SHD116212
SHD116212B
SENSITRON
半导体
技术参数
数据表748 ， REV 。一
功率肖特基整流器
极低压降
描述：
45伏， 15安培，功率肖特基整流器在密闭SHD - 1 / 1B包。
最大额定值
等级
峰值反向电压
最大直流输出电流（阴极维护@ T
C
=100
O
C)
最大非重复正向浪涌电流
（T = 8.3ms的，正弦波）
最大结电容
(V
r
=5V)
C
T
R
θJC
热门/ TSTG
800
0.85
-65
+ 150
pF
° C / W
°C
所有评级ARE @ T
C
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
PIV
I
O
I
FSM
马克斯。
45
15
280
单位
伏
安培
安培
最大热阻（结到安装表面，阴极）
最大工作和存储温度范围
电气特性
特征
最大正向电压降，脉冲（I
f
= 15安培）
T
J
= 25
°C
T
J
= 125
°C
最大反向电流
(I
r
@ 45V)
T
J
= 25
°C
T
J
= 125
°C
I
r
1.5
70
mA
V
f
0.56
0.51
伏
符号
马克斯。
单位
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
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电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SHD116212
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SENSITRON
数据表748 ， REV 。一
机械尺寸：单位：英寸/毫米
.22 5± .01 0
(5.7 1± .25 4)
.375±.020
(9.52±.508)
.225±.010
(5.71±.254)
.150±.010
(3.81±.254)
.225 ± .010
(5.71± .254)
.225±.010
(5.71±.254)
.015±.005
(.381±.127)
铜阳极
0.07 5 （ 1 0.91 ）M AX
明矾INA 荷兰国际集团
M奥菱B酶
M奥菱盖
0.090 （ 2.29 ）最大
氧化铝环
钼基
（阴极）
.020±.005 R
(.508±.127 )
.015±.002
(.381±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
SHD-1
SHD-1B
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故障安全防范措施或其他安排。
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值超过绝对最大额定值。
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注意：
V
F
曲线显示了只能等死。
典型的正向特性
瞬时反向电流 - I
R
（MA ）
10
2
典型的反向特性
150 °C
10
1
10
1
125 °C
100 °C
75 °C
150 °C
10
0
瞬时正向电流 - I
F
(A)
10
-1
50 °C
10
-2
125 °C
10
0
10
-3
25 °C
25 °C
0
10
20
30
40
反向电压 - V
R
(V)
50
结电容 - C
T
（PF ）
典型结电容
800
700
600
500
400
300
200
0
10
20
30
40
反向电压 - V
R
(V)
50
10
-1
0.0
0.2
0.4
0.6
正向电压下降 - V
F
(V)
0.8
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