SENSITRON
半导体
技术参数
数据表871 , REV 。 -
SHD225409
密封功率MOSFET
P沟道
产品特点:
-100伏, 0.21欧姆, -13A MOSFET
封闭式金属封装
快速开关
电相当于IRFY9140系列
最大额定值
等级
栅极至源极电压
通态漏电流
@ T
C
= 25C
漏电流脉冲
@ T
C
= 25C
工作和存储温度
热阻,结到外壳
器件总功耗
@ T
C
= 25C
所有评级ARE AT&T
C
= 25℃ ,除非另有规定。
符号
V
GS
I
D(上)
I
DM
T
OP
/T
英镑
R
thJC
P
D
符号
BV
DSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-
-
-
-55
-
-
分钟。
-100
31
3.7
7.0
-
-2.0
6.2
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
20
-13
-52
+150
0.88
140
马克斯。
-
60
13
35.2
0.21
0.24
-4.0
-
-25
-250
100
-100
35
85
85
65
-4.2
280
单位
伏
安培
安培
C
° C / W
瓦
单位
伏
nC
nC
nC
W
伏
S(1/W)
mA
nA
纳秒
伏
纳秒
电气特性
特征
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时,我
D
= 1.0毫安
总栅极电荷
V
GS
= -10V ,我
D
= -13A ,V
DS
= 0.5× V
DS
马克斯。
栅极至源极导通电压
V
GS
= -10V ,我
D
= -13A ,V
DS
= 0.5× V
DS
马克斯。
闸漏极电荷
V
GS
= -10V ,我
D
= -13A ,V
DS
= 0.5× V
DS
马克斯。
静态漏极至源极通态电阻
V
GS
= 10V ,我
D
= -8.4A
V
GS
= 10V ,我
D
= -13A
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= -250mA
正向跨导
V
DS
15V
DS ( ON)
, I
D
= -8.2A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 0.8倍最大。评级,V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8倍最大。评级,V
GS
= 0V ,T
J
= 125C
门源漏FORWARD
V
GS
= 20V
门源漏反向
V
GS
= -20V
打开延迟时间
V
DD
= -50V,
上升时间
I
D
= -13A,
关闭延迟时间
R
G
= 9.1W,
下降时间
V
GS
= -10V
二极管的正向电压
T
C
= 25 ° C,I
S
= -13A,
V
GS
= 0V
反向恢复时间
T
J
= 25C,
I
S
= -13 A, di / dt的
-100A/msec,
V
DD
-50 V
输入电容
V
GS
= 0 V,
输出电容
V
DS
= 25 V,
反向传输电容
F = 1.0MHz的
-
-
-
-
-
1400
600
200
-
pF
221西工业苑鹿园,NY 11729-4681电话( 631 ) 586-7600传真( 631 ) 242-9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SHD225409
SENSITRON
数据表871
修订 -
机械尺寸:单位:英寸/毫米
.149 (3.78
DIA 。
.139 3.53)
.545 (13.84
.535 13.60)
.260
.249
.050
.040
(6.60
6.32)
(1.27
1.02)
.685 (17.40
.665 16.89)
1.235 (31.37
1.195 30.35)
.800 (20.32
.790 20.07) .545 (13.84
.535 13.58)
1
2
3
.045 (1.14
.035 0.89)
3个地方
0.150 ( 3.81 ) BSC
2个地方
0.150 ( 3.81 ) BSC
TO-254
接脚分布表
设备类型
MOSFET
TO- 254封装
销1
漏
销2
来源
3脚
门
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