产品说明
斯坦福Microdevices的SHF - 0198系列是一款高perfor-
曼斯铝镓砷/砷化镓异质结场效应管装在一个
低成本带状贴装陶瓷封装。 HFET技
术提高击穿电压，同时尽量减少肖特基
对于较高的功率附加效率的漏电流和
改进的线性度。
在1dB压缩输出功率为SHF- 0198是
+ 27dBm的时候，在9V和偏向于A类操作
150mA电流。这HFET还有一个特点，在5V电压下
电压应用。
此装置可在模拟和数字无线使用
通信基础设施和用户设备
包括蜂窝， PCS ， CDPD ，无线数据和寻呼机。
SHF-0198
DC - 12 GHz时， 0.5瓦
AIGaAs /砷化镓HFET
产品特点
专利AIGaAs /砷化镓异质结场效应管
技术
+ 27dBm的输出功率，在1dB压缩
高功率GaAs场效应管
输出功率与频率的关系
30
28
+38 dBm的输出IP3
高功率附加效率 - 最高达40％ ，在
A级
17分贝增益@ 900兆赫， 14分贝增益@ 1.9GHz的
DBM
26
24
DC
2
4
6
8
10
12
GHz的
应用
AMPS ， PCS基站
VSAT
在大电气规格= 25℃
S y时M B 0 1
克对
P一R A M E TE R 5 ：率T e S T C 0 N D ITIO N s个
P 2 O宽E R G一中
f =
f =
f =
C 0 M·P S S小IO
f =
f =
f =
f =
f =
f =
f =
f =
f =
0 0.9摹
1 0.9摹
2 0.5摹
0 0.9摹
1 0.9摹
2 0.5摹
0 0.9摹
1 0.9摹
2 0.5摹
0 0.9摹
1 0.9摹
2 0.5摹
加利其
D B
D B
D B
D B
D B
D B
D B
D B
D B
D B
D B
D B
M A
M IN 。
1 5
1 2
TY页。
1 7
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1 2
+ 2 7 .5
+ 2 7 .3
+ 2 7 .0
+ 3 8
+ 3 8
+ 3 7
1 .8
2 .2
2 .5
3 0 0
M A X 。
P 1 D B
ü TP ü吨P 2 O 5发E R A吨1 D B
+ 2 6 .5
+ 2 6 .3
IP 3
在T O u那样TP UT牛逼 IR D 2 O的rDer I N TE rcept P 2 O
N· O·P吨
N}÷为e F IG ü
ID S S小
克间
V P
V B的s
V B克
S A TU RA TE
V G S = 0 V
R A C语言ü R R简T： V·D S = 3 V ，
牛逼RA nsconduc TA NCE ： V DS = 3 V ，V GS = 0 V
P IN CH - FF V LTA GE ： V DS = 3 V ，编号S = 1米
克忒 - 为 - S环境允许B reakdown V LTA GE
G A T E - T O服务 - D R A的
B R E A杀敌 W N V ℃的克é
M传
V
V
V
1 7 5
-2 .2
-2 0
-2 0
-1 2
-1 2
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有1999年斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.stanfordmicro.com
3-21
SHF - 0198 DC- 12 GHz的0.5瓦HFET
25典型性能
°
C（ VDS = 9V ， IDS = 150毫安）
| S11 |与频率的关系
0
-5
| S21 |和MAG与频率的关系
30
25
20
15
10
5
0
DC
2
4
6
dB
-10
-15
-20
DC
2
4
6
8
10
12
dB
M股份公司
S21
8
10
12
GHz的
GHz的
| S12 |与频率的关系
0
-20
0
-5
| S22 |与频率的关系
dB
-40
-60
DC
2
4
6
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12
dB
-10
-15
-20
0
2
4
6
8
10
12
高功率GaAs场效应管
GHz的
GHz的
TOIP与频率的关系
39
38
DBM
37
36
35
34
0
2
4
6
8
10
12
GHz的
典型的S参数VDS = 9.0V ，ID = 150毫安
频率摹
.1 0 0
.5 0 0
1 .0 0
2 .0 0
3 .0 0
4 .0 0
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1 1 .0 0
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|S 1 1 |
S11中一个NG
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|S 1 2 |
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|S 2 2 |
S22一NG
0 .8 9 1
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0 .8 1 3
0 .8 0 4
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-1 2
-6 4
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-1 6 7
172
155
137
11 9
101
87
65
54
21
1 1 .8 2
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5 .6 9
3 .9 8
2 .7 6
2 .0 2
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1 .4 5
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1 .3 3
1 .3 8
1 .3 3
177
150
122
97
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52
35
20
-1
-4
-11
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.0 2 3
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.1 3 7
.1 1 5
.2 0 5
.1 6 7
.1 8 6
.2 0 7
89
70
63
47
44
60
65
69
58
60
56
41
42
39
.5 3 9
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-4
-2 7
-4 8
-7 4
-1 0 3
-1 2 3
-1 4 5
-1 5 9
147
148
132
100
89
51
（ S参数包括两个1.0密耳直径的键合线的影响，每30密耳长，连接到栅和漏焊盘上模）
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.stanfordmicro.com
3-22
SHF - 0198 DC- 12 GHz的0.5瓦HFET
绝对最大额定值
参数
符号
绝对
最大
产品型号订购信息
产品型号
SHF-0198
设备每盘
100
