SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4336 ， REV 。 B
SHD625051
SHD625051P
SHD625051N
SHD625051D
HERMETIC碳化硅整流器
描述：
A 600伏， 20安的电源碳化硅整流器在密封TO- 254
封装筛选，以任何所需的水平
产品特点：
无恢复时间或反向恢复损耗
没有温度影响的开关行为
陶瓷密封选项
- 对于陶瓷密封件使用部分号码前缀SHDC
高频率选项
- 非磁性Glidcop导致陶瓷密封件，用于提高
表现在高频率;使用部件编号前缀SHDCG
最大额定值
等级
峰值反向电压
最大电流输出（附T
C
= 65
O
下P和N后缀）
最大电流输出（附T
C
= 65
O
下单和D后缀）
最大可重复正向浪涌电流每支架
（T = 8.3ms的正弦）每腿，T
C
= 25
O
C
最大功耗，T
C
= 25
O
C,
最大热阻，结到外壳每支架
最大工作和存储温度范围*
所有评级ARE @ T
C
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
PIV
I
O
I
O
I
FRM
P
d
R
θ
JC
顶， TSTG
马克斯。
600
20
10
50
单位
伏
安培
安培
安培
40
2.5
-55 200
W
° C / W
°C
*
注：碳化硅半导体将处理达到或超过该操作和储存温度。然而，扩展操作使用的
封装器件175℃以上的可能会降低其未来表现。所有资格测试和筛选符合MIL -PRF- 19500将只
进行到175℃ 。
电气特性
特征
最大正向电压降
脉冲（我
f
= 10 A每支架）V
f
最大正向电压降
脉冲（我
f
= 6的PER LEG ）V
f
T
J
= 25°C
T
J
= 150
°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150
°C
典型值
1.65
2.05
1.35
1.60
0.04
0.08
250
35
马克斯。
1.80
2.20
1.45
1.70
0.15
0.50
350
不适用
单位
伏
伏
最大反向电流（I
r
@ 600V PIV每支架）T
J
= 25
°C
T
J
= 150
°C
结电容C
T)
(V
r
= 5V ）每腿
总容性充电
C
T
Q
C
每腿
mA
pF
nC
(V
R
= 600V我
F
= 20A的di / dt = 500A / μs的牛逼
J
= 25 ℃），这是唯一的设计信息
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真：（ 631 ） 242-9798
万维网 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
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SHD625051
SHD625051P
SHD625051N
SHD625051D
机械尺寸
TO-254
.149
.139
(3.78
DIA 。
3.53)
.545 (13.84
.535 13.60)
.260
.249
.050
.040
(6.60
6.32)
(1.27
1.02)
.685 (17.40
.665 16.89)
1.235 (31.37
1.195 30.35)
.800 (20.32
.790 20.07)
.545 (13.84
.535 13.58)
1
2
3
.045 (1.14
.035 0.89)
3个地方
0.150 （ 3.81 ） BSC
2个地方
0.150 （ 3.81 ） BSC
接脚分布表
TYPE
单整流器
双整流器/共阴极（ P）
双整流器/共阳极（N ）
双整流器/ DOUBLER （D ）
销1
阴极
阳极1
阴极1
阳极
销2
阳极
常见
阴极
常见
阳极
阳极/
阴极
3脚
阳极
阳极2
阴极2
阴极
概要
1
2
单身
3
1
2
3
共阴极
1
2
3
共阳极
3
2
倍
1
应用说明：客户应该知道，在碳化硅技术目前的发展阶段，反向雪崩
该装置的能力是有限的。
客户的设计将需要适应这些限制和避免器件的接触这种和其他潜在
破坏性的条件在他们的应用程序。
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技术参数
数据表4336 ， REV 。 B
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真：（ 631 ） 242-9798
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HERMETIC碳化硅整流器
描述：
A 600伏， 20安的电源碳化硅整流器在密封TO- 254
封装筛选，以任何所需的水平
产品特点：
无恢复时间或反向恢复损耗
没有温度影响的开关行为
高频率选项
- 非磁性Glidcop导致陶瓷密封件，用于提高
表现在高频率;使用部件编号前缀SHDCG
最大额定值
等级
峰值反向电压
最大直流输出电流
以T
C
= 65℃ ，与P和N后缀的部件号
最大直流输出电流
以T
C
= 65℃ ，与单和D后缀的部件号
最大可重复正向浪涌电流每支架
O
（T = 8.3ms的正弦）每腿，T
C
= 25 C
最大非重复正向浪涌电流每支架
O
（T = 10微秒，脉冲）每腿，T
C
= 25 C
最大结电容（ V
r
= 5V ）每腿
最大功耗，T
C
= 25
O
C,
最大热阻，结到外壳（每双包装
共阴/阳极配置）
最大工作和存储温度范围
I
FRM
I
FSM
C
T
P
d
R
θ
JC
顶， TSTG
50
250
350
40
2.1
-55
+175
安培
安培
pF
W
° C / W
°C
O
O
所有评级ARE @ T
C
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
PIV
I
O
I
O
马克斯。
600
20
10
单位
伏
安培
安培
电气特性
特征
最大正向电压降
脉冲（我
f
= 10 A每支架）V
f
最大正向电压降
脉冲（我
f
= 6的PER LEG ）V
f
T
J
= 25°C
T
J
= 150
°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150
°C
典型值
1.65
1.85
1.35
1.50
0.04
0.08
40
马克斯。
1.75
1.95
1.45
1.60
0.15
0.50
不适用
单位
伏
伏
最大反向电流（I
r
@ 600V PIV每支架）T
J
= 25
°C
T
J
= 150
°C
总容性充电（V
R
= 600V我
F
= 10A的di / dt = 500A / μs的牛逼
J
= 25 ° C） Q
C
每
腿
mA
nC
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SHD625051D
机械尺寸
TO-254
.149
.139
(3.78
DIA 。
3.53)
.545 (13.84
.535 13.60)
.260
.249
.050
.040
(6.60
6.32)
(1.27
1.02)
.685 (17.40
.665 16.89)
1.235 (31.37
1.195 30.35)
.800 (20.32
.790 20.07)
.545 (13.84
.535 13.58)
1
2
3
.045 (1.14
.035 0.89)
3个地方
0.150 （ 3.81 ） BSC
2个地方
0.150 （ 3.81 ） BSC
接脚分布表
TYPE
单整流器
双整流器/共阴极（ P）
双整流器/共阳极（N ）
双整流器/ DOUBLER （D ）
销1
阴极
阳极1
阴极1
阳极
销2
阳极
常见
阴极
常见
阳极
阳极/
阴极
3脚
阳极
阳极2
阴极2
阴极
概要
1
2
单身
3
1
2
3
共阴极
1
2
3
共阳极
3
2
倍
1
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应用说明：客户应该知道，在碳化硅技术目前的发展阶段，反向雪崩
该装置的能力是有限的。
客户的设计将需要适应这些限制和避免器件的接触这种和其他潜在
破坏性的条件在他们的应用程序。
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的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
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