SENSITRON
半导体
技术数据，临时数据仅供
数据表4181 ，版本A
SHD675112
SHD675112B
HERMETIC碳化硅整流器
描述：
1200伏， 10安培电源碳化硅整流器在陶瓷
HERMETIC SHD- 2 HIGH PROFILE包装
产品特点：
无恢复时间或反向恢复损耗
没有温度影响的开关行为
最大额定值
等级
峰值反向电压
最大直流输出电流
最大可重复正向浪涌电流
（T = 8.3ms的，正弦波）
最大非重复正向浪涌电流
（T = 10微秒，脉冲）
最大结电容（ V
r
=400V)
最大功率耗散
最大热阻（结到管壳）
最大工作和存储温度范围
所有评级ARE @ T
C
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
PIV
I
O
I
FRM
I
FSM
C
T
P
d
R
θJC
顶， TSTG
马克斯。
1200
10
50
单位
伏
安培
安培
250
安培
70
20
1.80
-55
+200
pF
W
° C / W
°C
电气特性
特征
最大正向电压降我
f
= 10A ，T
J
=25
°C
T
J
=175
°C
最大反向电流PIV = 1200V ，
T
J
= 25
°C
T
J
= 175
°C
总容性充电（V
R
= 1200V ，我
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs到
T
J
= 25 ° C） Q
C
典型值
1.60
2.50
0.05
0.10
60
马克斯。
1.80
3.00
0.40
2.00
不适用
mA
nC
伏
单位
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真：（ 631 ） 242-9798
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电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SHD675112
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SENSITRON
技术数据，临时数据仅供
数据表4181 ，版本A
机械尺寸：单位：英寸/毫米
SHD -2 （ High Profile的）
.315±.010
(8.00±.254)
.315±.010
(8.00±.254)
0.090 （ 2.29 ）最大
0.075 （ 1.91 ）最大
钼盖
氧化铝环
钼基
SHD -2B （ High Profile的）
.465±.020
(11.8± .508)
.315±.010
(8.00±.254)
.150±.010
(3.81±.254)
.315±.010
(8.00±.254)
.015±.005
(.381±.127)
铜阳极
0.090 （ 2.29 ）最大
氧化铝环
钼基
（阴极）
.015±.002
(.381±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
.020±.005 R
(.508±.127 )
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技术数据，临时数据仅供
数据表4181 ，版本A
应用说明：客户应该知道，在碳化硅技术目前的发展阶段，反向雪崩
该装置的能力是有限的。
客户的设计将需要适应这些限制和避免器件的接触这种和其他潜在
破坏性的条件在他们的应用程序。
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技术参数
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1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门最新的版本
的数据表（S ） 。
2 - 在需要极高可靠性的情况下（如核电控制，航空航天，交通设备的使用，
医疗设备和安全设备），安全应该通过使用配有确保安全或由半导体器件来确保
手段，用户的故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或在任何其他原因的责任
该用户的单元，根据所述数据表（多个）操作。 Sensitron半导体公司不承担任何智力不承担任何责任
物业索赔或任何其他问题可能导致的信息，产品或在数据表中所述的电路应用。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体器件中的任何故障或造成的任何二次伤害承担责任
在使用值超过绝对最大额定值。
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7-产品（技术）中的数据表（S ）描述不提供给任何一方，其目的在他们的应用程序将
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派对。在出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合有关法律，
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