SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4151 ， REV 。 B
SHD224701
SHDCG224701
低R
DS
密封功率MOSFET - N沟道
产品特点：
100伏， 0.011欧姆， 90A MOSFET的Glidcop版本
隔离密封金属封装
超低低R
DS （ ON）
陶瓷密封件与Glidcop引线（ SHDCG224701 ）
最大额定值
所有评级ARE AT＆T
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
V
GS
I
D25
I
DM
T
J
/T
英镑
P
D
R
θJC
分钟。
-
-
-
-55
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
±20
70*
240
+150
210
0.6
单位
伏
安培
安培
°C
瓦
° C / W
等级
栅极至源极电压
通态漏电流
漏电流脉冲
工作和存储温度
器件总功耗
热阻，结到外壳
注： *电流限制通过包装;死评级是90A
电气特性
特征
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
静态漏极至源极通态电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
静态漏极至源极通态电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
正向跨导
V
DS
= 15V ，我
D
= 30A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 0.8×最大值。评级，V
GS
= 0V ，T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
门源漏FORWARD
V
GS
= 20V
门源漏反向
V
GS
= -20V
打开延迟时间
V
DD
= 50V
上升时间
I
D
= 55A
关闭延迟时间
V
GS
=10V
下降时间
R
G
= 2.5
二极管的正向电压
I
F
= 30A ，V
GS
= 0V
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
反向恢复时间
T
J
= 25°C,
I
F
= 30A ，V
R
= 100V
的di / dt = 100A /微秒
输入电容
V
GS
= 0 V,
输出电容
V
DS
= 25 V,
反向传输电容
F = 1.0MHz的
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
GLIDCOP
VERSION
R
DS （ ON）
标准
VERSION
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
100
-
-
2
25
-
-
-
典型值。
-
0.011
0.013
-
-
-
-
20
110
65
100
1.0
70
8700
740
450
马克斯。
-
0.013
0.015
4
-
1
50
100
-100
30
170
100
150
1.2
140
-
pF
单位
伏
伏
S(1/)
A
nA
纳秒
-
-
-
伏
纳秒
221
西部工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真（ 631 ） 242-9798
万维网网站 - www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SHD224701
SHDCG224701
SENSITRON
技术参数
数据表4151 ， REV 。 B
机械尺寸：单位：英寸/毫米
.165 (4.19
DIA 。
.155 3.94)
.695 (17.65
.685 17.40)
.270 (6.86
.240 6.10)
.045 (1.14
.035 0.89)
.707 (17.96
.697 17.70)
1.302 (33.07
1.202 30.53)
.835 (21.21
.815 20.70)
.550 (13.97
.530 13.46)
1
2
3
.065 (1.65
.055 1.40)
3个地方
0.200 （ 5.08 ） BSC
2个地方
0.140 （ 3.56 ） BSC
TO-258
设备类型
N沟道MOSFET
TO- 258封装
PIN-1
漏
PIN-2
来源
PIN-3
门
免责声明：
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的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
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设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
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根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
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值超过绝对最大额定值。
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半导体。
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