Si1031R/X
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
8 @ V
GS
= -4.5 V
-20
12 @ V
GS
= -2.5 V
15 @ V
GS
= -1.8 V
20 @ V
GS
= -1.5 V
1.5 V额定
I
D
（MA ）
-150
-125
-100
-30
特点
D
D
D
D
D
D
高侧开关
低导通电阻： 8
W
低阈值： 0.9 V（典型值）
开关速度快： 45纳秒
1.8 V工作电压
门源ESD保护
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
低电池电压工作
SC- 75A或SC -89
G
1
应用
D
司机：继电器，螺线管，灯，
锤子，显示器，记忆
D
电池供电系统
D
电源转换器电路
D
负载/电源开关手机，寻呼机
SC- 75A （ SOT - 416 ） ： Si1031R
SC- 89 （SOT - 490 ） ： Si1031X
3
D
S
2
顶视图
标记代号：H
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
Si1031R
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
a
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
I
DM
I
S
-250
280
145
Si1031X
5秒
-20
"6
V
-165
-150
-600
-155
-125
mA
符号
V
DS
V
GS
5秒
稳定状态
稳定状态
单位
-150
I
D
-110
-500
-140
-100
-200
250
130
-340
340
170
-55到150
2000
-240
300
150
mW
_C
V
工作结存储温度范围
门源ESD额定值（ HBM ，方法3015 ）
笔记
一。表面安装在FR4板。
文档编号： 71171
S- 31507 -REV 。 B， 7月14日 - 03
www.vishay.com
1
Si1031R/X
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"2.8
V
门体
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
= -5 V, V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -150毫安
漏极 - 源极导通状态
漏源导通电阻
a
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -125米一
V
GS
= -1.8 V，I
D
= -100米一
V
GS
= -1.5 V，I
D
= -30米一
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= -10 V，I
D
= -150毫安
I
S
= -150毫安，V
GS
= 0 V
0.4
-1.2
-200
8
12
15
20
S
V
W
-0.40
"0.5
"1
-1
-1.20
"1
"2
-500
-10
mA
nA
mA
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= -10 V ，R
L
= 65
W
I
D
^
-150毫安，V
根
= -4.5 V ，R
G
= 10
W
V
DS
= -10 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= -150毫安
1500
150
450
55
30
60
30
ns
pC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
输出特性
0.5
V
GS
= 5通2.5 V
0.4
I
D
- 漏电流（ A）
1.8 V
0.3
I
D
- 漏电流（mA ）
2V
400
500
T
J
= -55_C
25_C
传输特性
300
125_C
0.2
200
0.1
100
0.0
0
1
2
3
4
5
6
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71171
S- 31507 -REV 。 B， 7月14日 - 03
2
Si1031R/X
新产品
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
25
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
V
GS
= 1.8 V
- 电容（pF ）
20
120
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
Vishay Siliconix公司
电容
100
80
C
国际空间站
15
V
GS
= 2.5 V
10
V
GS
= 4.5 V
5
60
40
C
OSS
20
C
RSS
0
0
0
200
400
600
800
1000
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 150毫安
4
1.6
导通电阻与结温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 150毫安
1.2
3
2
1.0
V
GS
= 1.8 V
I
D
= 125毫安
1
0.8
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
1000
I
S
- 源电流（mA ）
T
J
= 125_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
40
50
导通电阻与栅极至源极电压
100
T
J
= 25_C
T
J
= -55_C
10
I
D
= 150毫安
30
20
10
I
D
= 125毫安
1
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71171
S- 31507 -REV 。 B， 7月14日 - 03
www.vishay.com
3
Si1031R/X
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
阈值电压变化与温度的关系
0.3
3.0
I
GSS
与温度的关系
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 0.25毫安
0.1
I
GSS
- （毫安）
2.5
2.0
V
GS
= 2.8 V
-0.0
1.5
-0.1
1.0
-0.2
0.5
-0.3
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（℃ ）
T
J
- 温度（℃ ）
BV
GSS
与温度的关系
BV
GSS
- 栅极 - 源极击穿电压（ V）
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境（ SC- 75A ， Si1031R只）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
=500_C/W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71171
S- 31507 -REV 。 B， 7月14日 - 03
Si1031R/X
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
8在V
GS
= - 4.5 V
- 20
12在V
GS
= - 2.5 V
15在V
GS
= - 1.8 V
20在V
GS
= - 1.5 V
I
D
（MA ）
- 150
- 125
- 100
- 30
特点
无卤素选项可用
高侧开关
低导通电阻： 8
Ω
低阈值： 0.9 V（典型值）。
开关速度快： 45纳秒
TrenchFET
功率MOSFET ： 1.5 V额定
ESD保护： 2000 V
RoHS指令
柔顺
应用
驱动程序：继电器，螺线管，照明灯，锤子，显示器，
回忆
电池供电系统
电源转换器电路
负载/电源开关手机，寻呼机
SC- 75A （ SOT - 416 ） ： Si1031R
