SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4197 ， REV 。 -
SHD224622
密封功率MOSFET
N沟道
产品特点：
200伏， 80A ， 36毫
隔离密封金属封装
快速内在整流器
低封装电感，易于驾驶和保护
添加后缀s的S- 100筛选
最大额定值
等级
栅极至源极电压
通态漏电流@ T
C
= 25C
漏电流脉冲@ T
C
= 25C
工作和存储温度
热阻，结到外壳
器件总功耗@ T
C
= 25C
所有评级ARE AT＆T
C
= 25℃ ，除非另有规定。
符号
V
GS
I
D（上）
I
DM
T
OP
/T
英镑
R
thJC
P
D
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-
-
-
-55
-
-
分钟。
200
-
2.0
35
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
45
-
-
-
26
50
75
20
-
-
4600
1100
500
马克斯。
20
80
300
+150
0.25
500
马克斯。
-
0.036
4.0
-
50
1.0
100
-100
-
单位
伏
安培
安培
C
° C / W
瓦
单位
伏
W
伏
S(1/W)
mA
mA
nA
纳秒
伏
纳秒
pF
电气特性
等级
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250
mA
静态漏极至源极通态电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
正向跨导
V
DS
= 10V ，我
D
= 40A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 0.8xMax 。评级，V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8xMax 。评级，V
GS
= 0V ，T
J
= 125C
门源漏FORWARD
V
GS
= 20V
门源漏反向
V
GS
= -20V
打开延迟时间
V
DS
= 100V,
上升时间
I
D
= 40A,
关闭延迟时间
R
G
= 2.0W,
下降时间
V
GS
= 10V
二极管的正向电压
T
C
= 25 ° C，I
S
= 80A,
V
GS
= 0V
反向恢复时间
T
J
= 25C
I
F
= 80A ， -di / DT = 100A /毫秒，V
R
= 100V
输入电容
V
GS
= 0 V
输出电容
V
DS
= 25 V
反向传输电容
F = 1.0MHz的
-
-
-
1.5
200
-
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
万维网网站 - www.sensitron.com电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SHD224622
SENSITRON
技术参数
数据表4197 ，版本 -
机械尺寸：单位：英寸/毫米
.165 (4.19
DIA 。
.155 3.94)
.695 (17.65
.685 17.40)
.270 (6.86
.240 6.10)
.045 (1.14
.035 0.89)
.707 (17.96
.697 17.70)
1.302 (33.07
1.202 30.53)
.835 (21.21
.815 20.70)
.550 (13.97
.530 13.46)
1
2
3
.065 (1.65
.055 1.40)
3个地方
0.200 （ 5.08 ） BSC
2个地方
0.140 （ 3.56 ） BSC
TO-258
接脚分布表
设备类型
MOSFET IN A
TO- 258封装
销1
漏
销2
来源
3脚
门
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SENSITRON
半导体
技术参数
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医疗设备和安全设备），安全应该通过使用配有确保安全或由半导体器件来确保
手段，用户的故障安全防范措施或其他安排。
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