
80
C
国际空间站
60
30
20
V
GS
= 1.8
V
10
V
GS
= 2.5
V
0
0
50
100
150
V
GS
= 4.5
V
200
250
40
C
OSS
20
0
0
C
RSS
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
5
V
DS
= 10
V
I
D
= 150毫安
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.40
1.60
电容
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
V
GS
= 4.5
V
I
D
= 200毫安
1.20
V
GS
= 1.8
V
I
D
= 175毫安
3
2
1.00
1
0.80
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
1000
T
J
= 125 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
40
I
S
- 源电流（mA ）
50
导通电阻与结温
100
T
J
= 25 °C
I
D
= 200毫安
30
10
T
J
= 50 °C
20
I
D
= 175毫安
10
1
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- S 0
u
RCE到漏
V
oltage （
V
)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
浪涌漏二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 71172
S- 81543 -REV 。 E， 07 -JUL- 08
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3
Si1032R/X
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
0.3
3.0
0.2
I
D
= 0.25毫安
V
GS （ TH）
方差
(V)
0.1
I
GSS
- (A)
2.5
2.0
0.0
1.5
- 0.1
1.0
V
GS
= 2.8
V
- 0.2
0.5
- 0.3
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（℃ ）
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压变化与温度的关系
BV
GSS
- 栅极至源极击穿
电压
(V)
7
6
5
4
3
2
1
0
- 50
I
GSS
与温度的关系
- 25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（℃ ）
BV
GSS
与温度的关系
2
1
归
有效的瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 500 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境（ SC- 75A ， Si1032R只）
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?71172 。
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4
文档编号： 71172
S- 81543 -REV 。 E， 07 -JUL- 08
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文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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