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SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4669 , REV 。初步
SHD123668P
SHD123668N
SHD123668D
功率肖特基整流器
非常低反向漏
应用范围:
开关电源
转换器
续流二极管
极性保护二极管
产品特点:
超低反向漏电流
软反向恢复低温和高温
极低的正向电压降
低功耗,高效率
高浪涌能力
保护环,增强耐用性和长期可靠性
保证反向雪崩特性
出执行200伏超快整流器
最大额定值:
特征
峰值反向电压
马克斯。平均正向
当前
马克斯。平均正向
当前
马克斯。峰值一个周期非
重复浪涌电流
非重复性雪崩
能源
重复性雪崩
当前
热阻
最大。结温
马克斯。储存温度
符号
V
RWM
I
F( AV )
条件
-
50%的占空比,矩形
波形共阴极
( N) /共阳极( P)
50%的占空比,矩形
波形倍增(D )
8.3毫秒,半正弦波
(每站)
T
J
= 25
°C,
I
AS
= 1.3 A,
L = 40mH (每站)
I
AS
线性地衰减到0 1
s
限制T
J
MAX V
A
=1.5V
R
每包
-
-
马克斯。
15
150
单位
V
A
I
F( AV )
I
FSM
E
AS
I
AR
R
thJC
T
J
T
英镑
120
1000
27
1.3
0.2
-65到+100
-65到+100
A
A
mJ
A
° C / W
°C
°C
电气特性:
条件
马克斯。
单位
0.51
V
@ 120A ,脉冲,T
J
= 25
°C
(每站)在导线测量
0.47
V
V
F2
@ 120A ,脉冲,T
J
= 125
°C
(每站)在导线测量
马克斯。反向电流
I
R1
@V
R
= 15V ,脉冲,
40
mA
T
J
= 25
°C
(每站)
2000
mA
I
R2
@V
R
= 15V ,脉冲,
T
J
= 125
°C
(每站)
7200
pF
马克斯。结电容
C
T
@V
R
= 5 V ,T
C
= 25
°C
f
SIG
= 1 MHz时,
V
SIG
= 50mV的( P-P ) (每站)
由于15V的肖特基器件的性质,在叔一些降解
rr
性能在高温下应
预期,与常规低电压肖特基二极管。
特征
马克斯。正向电压降
符号
V
F1
221西工业苑
鹿园,NY 11729-4681
( 631 ) 586-7600传真( 631 ) 242-9798
万维网 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SHD123668P
SHD123668N
SHD123668D
技术参数
数据表4669 , REV 。初步
机械尺寸:单位:英寸/毫米
1.27 (32.26
1.23 31.24)
0.64 (16.26
0.60 15.24)
0.720 (18.29
0.680 17.27)
1
0.167 (4.24
迪亚
0.147 3.73)
0.220 (5.59
0.180 4.57)
3个地方
0.030 (0.762
0.010 0.254)
0.260 ( 6.61 )最大
2
3
0.50 ( 12.70 )最小
0.370 (9.40
0.330 8.38)
0.40 ( 10.16 )典型值
壳牌环氧树脂
散热器
0.180 (4.57
0.140 3.55)
如图VF曲线仅用于模具。
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SENSITRON
半导体
技术参数
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1本文提供的信息,包括规格和尺寸,如有更改,恕不另行通知,以提高产品
的特点。订货前,买家应联系Sensitron半导体销售部门最新的版本
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2 - 在需要极高可靠性的情况下(如核电控制,航空航天,交通设备的使用,
医疗设备和安全设备),安全应该通过使用配有确保安全或由半导体器件来确保
手段,用户的故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下, Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或在任何其他原因的责任
该用户的单元,根据所述数据表(多个)操作。 Sensitron半导体公司不承担任何智力不承担任何责任
物业索赔或任何其他问题可能导致的信息,产品或在数据表中所述的电路应用。
4-在任何情况下, Sensitron半导体是在半导体器件中的任何故障或造成的任何二次伤害承担责任
在使用值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表(S ) 。
6数据表(S )不得转载或复制,以任何形式,全部或部分,未经明确的书面许可,
Sensitron半导体。
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的规定。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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联系人:刘先生
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