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1-1-2开关模式稳压器IC
SI-8011NVS
表面贴装，同步整流降压开关模式稳压器控制IC
■特点
表面贴装封装（ TSSOP24 ）
高效率，由于同步整风
化： 93 ％ （在V
IN
= 5V ，我
O
= 1A ，V
O
= 2.5V)
能够缩小扼流线圈，由于IC的的
高开关频率（ 125kHz的典型值，在
时间控制） 。 （与传统的相比，
SANKEN设备）
低参考电压（V
REF
） 1.1V的。该
输出电压是可变的，从1.1V至6V 。
高速响应于负载
兼容低ESR电容
软启动和输出ON / OFF可
内置过电流保护电路
PWRGD函数来指示输出电压
状态
高精度参考电压： 1.1V
±
1.2%
“绝对
最大额定值
参数
控制系统的直流输入电压
直流输入电压
升压模块输入电压
EN端子输入电压
PWRGD端子电压的应用
结温
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
H
V
EN
V
PWRGD
T
j
T
英镑
评级
7
25
30
V
CC
7
+150
-40到+150
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
(T
a
=25°C)
■应用
电源为笔记本电脑和移动设备
板载本地电源
OA设备
对于开关电源的二次侧输出电压的稳定
“推荐
工作条件
参数
控制系统的输入电压范围
输入电压范围
输出电压范围
工作温度范围
符号
V
CC
V
IN
V
O
T
op
评级
4.5 5.5
3至18个
1.1 6
-20至+85
单位
V
V
V
°C
ⅵELECTRICAL
特征
参数
动态
输出电压
短路电流（V
CC
终奌站）
电路
当前
短路电流（V
IN
终奌站）
待机电流1 （V
CC
终奌站）
待机电流2 （V
IN
终奌站）
欠压UVLO工作电压1 （V
CC
终奌站）
封锁
准时
控制
HIGH SIDE
DRIVE
LOW SIDE
DRIVE
引导
UVLO工作电压2 （V
IN
终奌站）
准时
最小关断时间
REF端电压
REF端子源极电流
导通电阻（高压侧）
导通电阻（低压侧）
导通电阻（高压侧）
导通电阻（低压侧）
自举电压
电流限流检测
软启动电流端子
EN低电平电压
EN高电平电压
保护
系统
EN偏置电平电流
PWRGD良好的电压（高压侧）
PWRGD良好的电压（低侧）
PWRGD低输出电压
PWRGD端电流
PWRGD漏电流
符号
V
O
V
O
/T
I
op
I
op
I
std1
I
std2
V
uvlo1
V
uvlo2
T
on
T
关闭
V
REF
I
REF
RonHH
RonHL
RonLH
RonLL
VH- VLIN
I
LIM
I
ss
V
CELO
V
cehi
ICE
V
SENS
V
SENS
V
PWRGD
I
PWRGD
I
PWRGD
1.32
0.88
0.4
120
5
0
2.4
4.5
90
5.5
5.5
5.5
5.5
5
100
±20
0.8
V
CC
5
5.5
110
1.1
3.7
2.5
2
1
1.2
1.3
100
评级
分钟。
–1.2%
典型值。
1.1
±0.03
6
1
100
50
4.4
2.9
马克斯。
+1.2%
单位
V
毫伏/°C的
mA
mA
(T
a
= 25 ° C除非另有规定编）
条件
V
IN
=5V, V
CC
= 5V ， VSNS连接到VO ，我
O
=0A
V
IN
=5V, V
CC
= 5V ， VSNS连接到VO ，我
O
= 0A ，T
a
= 0 85 ℃下
V
CC
= 5V ， EN = H ， FADJ ：开
V
IN
= 5V ， EN = H
V
CC
= 5V ， EN = L
V
IN
= 5V ， EN = L
V
IN
=5V
V
CC
=5V
V
CC
=5V, V
IN
=5V, V
O
=2.5V
V
CC
=5V
V
CC
=5V
V
CC
=5V
VH-VLIN=5V
VH-VLIN=5V
V
