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SENSITRON
半导体
技术参数
数据表629 , REV 。一
SHD116234
SHD116234B
密封功率肖特基整流器
超低反向漏
200 ° C工作温度
描述:
100伏, 15安培,功率肖特基整流器IN A SHD - 1 / 1A / 1B包。
最大额定值
等级
峰值反向电压
最大直流输出电流(阴极维护@ T
C
=100
O
C)
最大非重复正向浪涌电流
(T = 8.3ms的,正弦波)
最大结电容
(V
r
=5V)
所有评级ARE @ T
C
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
PIV
I
O
I
FSM
C
T
R
θJC
顶部
TSTG
马克斯。
100
15
280
500
0.85
-65
+ 200
-65
+ 175
单位
安培
安培
pF
° C / W
°C
°C
最大热阻(结到安装表面,阴极)
最高工作温度范围
最大存储温度范围
电气特性
特征
最大正向电压降,脉冲(I
f
= 15安培)
T
J
= 25
°C
T
J
= 125
°C
最大反向电流(I
r
@ 100V PIV )
T
J
= 25
°C
T
J
= 125
°C
I
r
.01
1.0
mA
V
f
.84
.68
221西工业苑
鹿园,NY 11729-4681
电话( 631 ) 586-7600
传真:( 631 ) 242-9798
万维网 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SHD116234
SHD116234B
SENSITRON
数据表629 , REV 。一
机械尺寸:单位:英寸/毫米
.225±.010
(5.71±.254)
.375±.020
(9.52±.508)
.225±.010
(5.71±.254)
.150±.010
(3.81±.254)
SHD-1
.225±.010
(5.71±.254)
.225±.010
(5.71±.254)
.015±.005
(.381±.127)
SHD-1B
铜阳极
0.075 ( 1.91 )M AX
一个LUM INA 荷兰国际集团
M奥菱B酶
0.090 ( 2.29 )最大
M奥菱盖
.020±.005 R
(.508±.127 )
氧化铝环
钼基
(阴极)
.015±.002
(.381±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
典型的正向特性
10
1
瞬时反向电流 - I
R
(MA )
典型的反向特性
200 °C
175 °C
10
0
150 °C
125 °C
100 °C
10
1
200 °C
175 °C
10
-1
瞬时正向电流 - I
F
(A)
10
-2
75 °C
50 °C
10
0
10
-3
10
-4
25 °C
125 °C
0
20
40
60
80
100
反向电压 - V
R
(V)
120
典型结电容
10
-1
结电容 - C
T
(PF )
0.8
25 °C
400
300
200
100
0
20
40
60
80
反向电压 - V
R
(V)
100
120
10
-2
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
正向电压下降 - V
F
(V)
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SHD116234B
SENSITRON
数据表629 , REV 。一
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设备和安全设备) ,安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下, Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表(多个)用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息,产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下, Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表(S ) 。
6数据表(S )不得转载或复制,以任何形式,全部或部分,而不Sensitron明确的书面许可,
半导体。
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维护国际和平与安全,也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品(技术) ,必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
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