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ING RS
TCH拉托
无线谷
性S E
R
SI-8033JD
降压至3.3 V ， 1.5 A ， DC / DC转换器
设计，以满足以高效率在大电流的要求
工业和消费应用;嵌入式内核，存储器，或逻辑
用品;电视机，录像机，办公或电信设备，
SI- 8033JD DC / DC步降（降压）转换器提供恒定的125 kHz
开关频率可以降低EMI噪音是必不可少的。该NPN开关
包括在伴随着振荡器，控制和逻辑电路的管芯
只需要4个外部元件用于在稳压的3.3 V输出
高达1.5答。
宽输入电压范围和集成的热和过流保护
保护提高整个系统的可靠性。参考精度和
提供优良的温度特性。输出使能
输入使设计人员可以完全控制开机，待机或
断电。
该器件采用5引脚表面贴装塑料封装
（ TO-263 ）与接地片，以提供低电阻的路径为最大
散热。在法兰安装（ TO- 220式）的类似装置
高功率封装是SI- 8033JF 。
特点
■
5.3 V至40 V输入范围
■
1.5 A输出电流在3.3 V
■
2％的输出电压容差
■
折返电流限制
■
恒125 kHz的开关频率
■
200 μA最大待机电流
■
软启动防止电源电压骤降
■
远端电压传感
■
裸露焊盘的高散热
■
热保护
应用
■
电视机，录像机，电子游戏
■
嵌入式内核，存储器或逻辑用品
■
打印机连接的CE设备及其他
■
工业机械
■
电信设备
数据表
27469.21*
绝对最大额定值
输入电压V
I
. . . . . . . . . . . . .
43 V
输出电流，I
O
. . . . . . . . . . .
1.5 A*
使能输入电压，V
OE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
6 V
结温，T
J
. . . .
+125°C
存储温度范围，
T
S
. . . . . . . . . . . .
-40°C至+ 125°C
*输出额定电流是由输入限制
电压，占空比和环境温度
真实存在。在任何一组的情况下，不
超过+ 125 ° C的结温。
通过完整的部件号总是订货，例如，
SI-8033JD-TL
,
其中“ -TL ”表示磁带和卷轴。
三垦电源设备
从器Allegro MicroSystems
SI-8033JD
降压
至3.3 V ， 1.5 A ，
DC / DC转换器
功能框图
ING RS
TCH拉托
无线谷
性S E
R
ALLOWABLE封装功耗
推荐工作条件
民
直流输入电压（I
O
≤
1 A)
(I
O
≤
1.5 A)
直流输出电流（V
I
≥
6.3 V)
工作结点温度。
5.3
6.3
0
-30
最大
6.3
40
1.5
+125
单位
V
V
A
°C
对于部分满足的可用性-40°C要求一
ments ，联系Allegro的销售代表。
本数据表是基于三垦数据表SSJ- 02530
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036
版权所有 2004年， 2005年Allegro MicroSystems公司
2
吴RS
i
CH到
它拉
SW EGU
R
SI-8033JD
降压
至3.3 V ， 1.5 A ，
DC / DC转换器
电气特性
在T
A
= + 25 ° C，V
I
= 15 V，I
O
= 0.5 A （除非另有说明） 。
范围
特征
输出电压
参考文献。伏。温度。 COEFF 。
输出短路电流
效率
工作频率
线路调整
负载调整率
静态电流
符号
V
O
测试条件
分钟。
3.234
—
见注
1.6
—
—
V
I
= 8 V 30 V，I
O
= 0.5 A
V
I
= 15 V，I
O
= 0.2 A ~ 0.8 A
I
O
= 0 A
V
CE
= 0.3 V
芯片使能电压
软启动电流
V
CE
I
SS
转换器关断电压
V
SS
= 0 V
—
—
—
—
—
—
典型值。
3.30
±0.5
—
77
125
25
10
7.0
—
—
—
马克斯。
3.366
—
—
—
—
80
30
—
200
0.5
-100
单位
V
毫伏/°C的
A
%
千赫
mV
mV
mA
A
V
A
a
VREF
I
OM
η
f
V
O（ ΔVI ）
V
O（ ΔIO ）
I
IQ
典型值，给出了唯一的电路设计信息。
注意：输出短路电流是点输出电压低于V下降5％ ，在
O（ NOM ）
.
SI-8033JD
测试电路
C1 = 220 μF / 50 V
C2 = 470 μF / 25 V
C3 = 0.47 μF / 10 V
L1 = 100 μH
D1 =三垦SFPB -66
www.allegromicro.com
3
SI-8033JD
降压
至3.3 V ， 1.5 A ，
DC / DC转换器
典型特征
(T
A
= 25°C)
效率
过电流保护
ING RS
TCH拉托
无线谷
性S E
R
低压行为
负载调整率
温度稳定性
4
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036
吴RS
i
CH到
它拉
SW EGU
R
应用信息
输入电容
（C1） 。电容具有低阻抗
用于高频纹波电流，必须使用。
输出电容
（C2） 。电容具有低阻抗
用于高频纹波电流，必须使用。尤其
当C2的阻抗是高时，开关波形
可能不正常的低温。薄膜电容或钽电容
电容C2可能会引起异常振荡。
续流二极管
（D1） 。二极管D1必须是一个肖特基二极管。
其他二极管类型将导致增加的正向电压
尖峰，反向电流，提高IC耗散功率
在关断期间和灰，和可能的破坏
IC 。
扼流线圈
(L1).
如果扼流圈的绕组电阻
线圈过高时，该电路的效率将降低。作为
过电流保护启动电流约为2.5 A，
必须注意，以线圈的磁加热
饱和度由于过载。为了减小输出纹波，该
电感可以增加在过度牺牲
板面积和成本。
SI-8033JD
降压
至3.3 V ， 1.5 A ，
DC / DC转换器
软启动电容
(C3).
软启动器转换器
由端子5之间连接一个电容器启用
和地面。该转换器可以通过降低被关闭
终端5电压低于0.5 V与任何一个NPN
小信号晶体管或集电极开路的TTL的输出。
如果两个大的软启动电容和开/关控制的
需要时，集电极电流限制，必须使用以防止
晶体管的损坏。无外部电压可以施加到
终端5 。
并行操作。
并行操作，以增加负荷
当前是不允许的。
过电流保护。
在SI- 8000JD系列具有
内置折回式过电流保护电路，其
将输出电流限制在一个启动模式。因此，不能
在需要的电流在启动的应用程序中使用
模式，如：
（1）恒定电流负载，
（2）与正，负输出到电源
公共负载（一个中心抽头式电源），或
（3）通过把一个二极管或一个提升的输出电压
器件接地与系统接地之间的电阻。
SI-8033JD
典型用途
www.allegromicro.com
5
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