SENSITRON
半导体
技术参数
数据表378 ， REV 。一
SHD116044
SHD116044B
密封功率肖特基整流器
200 ° C最高工作温度
描述：
100伏， 3 AMP ，密封功率肖特基整流器IN A SHD - 1 / 1A / 1B
封装。
最大额定值
等级
峰值反向电压
最大直流输出电流（阴极维护@ T
C
=100
O
C)
最大非重复正向浪涌电流
（T = 8.3ms的，正弦波）
最大结电容
(V
r
=5V)
C
T
Rθ
JC
热门/ TSTG
100
3.7
-65
+ 200
pF
° C / W
°C
所有评级ARE @ T
C
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
PIV
I
O
I
FSM
马克斯。
100
3.0
55
单位
伏
安培
安培
最大热阻（结到安装表面，阴极）
最大工作和存储温度范围
电气特性
特征
最大正向电压降，脉冲（I
f
= 3.0安培）
T
J
= 25
°C
T
J
= 125
°C
最大反向电流（I
r
@ 100V PIV ）
T
J
= 25
°C
T
J
= 125
°C
I
r
0.07
1.6
mA
V
f
0.84
0.68
伏
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真：（ 631 ） 242-9798
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电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SHD116044
SHD116044B
SENSITRON
数据表378 ， REV 。一
机械尺寸：单位：英寸/毫米
.225±.010
(5.71±.254)
.375±.020
(9.52±.508)
.225±.010
(5.71±.254)
.225±.010
(5.71±.254)
.150±.010
(3.81±.254)
.225±.010
(5.71±.254)
.015±.005
(.381±.127)
SHD-1
0.075 （ 1.91 ）M AX
一个LUM INA 荷兰国际集团
M奥菱B酶
M奥菱盖
SHD-1B
铜阳极
0.090 （ 2.29 ）最大
氧化铝环
钼基
（阴极）
.015±.002
(.381±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
.020±.005 R
(.508±.127 )
典型的正向特性
10
1
瞬时反向电流 - I
R
（MA ）
典型的反向特性
10
0
200°C
175 °C
200 °C
10
0
瞬时正向电流 - I
F
(A)
10
-1
150 °C
125 °C
10
-2
100 °C
75 °C
50 °C
175 °C
10
-3
10
-1
125 °C
10
-4
25 °C
10
-5
0
20
40
60
80
反向电压 - V
R
(V)
100
120
结电容 - C
T
（PF ）
25 °C
10
-2
典型结电容
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
反向电压 - V
R
(V)
100
120
10
-3
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
正向电压下降 - V
F
(V)
0.8
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故障安全防范措施或其他安排。
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