SC- 89 （SOT - 490 ） ： Si1031X
3
D
SC- 75A或SC -89
G
1
好处
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
低电池电压工作
S
2
顶部
意见
标记代号：H
订货信息：
Si1031R -T1 -E3 （ SC- 75A ，铅（Pb ） - 免费）
Si1031R -T1- GE3 （ SC- 75A ，铅（ Pb），且无卤素）
Si1031X -T1 -E3 （ SC- 89 ，铅（Pb ） - 免费）
Si1031X -T1- GE3 （ SC- 89 ，铅（ Pb），且无卤素）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
Si1031R
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
a
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
- 250
280
145
- 150
- 110
- 500
- 200
250
130
- 55 150
2000
- 340
340
170
- 140
- 100
5s
稳定状态
- 20
±6
- 165
- 150
- 600
- 240
300
150
mW
°C
V
- 155
- 125
mA
5s
Si1031X
稳定状态
单位
V
工作结存储温度范围
门源ESD额定值（ HBM ，方法3015 ）
注意事项：
一。表面安装在FR4板。
文档编号： 71171
S- 81543 -REV 。 C， 07 -JUL- 08
www.vishay.com
1
Si1031R/X
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 2.8 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 4.5 V
V
DS
= - 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 150毫安
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 125毫安
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 100毫安
V
GS
= - 1.5 V，I
D
= - 30毫安
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
符号
测试条件
分钟。
- 0.40
典型值。
a
马克斯。
- 1.2
单位
V
A
nA
A
mA
± 0.5
± 1.0
-1
- 200
± 1.0
± 2.0
- 500
- 10
8
12
15
20
0.4
- 1.2
1500
S
V
Ω
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
= - 10 V，I
D
= 150毫安
I
S
= - 150毫安， V
GS
= 0 V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 150毫安
150
450
55
pC
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 65
Ω
I
D
- 150毫安， V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 10
Ω
30
60
30
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
0.5
V
GS
= 5通2.5
V
0.4
1.8
V
0.3
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（ A）
2
V
400
500
T
J
= - 55 °C
25 °C
125 °C
300
0.2
200
0.1
100
0.0
0
1
2
3
4
5
6
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
传输特性
www.vishay.com
2
文档编号： 71171
S- 81543 -REV 。 C， 07 -JUL- 08
Si1031R/X
Vishay Siliconix公司
典型特征
25
V
GS
= 1.8
V
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
20
- 电容（pF ）
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
120
V
GS
= 0
V
F = 1 MHz的
100
80
C
国际空间站
15
V
GS
= 2.5
V
10
V
GS
= 4.5
V
5
60
40
C
OSS
20
C
RSS
0
0
0
200
400
600
800
1000
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
5
V
DS
= 10
V
I
D
= 150毫安
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.4
1.6
电容
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
V
GS
= 4.5
V
I
D
= 150毫安
1.2
3
2
1.0
V
GS
= 1.8
V
I
D
= 125毫安
1
0.8
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
1000
T
J
= 125 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
40
I
S
- 源电流（mA ）
50
导通电阻与结温
100
T
J
= 25 °C
T
J
= - 55 °C
10
I
D
= 150毫安
30
20
10
I
D
= 125毫安
1
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- 所以，
u
RCE到漏
V
oltage （
V
)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
浪涌漏二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 71171
S- 81543 -REV 。 C， 07 -JUL- 08
www.vishay.com
3
Si1031R/X
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
0.3
3.0
0.2
V
GS （ TH）
方差
(V)
I
D
= 0.25毫安
0.1
I
GSS
- (A)
2.5
2.0
V
GS
= 2.8
V
0.0
1.5
- 0.1
1.0
- 0.2
0.5
- 0.3
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（℃ ）
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压变化与温度的关系
BV
GSS
- 栅极至源极击穿
电压
(V)
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-50
I
GSS
与温度的关系
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（℃ ）
BV
GSS
与温度的关系
2
1
归
有效的瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 500 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
- 4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境（ SC- 75A ， Si1031R只）
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?71171 。
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4
