Si1021R
Vishay Siliconix公司
P通道60 -V (D -S )的MOSFET
产品概述
V
DS (分钟)
(V)
- 60
R
DS ( ON)
(Ω)
4.0在V
GS
= - 10 V
V
GS ( TH)
(V)
- 1到3.0
I
D
(MA )
- 190
特点
无卤素选项可用
TrenchFET
功率MOSFET
高侧开关
低导通电阻: 4
Ω
低阈值: - 2 V (典型值)
开关速度快: 20 ns(典型值)。
低输入电容: 20 pF的(典型值)。
微型封装
ESD保护: 2000 V
RoHS指令
柔顺
SC-75A
(SOT-416)
G
1
应用
驱动程序:继电器,螺线管,照明灯,锤子,显示器,
回忆,晶体管等。
电池供电系统
电源转换器电路
固态继电器
3
D
S
2
标识代码:F
好处
顶部
意见
订货信息:
Si1021R -T1 -E3 (铅(Pb ) - 免费)
Si1021R -T1- GE3 (铅( Pb),并且无卤素)
缓解驾驶开关
低失调电压
低电压操作
高速电路
轻松驱动无缓冲器
中小板面积
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
b
功耗
a
最大结点到环境
a
工作结存储温度范围
注意事项:
一。表面安装在FR4板。
B 。脉冲宽度有限的最高结温。
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
英镑
极限
- 60
± 20
- 190
- 135
- 650
250
130
500
- 55 150
单位
V
mA
mW
° C / W
°C
文档编号: 71410
S- 81543 -REV 。 D, 07 -JUL- 08
www.vishay.com
1
Si1021R
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃,除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
V
DS
V
GS ( TH)
V
GS
= 0 V,I
D
= - 10 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 0.25毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 10 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 10 V ,T
J
= 85 °C
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 5 V
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D(上)
V
DS
= - 50 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 50 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 85 °C
V
DS
= -10 V, V
GS
= - 4.5 V
V
DS
= -10 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 4.5 V,I
D
= - 25毫安
V
GS
= - 10 V,I
D
= - 500毫安
V
GS
= - 10 V,I
D
= - 500毫安,T
J
= 125 °C
正向跨导
二极管正向
电压
a
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
b
开启时间
打开-O FF时间
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
ON
t
关闭
V
DD
= - 25 V ,R
L
= 150
Ω,
I
D
- 200毫安,V
根
= - 10 V ,R
G
= 10
Ω
V
DS
= - 25 V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
V
DS
= - 30 V, V
GS
= - 15 V,I
D
- 500毫安
V
DS
= - 10 V,I
D
= - 100毫安
V
DS
= - 200毫安,V
GS
= 0 V
80
80
1.7
0.26
0.46
23
10
5
20
35
pF
nC
- 50
- 600
8
4
6
mS
V
Ω
- 60
-1
- 3.0
± 10
± 200
± 500
± 100
- 25
- 250
mA
nA
V
A
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
漏源导通电阻
a
R
DS ( ON)
ns
注意事项:
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒,占空比
≤
2 %.
B 。开关时间基本上是独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号: 71410
S- 81543 -REV 。 D, 07 -JUL- 08
Si1021R
Vishay Siliconix公司
典型特征
1.0
V
GS
= 10
V
7
V
0.8
I
D
- 漏电流( A)
8V
I
D
- 漏电流(mA )
900
25 °C
125 °C
600
T
A
= 25 ℃,除非另有说明
1200
T
J
= - 55 °C
0.6
6
V
0.4
5
V
0.2
4
V
0.0
0
1
2
3
4
5
300
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
20
40
传输特性
V
GS
= 0
V
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
16
V
GS
= 4.5
V
- 电容(pF )
32
C
国际空间站
24
12
V
GS
= 5
V
8
V
GS
= 10
V
16
C
OSS
8
C
RSS
4
0
0
200
400
600
800
1000
0
0
5
10
15
20
25
I
D
- 漏电流(mA )
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
15
I
D
= 500毫安
12
R
DS ( ON)
- 导通电阻
V
DS
= 30
V
V
DS
= 48
V
9
1.8
电容
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
1.5
V
GS
= 10
V
500 mA时
1.2
(归一化)
V
GS
= 4.5
V
在25毫安
0.9
6
0.6
3
0.3
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
T
J
- 结温( ° C)
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号: 71410
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Si1021R
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃,除非另有说明
1000
V
GS
= 0
V
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
8
I
D
= 500毫安
I
S
- 源电流( A)
10
100
T
J
= 125 °C
6
4
I
D
= 200毫安
2
10
T
J
= 25 °C
T
J
= - 55 °C
1
0.00
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.5
0.4
0.3
V
GS ( TH)
方差
(V)
2
功率(W)的
0.2
0.1
- 0.0
1
- 0.1
- 0.2
- 0.3
- 50
0.5
3
I
D
= 250
A
2.5
导通电阻与栅源电压
1.5
T
A
= 25 °C
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间(s)
10
100
600
T
J
- 结温( ° C)
阈值电压变化过温
2
1
占空比= 0.5
单脉冲功率,结到环境
归
有效的瞬态
热阻抗
0.2
注意事项:
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 500 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方
WAVE
脉冲持续时间( S)
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗,结到环境
日前,Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件,如包/带图纸,零件标记,并
可靠性数据,请参见
http://www.vishay.com/ppg?71410 。
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文档编号: 71410
S- 81543 -REV 。 D, 07 -JUL- 08
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产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
www.vishay.com
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