SENSITRON
半导体
技术参数
数据表548 ， REV 。 -
SHD830004
三相MOSFET / IGBT半桥驱动器
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有
电压参数参考COM绝对的电压。热敏电阻是在规定的
电路板安装和静止空气条件。
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源电压
电源电压
逻辑地
逻辑输入电压（ HIN ， LIN ， ITRIP
FLT- CLR ， SD ）
运算放大器的输入电压
FAULT输出电压
热阻
结温
无铅焊接温度， 10秒
符号
V
B1,2,3
V
S1,2,3
V
CC
V
SS
V
IN
V
仪表放大器
V
FLT
R
thJA
T
j
T
L
-55
-
-0.3
V
B1,2,3
- 25
-0.3
- 0.3
V
SS
- 0.3
V
SS
- 0.3
V
SS
- 0.3
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
325
V
B1,2,3
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
80
150
250
最大
V
V
V
V
V
V
V
O
O
O
单位
C / W
C
C
推荐工作条件
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源电压
电源电压
逻辑地
逻辑输入电压（ HIN ， LIN ， ITRIP
FLT- CLR ， SD ）
运算放大器的输入电压
FAULT输出电压
符号
V
B1,2,3
V
S1,2,3
V
CC
V
SS
V
IN
民
V
S1,2,3
+ 10
-5
10
-5
V
SS
-
-
-
-
-
典型值
最大
V
S1,2,3
+ 20
300
20
5
V
SS
+ 5
V
V
V
V
V
单位
V
仪表放大器
V
FLT
V
SS
V
SS
-
-
V
SS
+ 5
V
CC
V
V
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
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电子邮件地址 - sales@sensitron.com
1
SHD830004
数据表548 ， REV 。 -
动态特性
V
CC
=V
BS1,2,3
= 15V, V
S1,2,3
= V
SS
, C
L
= 1 nF的
参数
导通传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
SD
to
产量
传播延迟
ITRIP
to
产量
传播延迟
ITRIP消隐时间
ITRIP到故障
传播延迟
关闭
关闭
V
IN
, V
ITRIP
= 0V,
V
SD
= 0＆安培; 5V
V
IN
= 0V,
V
ITRIP
= 0＆安培; 5V
V
ITRIP
= 1V
V
IN
= 0V,
V
ITRIP
= 0＆安培; 5V
V
IN
= 0＆安培; 5V
V
IN
= 0＆安培; 5V
TEST
条件
V
IN
= 0＆安培; 5V
V
S1,2,3
= 0 300V
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
F
t
sd
t
ITRIP
t
bl
t
FLT
t
FIL
DT
-
民
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
700
700
75
35
700
700
400
500
310
200
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
关闭
输入滤波时间（ HIN ， LIN ， & SD ）
死区时间， LS关断到HS开启& HS
关断， LS开启
静态特性
V
CC
=V
BS1,2,3
= 15V, V
S1,2,3
= V
SS
参数
逻辑“0”输入电压（输出=
LO ）
逻辑“1”输入电压（输出=
HI ）
逻辑“ 0 ”故障清除输入电压
逻辑“ 1 ”故障清除输入电压
SD输入正向阈值
SD输入负门槛
ITRIP
输入
积极
去
门槛
ITRIP输入负向
门槛
静态V
CC
电源电流
电源欠压正
门槛
电源欠压负
门槛
高输出短路脉冲
当前
低输出短路脉冲
当前
TEST
条件
符号
V
IH
V
IL
V
FCLR ， IH
V
FCLR ， IL
V
SD ， TH +
V
SD ， TH-
V
IT， TH +
V
IT， TH-
V
IN
= 0V或5V
I
QCC
V
CCIUV +
V
BSIUV +
V
CCIUV-
V
BSIUV-
I
O+
民
2.2
-
2.2
-
-
-
-
-
-
-
-
200
典型值
-
-
-
-
1.8
1.5
0.485
0.400
4
10.4
9.4
250
最大
-
0.8
-
0.8
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
V
V
mA
V
OUT
= 0V,
V
IN
= 0V,
TP < 10微秒
V
OUT
= 0V,
V
IN
= 0V,
TP < 10微秒
I
O-
420
500
-
mA
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SHD830004
数据表548 ， REV 。 -
原理图
+V
VCC
10F
VB1,2,3
HO1,2,3
HIN1,2,3
LIN1,2,3
故障
ITRIP
FLT- CLR
SD
曹
钙
CA +
VSS
VS1,2,3
产量
LO1,2,3
COM
COM
SEN-4167
封装布局：
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半导体
技术参数
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