文档编号： 71171
S- 81543 -REV 。 C， 07 -JUL- 08
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
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以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
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文档或任何Vishay的行为。
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另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
Si1031R/X
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
8 @ V
GS
= -4.5 V
-20
12 @ V
GS
= -2.5 V
15 @ V
GS
= -1.8 V
20 @ V
GS
= -1.5 V
1.5 V额定
I
D
（MA ）
-150
-125
-100
-30
特点
D
D
D
D
D
D
高侧开关
低导通电阻： 8
W
低阈值： 0.9 V（典型值）
开关速度快： 45纳秒
1.8 V工作电压
门源ESD保护
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
低电池电压工作
SC- 75A或SC -89
G
1
应用
D
司机：继电器，螺线管，灯，
锤子，显示器，记忆
D
电池供电系统
D
电源转换器电路
D
负载/电源开关手机，寻呼机
SC- 75A （ SOT - 416 ） ： Si1031R
SC- 89 （SOT - 490 ） ： Si1031X
3
D
S
2
顶视图
标记代号：H
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
Si1031R
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
a
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
I
DM
I
S
-250
280
145
Si1031X
5秒
-20
"6
V
-165
-150
-600
-155
-125
mA
符号
V
DS
V
GS
5秒
稳定状态
稳定状态
单位
-150
I
D
-110
-500
-140
-100
-200
250
130
-340
340
170
-55到150
2000
-240
300
150
mW
_C
V
工作结存储温度范围
门源ESD额定值（ HBM ，方法3015 ）
笔记
一。表面安装在FR4板。
文档编号： 71171
S- 31507 -REV 。 B， 7月14日 - 03
www.vishay.com
1
Si1031R/X
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"2.8
V
门体
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
= -5 V, V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -150毫安
漏极 - 源极导通状态
漏源导通电阻
a
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -125米一
V
GS
= -1.8 V，I
D
= -100米一
V
GS
= -1.5 V，I
D
= -30米一
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= -10 V，I
D
= -150毫安
I
S
= -150毫安，V
GS
= 0 V
0.4
-1.2
-200
8
12
15
20
S
V
W
-0.40
"0.5
"1
-1
-1.20
"1
"2
-500
-10
mA
nA
mA
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= -10 V ，R
L
= 65
W
I
D
^
-150毫安，V
根
= -4.5 V ，R
G
= 10
W
V
DS
= -10 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= -150毫安
1500
150
450
55
30
60
30
ns
pC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
输出特性
0.5
V
GS
= 5通2.5 V
0.4
I
D
- 漏电流（ A）
1.8 V
0.3
I
D
- 漏电流（mA ）
2V
400
500
T
J
= -55_C
25_C
传输特性
300
125_C
0.2
200
0.1
100
0.0
0
1
2
3
4
5
6
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71171
S- 31507 -REV 。 B， 7月14日 - 03
2
Si1031R/X
新产品
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
25
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
V
GS
= 1.8 V
- 电容（pF ）
20
120
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
Vishay Siliconix公司
电容
100
80
C
国际空间站
15
V
GS
= 2.5 V
10
V
GS
= 4.5 V
5
60
40
C
OSS
20
C
RSS
0
0
0
200
400
600
800
1000
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 150毫安
4
1.6
导通电阻与结温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 150毫安
1.2
3
2
1.0
V
GS
= 1.8 V
I
D
= 125毫安
1
0.8
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
1000
I
S
- 源电流（mA ）
T
J
= 125_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
40
50
导通电阻与栅极至源极电压
100
T
J
= 25_C
T
J
= -55_C
10
I
D
= 150毫安
30
20
10
I
D
= 125毫安
1
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71171
S- 31507 -REV 。 B， 7月14日 - 03
www.vishay.com
3
Si1031R/X
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
阈值电压变化与温度的关系
0.3
3.0
I
GSS
与温度的关系
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 0.25毫安
0.1
I
GSS
- （毫安）
2.5
2.0
V
GS
= 2.8 V
-0.0
1.5
-0.1
1.0
-0.2
0.5
-0.3
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（℃ ）
T
J
- 温度（℃ ）
BV
GSS
与温度的关系
BV
GSS
- 栅极 - 源极击穿电压（ V）
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境（ SC- 75A ， Si1031R只）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
=500_C/W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71171
S- 31507 -REV 。 B， 7月14日 - 03
Si1031R/X
