SENSITRON
半导体
技术参数
数据表623 ， REV -
SHD239607
密封功率MOSFET
N沟道
产品特点：
600伏， 0.35欧姆MOSFET
隔离和密封式
表面贴装封装
电气上等同于IXTM20N60
最大额定值
等级
栅极至源极电压
连续漏电流
所有评级ARE AT＆T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
V
GS
I
D
I
DM
T
OP
/T
英镑
R
θJC
P
D
分钟。
-
-
-
-55
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
±20
20
80
+150
0.27
450
单位
伏
安培
安培
°C
° C / W
瓦
V
GS
= 10V ，T
C
= 25°C
漏电流脉冲
@ T
C
= 25°C
工作和存储温度
TERMAL抗结到管壳
器件总功耗@ T
C
= 25°C
电气特性
特征
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
正向跨导
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A
零栅压漏极电流，T
J
= 25°C
(V
DS
= 0.8xMax 。评级，V
GS
= 0V ），T
J
= 125°C
门源漏FORWARD
V
GS
= 20V
门源漏反向
V
GS
= -20V
总栅极电荷
V
GS
= 10 V,
门源费
V
DS
= 300V,
栅漏电荷
I
D
= 10A
打开延迟时间
V
DS
= 300V,
上升时间
I
D
= 10A,
关闭延迟时间
R
G
= 2.0Ω,
下降时间
V
GS
= 10V
二极管的正向电压
T
J
= 25 ° C，I
F
= I
S
V
GS
= 0V
反向恢复时间
T
J
= 25°C,
I
F
= I
S
,
的di / dt
≤
= 100A /微秒
输入电容
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V,
输出电容
f=1MHz
反向传输电容
符号
BV
DSS
分钟。
600
-
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
2.0
11
-
-
-
典型值。
-
-
-
18
-
-
150
29
60
20
43
70
40
-
600
0.35
4.5
-
250
1000
100
-100
170
40
85
40
60
90
60
1.5
-
马克斯。
-
单位
伏
Ω
伏
S(1/Ω)
μA
nA
nC
-
纳秒
-
-
伏
纳秒
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
4500
420
140
-
pF
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真：（ 631 ） 242-9798
万维网 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SHD239607
SENSITRON
数据表623
修订 -
机械尺寸：单位：英寸/毫米
.150±.007
(3.81±.178)
.090±.003
(2.286±.0762)
.040±.002
(1.016±.0508)
.020±.002
(.508±.0508)
.785±.005
(19.94±.127)
2
.594±.009
(15.09±.229)
.257±.003
(6.53±.076)
2
1
.080±.003
(2.032±.076)
3
.487±.003
(12.37±.076)
.200±.003
(5.08±.076)
2
SHD-6
接脚分布表
设备类型
MOSFET
SHD- 6封装
销1
漏
销2
来源
3脚
门
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真：（ 631 ） 242-9798
万维网 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
TYPE
数
来源
击穿
电压
V（ BR ） DSS
伏
漏
当前
ID
安培
25°C
100°C
动力
耗散
PD
瓦
25°C
漏
SOURCE ON
阻力
RDS （ ON）
欧
安培
热
阻力
R
θJC
° C / W
部件类型
PKG 。
风格
SHD2189
SHD21810
-100
-200
-18
-11
-11
-7
125
125
.20
.50
-11
-7
1.0
1.0
IRF9140
IRF9240
SHD-5
SHD2189A
SHD21810A
-100
-200
-18
-11
-11
-7
125
125
.20
.50
-11
-7
1.0
1.0
IRF9140
IRF9240
SHD-5A
SHD2189B
-100
-18
-11
125
125
.20
.50
-11
-7
1.0
1.0
IRF9140
IRF9240
SHD-5B
SHD21810B
-200
-11
-7
注意事项：
- 所有的评级是在Tc = 25 ℃，除非另有规定。
- 最大工作和存储温度-55°C至+ 150°C 。
引脚配置
设备类型
MOSFET - SHD- 5 ， SHD- 5A ， SHD -5B ，
LCC -3P ， SHD- 6
注：陶瓷密封件及GlidCop导致可用。
销1
漏
销2
来源
3脚
门
QQ：2881677436 复制