CC
=5V
V
CC
=5V
V
CC
=5V, V
IN
=5V
V
CC
=5V
V
CC
=5V
V
CC
=5V
V
CC
= 5V ， EN = 5V
V
CC
=5V
V
CC
=5V
V
CC
= 5V ， Ipwrgd = 120
A
V
CC
= 5V ， Vpwrgd = 0.4V
Vpwrgd=5V
输出电压的特性温度系数
A
A
V
V
S
S
V
A
V
A
A
V
V
A
V
V
V
A
A
78
ICS
SI-8011NVS
外部
外形尺寸（ TSSOP24 ）
2.0
φ
镜面
深度0.02 0.08
A
11
°
（单位：毫米）
1.0
φ
镜面
深度0.02 0.08
5.60±0.1
7.6±0.2
(6.4)
1.90
3.00
1
12
11
°
0.375 TYP
0.65
0.22
+0.1
–0.05
7.80±0.1
7.9±0.2
1.15±0.05
0.15
–0.05
+0.1
0.12 M
A
0.4
11
°
11
°
11
°
11
°
24
13
11
°
0.10±0.05
S
11
°
0.08 S
0.50±0.2
塑胶模具封装类型
阻燃性： UL94V- 0
产品重量：约。 1.36克
°
0~10
块
图（引脚分配）
V
IN
+
+5V
V
CC
1
ILIM
V
IN
艾辛河
V
CC
2
OCP
PRE_REG
EN
H： ON
L： OFF
EN
Vpreg
水平
移
VH
LATCH
BUFF
DRVH
V
O
同步
续。
（逻辑）
LIN
+
UVLO
栅极驱动器
关闭钳
电源良好
H： GOOD
L： NG
PWRGD
动力
良好
–
+
逻辑
BUFF
DRVL
保护地
开关
常开
时续。
+
COMP
–
V
O
VSNS
–
+
OSC
SS
OVP_SL
GND
FADJ
开放式：更改频率
总之： 400kHz的操作
FSET
14
SS
12
SKIP
开放时间：跳跃模式
L
：没有跳跃模式
Typical
接线图
V
IN
R2
V
CC
: 5V
D2 ： SFPL52
C7 : 0.1
F
C1 : 10
F
R1
5m
R5
10
1
2
3
4
C6
0.1 ~ 1
F
C9
1000
pF
5
6
7
8
V
CC
R7
47k
PWRGD
11
12
R10
2.2k
R9
9
10
NC
DRVH
VH
V
IN
艾辛河
伊林
SI-8011NVS
GND
VSNS
V
O
PWRGD
REF
NC
NC
LIN
DRVL
保护地
V
CC
2
LOSDACT
V
CC
1
SS
EN
SKIP
FADJ
NC
24
23
22
21
20
19
18
Q2
R6
10
Q1
L1 : 10
H
V
O
+
D1
SJPJ-L3
C2 :
330
F
C5 : 4.7
F
R3 : 20
C4 : 3.3
F
V
CC
EN
SKIP
R4
47k
C3
0.1
F
17 C8 ： 220PF
16
15
14
13
MOS场效应管Q
1
, Q
2
请务必使用逻辑型MOS FET为Q
1
和Q
2
.
如果使用普通的功率MOS FET型，导通电阻可能不会下降到
由于V的短缺令人满意的水平
GS
。这可能会降低效率
而导致过热。
二极管D
1
请务必使用肖特基势垒二极管
1
.
如果其他二极管一样快恢复二极管时， IC可因为被破坏
由恢复电压或导通电压所产生的反向电压。
扼流线圈L
1
如果扼流线圈的绕组电阻太高，效率可能下降
低于额定值。
注意有关免受电磁扼流线圈散热
饱和度因过载或短路负载。
电容C
1
, C
2
由于有很大的纹波电流流至C
1
和C
2
，采用高频率，低
阻抗电容，旨在为开关模式电源的使用。尤其
当C的阻抗
2
为高电平时，开关波形可能变得abnor-
发作在低温下。对于C
2
，不使用电容极低
等效串联电阻（ESR ），例如陶瓷电容器，这可能导致
异常振荡。
*为了创造最适宜的操作条件，将组件尽可能接近
可能给对方。
R11 ： 100kΩ的
R8 ： 200kΩ的
ICS
79
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