SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4595 ， REV 。 -
SHD118411
SHD118411A
SHD118411B
HERMETIC肖特基整流器
极低的正向电压降
产品特点：
软反向恢复低温和高温
极低的正向电压降
低功耗，高效率
高浪涌能力
保护环，增强耐用性和长期可靠性
保证反向雪崩特性
最大额定值
特征
峰值反向电压
马克斯。平均正向电流
马克斯。平均正向电流
马克斯。峰值一个周期非
重复浪涌电流
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
最大热阻
最大。结温
马克斯。储存温度
符号
V
RWM
I
F（ AV ）
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
I
AR
R
θJC
T
J
T
英镑
条件
-
50％的占空比，矩形
波形（单人）
50％的占空比，矩形
波形（共阴极）
8.3毫秒，半正弦波
（每站）
T
J
= 25
°C,
I
AS
= 3.0 A,
L = 4.4毫亨（每站）
I
AS
线性地衰减到0 1
s
限制T
J
MAX V
A
=1.5V
R
直流操作
-
-
马克斯。
30
30
60
570
20
3.0
0.25
-65到+150
-65到+150
单位
V
A
A
A
mJ
A
° C / W
°C
°C
电气特性
特征
马克斯。正向电压降
（每站）
马克斯。反向电流
（每站）
马克斯。结电容
（每站）
符号
V
F1
V
F2
I
R1
I
R2
C
T
条件
@ 30A ，脉冲，T
J
= 25
°C
@ 30A ，脉冲，T
J
= 125
°C
@V
R
= 30V ，脉冲，
T
J
= 25
°C
@V
R
= 30V ，脉冲，
T
J
= 125
°C
@V
R
= 5V ，T
C
= 25
°C
f
SIG
= 1MHz时，
V
SIG
= 50mV的（ π-π ）
马克斯。
0.49
0.39
4
200
2200
单位
V
V
mA
mA
pF
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真：（ 631 ） 242-9798
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电子邮件 - sales@sensitron.com
SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4595 ， REV 。 -
机械尺寸：单位：英寸/毫米
.370±.010
(9.40±.254)
.370? 010
(9.40? 254)
SHD118411
SHD118411A
SHD118411B
.510?
SHD-5A
020
(12.9? 508)
.370?010
(9.40?254)
.520?020
SHD-5B
(13.2?508)
2
.610±.010
(15.5±.254)
3
.030±.010
(.762±.254)
.030? 010
(.762? 254)
.610? 010
(15.5? 254)
.125 ? 010
(3.17? 254)
.090?010
(2.29?254)
2
.030?010
(.762?254)
2
.320? 010
(8.13? 254)
.610?010
(15.5?254)
.320?010
(8.13 ?254)
3
3
0.110 （ 2.80 ）最大
氧化铝环
0.110 （ 2.79 ）最大
钼盖
1号航站楼
氧化铝环
.020? 005 R
(.508? 127 )
铜接线端子
0.130 （ 3.30 ）最大
钼盖
.020?005 R
(.508?127 )
氧化铝环
钼基
1号航站楼
.020? 002
(.508? 051)
钼基
1号航站楼
.060?010
(1.52?254)
.015?002
(.381?051)
.060? 010
(1.52? 254)
1
2
3
接脚分布表
设备类型
销1
双整流器，共阴极（ P）
共阴极
注意：
在V
f
所示的曲线是只有SD175SA30未封装芯片。
典型的正向特性
10
3
销2
阳极
3脚
阳极
典型的反向特性
瞬时反向电流 - I
R
（MA ）
150 °C
10
2
125 °C
10
1
150 °C
100 °C
75 °C
瞬时正向电流 - I（A ）
F
10
1
10
0
50 °C
10
-1
25 °C
10
-2
0
10
20
30
反向电压 - V
R
(V)
40
125 °C
10
0
25 °C
结电容 - C
T
（PF ）
典型结电容
2000
1800
1600
1400
1200
1000
0
10
20
30
反向电压 - V
R
(V)
40
10
-1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
正向电压下降 - V
F
(V)
0.6
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技术参数
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