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
8 @ V
GS
= -4.5 V
-20
12 @ V
GS
= -2.5 V
15 @ V
GS
= -1.8 V
20 @ V
GS
= -1.5 V
1.5 V额定
I
D
（MA ）
-150
-125
-100
-30
特点
D
D
D
D
D
D
高侧开关
低导通电阻： 8
W
低阈值： 0.9 V（典型值）
开关速度快： 45纳秒
1.8 V工作电压
门源ESD保护
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
低电池电压工作
SC- 75A或SC -89
G
1
应用
D
司机：继电器，螺线管，灯，
锤子，显示器，记忆
D
电池供电系统
D
电源转换器电路
D
负载/电源开关手机，寻呼机
SC- 75A （ SOT - 416 ） ： Si1031R
SC- 89 （SOT - 490 ） ： Si1031X
3
D
S
2
顶视图
标记代号：H
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
Si1031R
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
a
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
I
DM
I
S
-250
280
145
Si1031X
5秒
-20
"6
V
-165
-150
-600
-155
-125
mA
符号
V
DS
V
GS
5秒
稳定状态
稳定状态
单位
-150
I
D
-110
-500
-140
-100
-200
250
130
-340
340
170
-55到150
2000
-240
300
150
mW
_C
V
工作结存储温度范围
门源ESD额定值（ HBM ，方法3015 ）
笔记
一。表面安装在FR4板。
文档编号： 71171
S- 31507 -REV 。 B， 7月14日 - 03
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1
Si1031R/X
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"2.8
V
门体
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
= -5 V, V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -150毫安
漏极 - 源极导通状态
漏源导通电阻
a
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -125米一
V
GS
= -1.8 V，I
D
= -100米一
V
GS
= -1.5 V，I
D
= -30米一
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= -10 V，I
D
= -150毫安
I
S
= -150毫安，V
GS
= 0 V
0.4
-1.2
-200
8
12
15
20
S
V
W
-0.40
"0.5
"1
-1
-1.20
"1
"2
-500
-10
mA
nA
mA
mA
V
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= -10 V ，R
L
= 65
W
I
D
^
-150毫安，V
根
= -4.5 V ，R
G
= 10
W
V
DS
= -10 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= -150毫安
1500
150
450
55
30
60
30
ns
pC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
输出特性
0.5
V
GS
= 5通2.5 V
0.4
I
D
- 漏电流（ A）
1.8 V
0.3
I
D
- 漏电流（mA ）
2V
400
500
T
J
= -55_C
25_C
传输特性
300
125_C
0.2
200
0.1
100
0.0
0
1
2
3
4
5
6
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
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V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71171
S- 31507 -REV 。 B， 7月14日 - 03
2
Si1031R/X
新产品
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
25
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
V
GS
= 1.8 V
- 电容（pF ）
20
120
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
Vishay Siliconix公司
电容
100
80
C
国际空间站
15
V
GS
= 2.5 V
10
V
GS
= 4.5 V
5
60
40
C
OSS
20
C
RSS
0
0
0
200
400
600
800
1000
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 150毫安
4
1.6
导通电阻与结温
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.4
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 150毫安
1.2
3
2
1.0
V
GS
= 1.8 V
I
D
= 125毫安
1
0.8
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
1000
I
S
- 源电流（mA ）
T
J
= 125_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
40
50
导通电阻与栅极至源极电压
100
T
J
= 25_C
T
J
= -55_C
10
I
D
= 150毫安
30
20
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I
D
= 125毫安
1
0.0
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1
2
3
4
5
6
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71171
S- 31507 -REV 。 B， 7月14日 - 03
www.vishay.com
3
Si1031R/X
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
阈值电压变化与温度的关系
0.3
3.0
I
GSS
与温度的关系
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 0.25毫安
0.1
I
GSS
- （毫安）
2.5
2.0
V
GS
= 2.8 V
-0.0
1.5
-0.1
1.0
-0.2
0.5
-0.3
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（℃ ）
T
J
- 温度（℃ ）
BV
GSS
与温度的关系
BV
GSS
- 栅极 - 源极击穿电压（ V）
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境（ SC- 75A ， Si1031R只）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
=500_C/W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
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4
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