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
RF输入功率
通道温度
储存温度
热阻， Junction-
接地线
V
DS
V
GS
I
DS
P
IN
T
CH
T
英镑
R
IN
+10V
-5V
IDSS
100毫瓦
175 C
-65到+175
36摄氏度/ W
注意事项：
以上这些参数中的任何一个1.操作此设备的
可能会造成永久性的损害。
2.安装面温度= 25°C
高功率GaAs场效应管
外形绘图
引脚名称
1
2
3
门
来源
漏
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3-23
产品说明
斯坦福Microdevices的SHF - 0198系列是一款高perfor-
曼斯铝镓砷/砷化镓异质结场效应管装在一个
低成本带状贴装陶瓷封装。 HFET技
术提高击穿电压，同时尽量减少肖特基
对于较高的功率附加效率的漏电流和
改进的线性度。
在1dB压缩输出功率为SHF- 0198是
+ 27dBm的时候，在9V和偏向于A类操作
150mA电流。这HFET还有一个特点，在5V电压下
电压应用。
此装置可在模拟和数字无线使用
通信基础设施和用户设备
包括蜂窝， PCS ， CDPD ，无线数据和寻呼机。
SHF-0198
DC - 12 GHz时， 0.5瓦
AIGaAs /砷化镓HFET
产品特点
专利AIGaAs /砷化镓异质结场效应管
技术
+ 27dBm的输出功率，在1dB压缩
高功率GaAs场效应管
输出功率与频率的关系
30
28
+38 dBm的输出IP3
高功率附加效率 - 最高达40％ ，在
A级
17分贝增益@ 900兆赫， 14分贝增益@ 1.9GHz的
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26
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f =
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C 0 M·P S S小IO
f =
f =
f =
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f =
f =
f =
f =
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0 0.9摹
1 0.9摹
2 0.5摹
0 0.9摹
1 0.9摹
2 0.5摹
0 0.9摹
1 0.9摹
2 0.5摹
0 0.9摹
1 0.9摹
2 0.5摹
加利其
D B
D B
D B
D B
D B
D B
D B
D B
D B
D B
D B
D B
M A
M IN 。
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TY页。
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+ 2 7 .5
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+ 3 8
+ 3 7
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2 .2
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P 1 D B
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+ 2 6 .5
+ 2 6 .3
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在T O u那样TP UT牛逼 IR D 2 O的rDer I N TE rcept P 2 O
N· O·P吨
N}÷为e F IG ü
ID S S小
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V P
V B的s
V B克
S A TU RA TE
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P IN CH - FF V LTA GE ： V DS = 3 V ，编号S = 1米
克忒 - 为 - S环境允许B reakdown V LTA GE
G A T E - T O服务 - D R A的
B R E A杀敌 W N V ℃的克é
M传
V
V
V
1 7 5
-2 .2
-2 0
-2 0
-1 2
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本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有1999年斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
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SHF - 0198 DC- 12 GHz的0.5瓦HFET
25典型性能
°
C（ VDS = 9V ， IDS = 150毫安）
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高功率GaAs场效应管
GHz的
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典型的S参数VDS = 9.0V ，ID = 150毫安
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-1
-4
-11
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-4
-2 7
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（ S参数包括两个1.0密耳直径的键合线的影响，每30密耳长，连接到栅和漏焊盘上模）
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SHF - 0198 DC- 12 GHz的0.5瓦HFET
绝对最大额定值
参数
符号
绝对
最大
产品型号订购信息
产品型号
SHF-0198
设备每盘
100
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
RF输入功率
通道温度
储存温度
热阻， Junction-
接地线
V
DS
V
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I
DS
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英镑
R
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+10V
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IDSS
100毫瓦
175 C
-65到+175
36摄氏度/ W
注意事项：
以上这些参数中的任何一个1.操作此设备的
可能会造成永久性的损害。
2.安装面温度= 25°C
高功率GaAs场效应管
外形绘图
引脚名称
1
2
3
门
来源
漏
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.stanfordmicro.com
3-23
QQ：2881677436 复制
