SENSITRON
半导体
技术参数
数据表786 ， REV 。一
SHD116213
SHD116213B
硅肖特基整流器
极低的正向电压降
产品特点：
软反向恢复低温和高温
极低的正向电压降
低功耗，高效率
高浪涌能力
保护环，增强耐用性和长期可靠性
保证反向雪崩特性
最大额定值
特征
峰值反向电压
马克斯。平均正向
当前
马克斯。峰值一个周期非
重复浪涌电流
非重复性雪崩
能源
重复性雪崩电流
最大热阻
最大。结温
马克斯。储存温度
符号
V
RWM
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
I
AR
R
θJC
T
J
T
英镑
-
-
-55到+150
-55到+150
条件
-
50％的占空比，矩形
电波表
8.3毫秒，半正弦波
T
J
= 25
°C,
I
AS
= 11.5 A,
L = 11.5毫亨
I
AS
线性地衰减到0 1
s
限制T
J
MAX V
A
=1.5V
R
马克斯。
60
30
1020
13
1.5
单位
V
A
A
mJ
A
° C / W
°C
°C
电气特性
特征
马克斯。正向电压降
马克斯。反向电流
符号
V
F1
V
F2
I
R1
I
R2
马克斯。结电容
C
T
条件
@ 15A ，脉冲，T
J
= 25
°C
@ 15A ，脉冲，T
J
= 125
°C
@V
R
= 60V ，脉冲，
T
J
= 25
°C
@V
R
= 60V ，脉冲，
T
J
= 125
°C
@V
R
= 5V ，T
C
= 25
°C
f
SIG
= 1MHz时，
V
SIG
= 50mV的（ π-π ）
马克斯。
0.60
0.56
0.8
45
720
单位
V
V
mA
mA
pF
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真：（ 631 ） 242-9798
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电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SHD116213
SHD116213B
SENSITRON
数据表786 ， REV 。一
机械尺寸：单位：英寸/毫米
.22 5±.01 0
(5 .7 1±.25 4)
.375±.020
(9.52±.508)
.225±.010
(5.71±.254)
.150±.010
(3.81±.254)
.2 25 ±.0 10
(5.7 1±.25 4)
.225±.010
(5.71±.254)
.015±.005
(.381±.127)
铜阳极
0.0 75 （ 1.9 1 ）M AX
在A R ING ALU米
M奥菱霸SE
M O对LY盖
0.090 （ 2.29 ）最大
氧化铝环
钼基
（阴极）
.020±.005 R
(.508±.127 )
.015±.002
(.381±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
SHD-1
SHD-1B
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设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
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根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
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值超过绝对最大额定值。
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半导体。
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SHD116213
SHD116213B
SENSITRON
数据表786 ， REV 。一
典型的正向特性
典型的反向特性
瞬时反向电流 - I
R
（MA ）
10
2
150 °C
10
1
10
1
125 °C
100 °C
150 °C
10
0
瞬时正向电流 - I
F
(A)
75 °C
10
-1
50 °C
125 °C
10
0
10
-2
25 °C
10
-3
25 °C
0
10
20
30
40
50
反向电压 - V
R
(V)
60
结电容 - C
T
（PF ）
典型结电容
800
700
600
500
400
300
200
0
10
20
30
40
50
反向电压 - V
R
(V)
60
10
-1
0.0
0.2
0.4
0.6
正向电压下降 - V
F
(V)
0.8
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